标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
安森美半导体
)
硅达林顿
功率晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6667
2N6668
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10安培
60-80伏
65 WATTS
高直流电流增益 -
的hFE = 3500 （典型值） @ IC = 4 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2 VDC （最大） @ IC = 5 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
集热器
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
BASE
[
8k
[
120
辐射源
图1.达林顿示意图
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6667
60
60
2N6668
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
10
15
250
MADC
瓦
W / ℃，
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
PD
PD
65
0.52
2
0.016
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结温范围
TJ ， TSTG
-65到+150
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 第4版
出版订单号：
2N6667/D
2N6667 2N6668
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 2 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
VCEO （ SUS）
ICEO
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
集电极截止电流（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
MADC
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
发射极截止电流（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
ICEX
300
300
3
3
5
μAdc
MADC
IEBO
的hFE
MADC
基本特征（ 1 ）
直流电流增益（ IC = 5 ADC ， VCE = 3伏）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3伏）
1000
100
—
—
—
—
20000
—
2
3
—
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
基射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VDC
VDC
2.8
4.5
动态特性
电流增益 - 带宽积（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， FTEST = 1兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
| HFE |
COB
的hFE
20
—
—
—
—
—
200
pF
小信号电流增益（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， F = 1千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2%.
1000
VCC
- 30 V
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
对TD和TR ， D1断开， V2 = 0
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
RC
V2
约
+8V
0
V1
约
- 12 V
25
s
RB
51
D1
+ 4.0 V
[
8k
TUT
范围
[
120
图2.开关时间测试电路
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2
2N6667 2N6668
TA TC
4 80
PD ，功耗（瓦）
10
7
5
3
T， TIME （
s)
TC
2
40
TA
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.1
0.2
tf
tr
ts
3
60
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
1
20
.td
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.功率降额
图4.典型的开关时间
1
R（T ）归一化有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
0.05
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1
2
5
吨，时间（ ms）的
t1
t2
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
50
100
200
500
1000
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T1 / T2
10
20
图5.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5
3
2
1
TJ = 150℃
2N6667
焊线LIMIT 2N6668
热极限@ TC = 25°C
第二击穿极限
曲线适用于低于额定VCEO
dc
1毫秒
5毫秒
100
s
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
1
图6.最大安全工作区
5
2
3
7 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从数据在图5中计算出来的。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
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3
2N6667 2N6668
10,000
的hFE ，小信号增益CURENT
5000
2000
C，电容（pF ）
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
3
5 7 10
20 30 50 70 100
200 300 500 1000
TC = 25°C
VCE = 4伏
IC = 3安培
200
TJ = 25°C
300
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
男，频率（KHz ）
1
2
5
0.5
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图7.典型的小信号电流增益
图8.典型的电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
VCE = 3V
TJ = 150℃
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
2.6
TJ = 25°C
2.2
IC = 2将
1.8
1.4
1
0.6
0.3
4A
6A
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
0.2
3
0.3
0.5 0.7 1
2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
0.5 0.7
1
2
3
5 7
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图9.典型的直流电流增益
图10.典型集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0.1
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 3V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
TJ = 25°C
+5
+4
+3
+2
+1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.1
θ
VC的VCE （SAT）
θ
VB的VBE
0.2 0.3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
* IC / IB
≤
的hFE @ VCE
+
3.0 V
3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
V，电压（V ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图11.典型的“开”电压
图12.典型温度系数
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4
2N6667 2N6668
105
104
IC ，集电极电流（
A)
103
102
101
100
TJ = 150℃
100°C
25°C
+0.4
+0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1
VBE ，基极发射极电压（伏）
-1.2 -1.4
反向
前锋
VCE = 30 V
10-1
+0.6
图13.典型集电极截止区
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5
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
2N6668
达林顿功率晶体管
电气特性（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
(I
C
=的200mA，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
CE
= 80V ，我
B
= 0)
收藏家切断电流
(V
CE
= 80V, V
BE （OFF）的
= 1.5V)
(V
CE
= 80V, V
BE （OFF）的
= 1.5V ，T
C
= 125°C)
发射器切断电流
(V
EB
= 5.0V ，我
C
= 0)
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
(I
C
= 5.0A ，V
CE
= 3.0V)
(I
C
= 10A ，V
CE
= 3.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 5.0A ，我
B
= 10毫安）
(I
C
= 10A ，我
B
= 100毫安）
基射极电压上
(I
C
= 5.0A ，V
CE
= 3.0V)
(I
C
= 10A ，V
CE
= 3.0V)
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 1.0A ，V
CE
= 5.0V ， F = 1.0KHz ）
输出电容
(V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤2.0%.
直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
集电极饱和区
h
fe
C
ob
1000
-
-
200
-
pF
h
FE
1000
100
-
20,000
-
符号
最低
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
80
-
-
-
-
1.0
0.3
3.0
5.0
V
mA
V
CE （ SAT ）
2.0
3.0
V
2.8
4.5
V
BE（上）
-
h
FE
，直流电流增益
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
B
，基极电流（毫安）
第3页
31/05/05 V1.0
2N6668
达林顿功率晶体管
注意事项：
国际销售办事处：
澳大利亚
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 61 2 9645 8888
传真号码： + 61 2 9644 7898
芬兰
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 358 9 560 7780
传真号码： + 358 9 345 5411
荷兰
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 31 30 241 7373
传真号码： + 31 30 241 7333
瑞士
- 派睿电子InOne公司
电话： + 41 1 204 64 64
传真号码： + 41 1 204 64 54
奥地利
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 43 662 2180 680
传真号码： + 43 662 670 2180
法国
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 33 474 68 99 99
传真号码： + 33 474 68 99 90
新西兰
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 64 9 357 0646
传真号码： + 64 9 357 0656
UK
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 44 8701 200 200
传真号码： + 44 8701 200 201
比利时
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 32 3 475 2810
传真号码： + 32 3 227 3648
德国
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 49 89 61 39 39 39
传真号码： + 49 89 613 59 01
挪威
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 45 44 53 66 66
传真号码： + 45 44 53 66 02
UK
–
BuckHickman InOne公司
++ 44 8450 510 150
++ 44 8450 510 130
巴西
- 派睿电子 - 纽瓦克InOne公司
电话：
++ 55 11 4066 9400
传真号码： + 55 11 4066 9410
香港
–
派睿电子，纽瓦克InOne公司
电话号码： + 852 2268 9888
传真号码： + 852 2268 9899
葡萄牙
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 34 93 475 8804
传真号码： + 34 93 474 5288
UK
–
中国共产党
++ 44 8701 202 530
++ 44 8701 202 531
中国
- 派睿电子 - 纽瓦克InOne公司
电话：
++86 10 6238 5152
传真号码： + 86 10 6238 5022
爱尔兰
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 353 1 830 9277
传真号码： +353 1 830 9016
新加坡
–
派睿电子，纽瓦克InOne公司
电话： + 65 6788 0200
出口
出口
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 44 8701 200 208
传真号码： + 44 8701 200 209
传真号码： + 65 6788 0300
对于所有其他市场调查
丹麦
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 45 44 53 66 44
传真号码： + 45 44 53 66 06
意大利
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 39 02 93 995 200
传真号码： + 39 02 93 995 300
西班牙
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 34 93 475 8805
传真号码： + 34 93 474 5107
http://www.farnellinone.com
爱沙尼亚
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 358 9 560 7780
传真号码： + 358 9 345 5411
马来西亚
–
派睿电子，纽瓦克InOne公司
电话： + 60 3 7873 8000
传真号码： + 60 3 7873 7000
瑞典
- 派睿电子InOne公司
电话：
++ 46 8 730 50 00
传真号码： + 46 8 83 52 62
http://www.buckhickmaninone.com
http://www.cpc.co.uk
放弃
此数据表和它的内容（ "Information" ）属于Premier Farnell集团集团（下"Group" ），或者是授权给它。没有获发牌照的使用它比作参考之用其他
在其所涉及的产品连接。任何知识产权没有获发牌照。信息如有变更，恕不另行通知，并取代所有数据表之前提供。
提供的信息被认为是准确的，但本集团承担的，或用于制作它的任何使用其准确性或完整性，任何错误或遗漏不承担任何责任。此数据的用户
表应检查自己的信息和产品是否适合他们的目的，并根据包括或省略的信息不作任何假设。损失或损害的赔偿责任
从信息或使用任何依赖造成（包括责任由过失或本集团意识到了这种损失或造成损害的可能性，造成）被排除在外。
这将不得限制或限制本集团的死亡或人身伤害的疏忽而造成的责任。 MULTICOMP是该集团的注册商标。 Premier Farnell集团plc的2004年。
第5页
31/05/05 V1.0
2N6667, 2N6668
硅达林顿
功率晶体管
设计用于通用放大器和低速切换
应用程序。
高直流电流增益 -
h
FE
= 3500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
无铅包可用*
http://onsemi.com
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10 A， 6080 V， 65瓦
记号
图
4
集热器
1
2
3
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
2N666x
AYWWG
BASE
CASE 221A -09
TO220AB
x
A
Y
WW
G
= 7或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
≈
8k
≈
120
辐射源
图1.达林顿示意图
订购信息
设备
2N6667
2N6667G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
2N6668
2N6668G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版5
出版订单号：
2N6667/D
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.表示JEDEC注册的数据。
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
（注1 ） （T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
最大额定值
（注1 ）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结温范围
器件总功耗@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
基极电流
连续集电极电流 -
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
小信号电流增益（I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 带宽积（我
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
直流电流增益（I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
EB （关
） = 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （关
） = 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
等级
特征
特征
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
符号
T
J
, T
英镑
V
首席执行官
V
CB
V
EB
P
D
P
D
I
C
I
B
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
符号
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
R
QJC
R
qJA
2N6667
60
60
- 65至+ 150
1000
1000
100
2.0
0.016
民
65
0.52
20
60
80
250
5.0
10
15
2N6668
62.5
1.92
最大
80
80
20000
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
MADC
° C / W
° C / W
W
W / ℃，
W
W / ℃，
MADC
单位
单位
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
VDC
VDC
VDC
_C
pF
2
2N6667, 2N6668
硅达林顿
功率晶体管
设计用于通用放大器和低速切换
应用程序。
高直流电流增益 -
h
FE
= 3500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
无铅包可用*
http://onsemi.com
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10 A， 6080 V， 65瓦
记号
图
4
集热器
1
2
3
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
2N666x
AYWWG
BASE
CASE 221A -09
TO-220AB
x
A
Y
WW
G
= 7或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
≈
8k
≈
120
辐射源
图1.达林顿示意图
订购信息
设备
2N6667
2N6667G
包
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
2N6668
2N6668G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 修订版6
出版订单号：
2N6667/D
1.表示JEDEC注册的数据。
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
（注1 ） （T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
最大额定值
（注1 ）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结温范围
器件总功耗@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
基极电流
连续集电极电流 -
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
小信号电流增益（I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 带宽积（我
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
直流电流增益（I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
EB （关
） = 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （关
） = 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
等级
特征
特征
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
符号
T
J
, T
英镑
V
首席执行官
V
CB
V
EB
P
D
P
D
I
C
I
B
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
符号
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
R
QJC
R
qJA
2N6667
60
60
- 65至+ 150
1000
1000
100
2.0
0.016
民
65
0.52
20
60
80
250
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
15
2N6668
62.5
1.92
最大
80
80
20000
-
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
-
-
-
-
MADC
MADC
MADC
MADC
° C / W
° C / W
W
W / ℃，
W
W / ℃，
MADC
单位
单位
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
VDC
VDC
VDC
_C
pF
-
-
-
2
2N6667, 2N6668
3
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
T
J
= 25°C
+5
+4
+3
+2
+1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
θ
VC
对于V
CE （ SAT ）
θ
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
3
5
7
10
*I
C
/I
B
≤
的hFE @ VCE
+
3.0 V
3
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
V，电压（V ）
2.5
2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
1.5
1
0.5
0.1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图11.典型的“开”电压
图12.典型温度系数
10
5
10
4
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
3
10
2
T
J
= 150°C
100°C
25°C
+ 0.6
+ 0.4 + 0.2 0 - 0.2 - 0.4 - 0.6 - 0.8
- 1 - 1.2 - 1.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
10
1
10
0
反向
前锋
V
CE
= 30 V
10
- 1
图13.典型集电极截止区
http://onsemi.com
5
安森美半导体
)
硅达林顿
功率晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6667
2N6668
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10安培
60-80伏
65 WATTS
高直流电流增益 -
的hFE = 3500 （典型值） @ IC = 4 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2 VDC （最大） @ IC = 5 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
集热器
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
BASE
[
8k
[
120
辐射源
图1.达林顿示意图
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6667
60
60
2N6668
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
10
15
250
MADC
瓦
W / ℃，
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
PD
PD
65
0.52
2
0.016
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结温范围
TJ ， TSTG
-65到+150
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 第4版
出版订单号：
2N6667/D
2N6667 2N6668
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 2 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
VCEO （ SUS）
ICEO
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
集电极截止电流（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
MADC
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
发射极截止电流（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
ICEX
300
300
3
3
5
μAdc
MADC
IEBO
的hFE
MADC
基本特征（ 1 ）
直流电流增益（ IC = 5 ADC ， VCE = 3伏）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3伏）
1000
100
—
—
—
—
20000
—
2
3
—
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
基射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VDC
VDC
2.8
4.5
动态特性
电流增益 - 带宽积（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， FTEST = 1兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
| HFE |
COB
的hFE
20
—
—
—
—
—
200
pF
小信号电流增益（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， F = 1千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2%.
1000
VCC
- 30 V
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
对TD和TR ， D1断开， V2 = 0
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
RC
V2
约
+8V
0
V1
约
- 12 V
25
s
RB
51
D1
+ 4.0 V
[
8k
TUT
范围
[
120
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
2N6667 2N6668
TA TC
4 80
PD ，功耗（瓦）
10
7
5
3
T， TIME （
s)
TC
2
40
TA
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.1
0.2
tf
tr
ts
3
60
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
1
20
.td
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.功率降额
图4.典型的开关时间
1
R（T ）归一化有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
0.05
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1
2
5
吨，时间（ ms）的
t1
t2
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
50
100
200
500
1000
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T1 / T2
10
20
图5.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5
3
2
1
TJ = 150℃
2N6667
焊线LIMIT 2N6668
热极限@ TC = 25°C
第二击穿极限
曲线适用于低于额定VCEO
dc
1毫秒
5毫秒
100
s
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
1
图6.最大安全工作区
5
2
3
7 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从数据在图5中计算出来的。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
3
2N6667 2N6668
10,000
的hFE ，小信号增益CURENT
5000
2000
C，电容（pF ）
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
3
5 7 10
20 30 50 70 100
200 300 500 1000
TC = 25°C
VCE = 4伏
IC = 3安培
200
TJ = 25°C
300
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
男，频率（KHz ）
1
2
5
0.5
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图7.典型的小信号电流增益
图8.典型的电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
VCE = 3V
TJ = 150℃
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
2.6
TJ = 25°C
2.2
IC = 2将
1.8
1.4
1
0.6
0.3
4A
6A
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
0.2
3
0.3
0.5 0.7 1
2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
0.5 0.7
1
2
3
5 7
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图9.典型的直流电流增益
图10.典型集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0.1
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 3V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
TJ = 25°C
+5
+4
+3
+2
+1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.1
θ
VC的VCE （SAT）
θ
VB的VBE
0.2 0.3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
* IC / IB
≤
的hFE @ VCE
+
3.0 V
3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
V，电压（V ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图11.典型的“开”电压
图12.典型温度系数
http://onsemi.com
4
2N6667 2N6668
105
104
IC ，集电极电流（
A)
103
102
101
100
TJ = 150℃
100°C
25°C
+0.4
+0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1
VBE ，基极发射极电压（伏）
-1.2 -1.4
反向
前锋
VCE = 30 V
10-1
+0.6
图13.典型集电极截止区
http://onsemi.com
5
安森美半导体
)
硅达林顿
功率晶体管
。 。 。设计用于通用放大器和低速
开关应用。
2N6667
2N6668
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10安培
60-80伏
65 WATTS
高直流电流增益 -
的hFE = 3500 （典型值） @ IC = 4 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 2 VDC （最大） @ IC = 5 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
集热器
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
BASE
[
8k
[
120
辐射源
图1.达林顿示意图
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6667
60
60
2N6668
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
10
15
250
MADC
瓦
W / ℃，
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
PD
PD
65
0.52
2
0.016
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结温范围
TJ ， TSTG
-65到+150
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 第4版
出版订单号：
2N6667/D
2N6667 2N6668
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
单位
热阻，结到外壳
1.92
62.5
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 2 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
VCEO （ SUS）
ICEO
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
集电极截止电流（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
2N6667
2N6668
MADC
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
发射极截止电流（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
ICEX
300
300
3
3
5
μAdc
MADC
IEBO
的hFE
MADC
基本特征（ 1 ）
直流电流增益（ IC = 5 ADC ， VCE = 3伏）
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3伏）
1000
100
—
—
—
—
20000
—
2
3
—
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
基射极饱和电压（ IC = 5 ADC ， IB = 0.01 ADC）
（ IC = 10位ADC ， IB = 0.1 ADC ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VDC
VDC
2.8
4.5
动态特性
电流增益 - 带宽积（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， FTEST = 1兆赫）
输出电容（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
| HFE |
COB
的hFE
20
—
—
—
—
—
200
pF
小信号电流增益（ IC = 1 ADC ， VCE = 5伏， F = 1千赫）
*表示JEDEC注册的数据
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2%.
1000
VCC
- 30 V
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型例如，
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
对TD和TR ， D1断开， V2 = 0
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
RC
V2
约
+8V
0
V1
约
- 12 V
25
s
RB
51
D1
+ 4.0 V
[
8k
TUT
范围
[
120
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
2N6667 2N6668
TA TC
4 80
PD ，功耗（瓦）
10
7
5
3
T， TIME （
s)
TC
2
40
TA
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.1
0.2
tf
tr
ts
3
60
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
1
20
.td
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.功率降额
图4.典型的开关时间
1
R（T ）归一化有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
0.05
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1
2
5
吨，时间（ ms）的
t1
t2
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
50
100
200
500
1000
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T1 / T2
10
20
图5.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5
3
2
1
TJ = 150℃
2N6667
焊线LIMIT 2N6668
热极限@ TC = 25°C
第二击穿极限
曲线适用于低于额定VCEO
dc
1毫秒
5毫秒
100
s
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
1
图6.最大安全工作区
5
2
3
7 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6中的数据是基于T J动力学（pk ） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
< 150_C 。 TJ （ pk）的可从数据在图5中计算出来的。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
3
2N6667 2N6668
10,000
的hFE ，小信号增益CURENT
5000
2000
C，电容（pF ）
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
3
5 7 10
20 30 50 70 100
200 300 500 1000
TC = 25°C
VCE = 4伏
IC = 3安培
200
TJ = 25°C
300
100
70
50
30
0.1
兴业银行
COB
0.2
男，频率（KHz ）
1
2
5
0.5
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
图7.典型的小信号电流增益
图8.典型的电容
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
VCE = 3V
TJ = 150℃
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
20,000
2.6
TJ = 25°C
2.2
IC = 2将
1.8
1.4
1
0.6
0.3
4A
6A
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
0.2
3
0.3
0.5 0.7 1
2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
0.5 0.7
1
2
3
5 7
IB ，基极电流（毫安）
10
20
30
图9.典型的直流电流增益
图10.典型集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0.1
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 3V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
TJ = 25°C
+5
+4
+3
+2
+1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.1
θ
VC的VCE （SAT）
θ
VB的VBE
0.2 0.3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
* IC / IB
≤
的hFE @ VCE
+
3.0 V
3
25 ℃150 ℃的
-55 ° C到25°C时
V，电压（V ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图11.典型的“开”电压
图12.典型温度系数
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4
2N6667 2N6668
105
104
IC ，集电极电流（
A)
103
102
101
100
TJ = 150℃
100°C
25°C
+0.4
+0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1
VBE ，基极发射极电压（伏）
-1.2 -1.4
反向
前锋
VCE = 30 V
10-1
+0.6
图13.典型集电极截止区
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5
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