2SK3515-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
450
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
193
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 5.53mH ， VCC = 45V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 450V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
A
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
V
DS
=450V V
GS
=0V
V
DS
=360V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=225V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 5.53mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
450
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.65
单位
V
V
A
nA
S
pF
4
10
0.50
8
800
1200
120
150
4.5
7
15
23
12
18
25
38
7
11
22
33
9.5
14.5
6.5
10
1.00
0.7
3.5
ns
nC
8
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3515-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
50
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 45V ， I（ AV） < = 8A
300
40
250
200
30
EAV [兆焦耳]
0
25
50
75
100
125
150
PD [ W]
150
20
100
10
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
30
28
26
24
22
20
20V
10V
10
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
7.0V
VGS=6.5V
7.5V
ID [ A]
1
0.1
0
18
8V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
2.0
1.8
1.6
1.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS = 6.5V 7.0V
7.5V
8V
10V
20V
RDS （上）
]
0.1
1
10
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
GFS [S]
1
0.1
0.0
0
5
10
15
20
25
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3515-01MR
FUJI功率MOSFET
2.0
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
栅极阈值电压与总胆固醇
7.0
6.5
6.0
5.5
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
1.5
5.0
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
1.0
马克斯。
典型值。
0.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
24
22
20
18
16
14
360V
VCC = 90V
225V
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
1n
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
100p
科斯
10p
CRSS
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
100
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
2
tr
TD （关闭）
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tf
1
10
0.1
0.00
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
1
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3515-01MR
FUJI功率MOSFET
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
10
-2
0
t
D=
T
t
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 45V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-2
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
2SK3515-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
450
A
I
D
±8
A
I
D（ PULS ]
±32
V
V
GS
±30
A
I
AR
*2
8
mJ
E
AS
*1
193
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
35
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 5.53mH ， VCC = 45V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 450V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
A
I
D
= 250
V
DS
=V
GS
V
DS
=450V V
GS
=0V
V
DS
=360V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 4A V
GS
=10V
I
D
= 4A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=4A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=225V
I
D
=8A
V
GS
=10V
L = 5.53mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 8A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
450
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.65
单位
V
V
A
nA
S
pF
4
10
0.50
8
800
1200
120
150
4.5
7
15
23
12
18
25
38
7
11
22
33
9.5
14.5
6.5
10
1.00
0.7
3.5
ns
nC
8
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
3.57
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3515-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
50
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 45V ， I（ AV） < = 8A
300
40
250
200
30
EAV [兆焦耳]
0
25
50
75
100
125
150
PD [ W]
150
20
100
10
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
30
28
26
24
22
20
20V
10V
10
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
7.0V
VGS=6.5V
7.5V
ID [ A]
1
0.1
0
18
8V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
2.0
1.8
1.6
1.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
VGS = 6.5V 7.0V
7.5V
8V
10V
20V
RDS （上）
]
0.1
1
10
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
GFS [S]
1
0.1
0.0
0
5
10
15
20
25
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3515-01MR
FUJI功率MOSFET
2.0
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 4A ， VGS = 10V
栅极阈值电压与总胆固醇
7.0
6.5
6.0
5.5
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 250μA
1.5
5.0
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
1.0
马克斯。
典型值。
0.5
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
24
22
20
18
16
14
360V
VCC = 90V
225V
VGS = F量（Qg ） ： ID = 8A ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
1n
西塞
VGS电压[V]的
C [ F]
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
100p
科斯
10p
CRSS
1p
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
100
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
2
tr
TD （关闭）
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tf
1
10
0.1
0.00
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
1
VSD [V]的
ID [ A]
3
2SK3515-01MR
FUJI功率MOSFET
10
1
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
10
-2
0
t
D=
T
t
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
最大雪崩电流脉宽
10
2
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 45V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-2
-8
10
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
QQ：2880707522 复制
