27C1512T
512KB ( 32K ×16位)
OTP EPROM MCM
内存
逻辑图
F
EATURES
:
32K ×16位OTP EPROM组织
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度:
- > 100拉德(SI ) ,根据航天任务
卓越的单粒子效应:
- SEL
TH
LET : > 80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET : > 80兆电子伏/毫克/平方厘米
2
??包装:
- 40引脚
AD
-P
AK
DIP
低功耗:
- 主动模式: 500毫瓦@ 10兆赫
- 待机模式: < 11毫瓦
高速网页和字编程:
- 页编程时间: 14秒(典型值)
编程电源:
- V
PP
= 12.5 V ± 0.3 V
一次性可编程
管脚配置
- 闪存和掩模ROM兼容
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 27C1512T高密度512K一次性
可编程的电可编程只读存储器
多芯片模块( MCM )设有超过100拉德(SI )
总剂量耐受性,取决于航天飞行任务。该
27C1512T具有快速地址,时间和低功率耗散
化。该27C1512T提供高速编程使用
页面编程模式。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽,同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上,R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德( Si)的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选高达麦克斯韦技术自定义的类
K.
05年6月1日修订版4
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300-传真: ( 858 ) 503-3301- www.maxwell.com
2005麦克斯韦技术
版权所有。
512KB ( 32K ×16位) - OTP EPROM MCM
T
ABLE
1. 27C1512T P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
21-29, 31-36
19-12, 10-3
2
20
40
1
11, 30
39
37, 38
S
YMBOL
A0 - A14
I / O0 - I / O15
CE
OE
V
CC
V
PP
V
SS
PGM
NC
D
ESCRIPTION
地址
输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
编程电源
地
编程启用
无连接
27C1512T
内存
T
ABLE
2. 27C1512T一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压
1
编程电压
1
所有的输入和输出电压
1,2
A9电压
2
重量
热阻抗
工作温度范围
存储温度范围
1.相对于V
SS
.
2. V
IN
, V
OUT
和V
ID
分= -1.0V脉冲宽度< 20纳秒。
S
YMBOL
V
CC
V
PP
V
IN
, V
OUT
V
ID
M
IN
-0.6
-0.6
-0.6
-0.6
--
-55
-65
M
AX
7.0
13.5
7.0
13.0
14.5
1.23
+125
+150
U
NIT
V
V
V
V
克
° C / W
°C
°C
Θ
JC
T
OPR
T
英镑
T
ABLE
3. 27C1512T
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
工作温度范围
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
T
OPR
M
IN
4.5
-0.3
2.2
-55
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+0.3
+125
U
尼特
V
V
°
C
05年6月1日修订版4
所有数据表如有变更,恕不另行通知
2
2005麦克斯韦技术。
版权所有。
512KB ( 32K ×16位) - OTP EPROM MCM
T
ABLE
4. 27C1512T
APACITANCE
P
ARAMETER
输入电容
输出电容
1. V
IN
= V
OUT
= 0V.
2. T
A
= 25
o
C,F = 1兆赫。
3.通过设计保证。
S
YMBOL
C
IN
C
OUT
1,2, 3
27C1512T
M
IN
--
--
M
AX
10
15
U
NIT
pF
pF
T
ABLE
5. 27C1512T M
ODE
S
选举1,2
M
ODE
R
EAD
O
安输出
D
ISABLE
S
TANDBY
P
ROGRAM
P
ROGRAM
V
ERIFY
P
AGE
D
ATA
L
ATCH
P
AGE
P
ROGRAM
P
ROGRAM
I
NHIBIT
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
I
DENTIFIER
1, X =无关。
2. 11.5V < V
H
< 12.5V 。
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
PGM
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
A
9
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
H2
I / O
D
OUT
高-Z
高-Z
D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
ID
内存
05年6月1日修订版4
所有数据表如有变更,恕不另行通知
3
2005麦克斯韦技术。
版权所有。
512KB ( 32K ×16位) - OTP EPROM MCM
27C1512T
T
ABLE
6. 27C1512T DC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION
(V
CC
= 5V ±10%, V
PP
= V
SS
, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
高
低
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= 5.5V
V
IN
@ 0V
V
OUT
= 5.5V
V
OUT
= 0.45V
CE = V
IH
I
OUT
= 0 mA时, CE = V
IL
I
OUT
= 0 mA时, F = 5兆赫
I
OUT
= 0 mA时, F = 10 MHz的
V
PP
= 5.5V
S
YMBOL
S
UBGROUPS
I
LI
I
LI
I
OH
I
OL
I
SB
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
PP1
V
IH1
V
IL1
I
OH
= -800 A
I
OL
= 4.2毫安
V
OH
V
OL
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
--
-4.0
--
--
--
--
--
2.2
--
2.4
--
--
60
60
100
1
--
--
--
--
M
IN
--
4
T
YP
--
--
--
4
--
2
--
--
--
40
--
0.8
--
0.45
mA
mA
M
AX
2
--
U
NIT
A
A
A
V
PP
当前
输入电压
输出电压
A
V
内存
V
T
ABLE
7. 27C1512T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 5V + 10%, V
PP
= V
SS
, T
A
= -55
TO
+125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
输出保持到地址变更
输出禁止到高阻
2
T
美东时间
C
ONDITION
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
CE = OE = V
IL
CE = V
IL
S
YMBOL
t
加
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
S
UBGOUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
M
IN
--
--
--
0
0
M
AX
200
200
70
--
50
U
NIT
ns
ns
ns
ns
ns
1.测试条件:
- 输入脉冲电平
0.45V/2.4V
- 输入上升和下降时间
& LT ; 10纳秒
- 输出负载
1 TTL门+ 100pF电容(包括范围和夹具)
- 参考电平测量timing0.8V / 2.0V
2. t
DF
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
T
ABLE
8. 27C1512T DC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGC软件
O
PERATIONS 1,2,3,4
(V
CC
= 6.25V + 0.25V, V
PP
= 12.5V + 0.3V ,T
A
= 25
°
C +5
°
C)
P
ARAMETER
输入漏电流
T
美东时间
C
ONDITION
V
IN
= 0V至V
CC
05年6月1日修订版4
S
YMBOL
I
LI
S
UBGROUP
1
M
IN
--
M
AX
2
U
NIT
A
所有数据表如有变更,恕不另行通知
4
2005麦克斯韦技术。
版权所有。
512KB ( 32K ×16位) - OTP EPROM MCM
(V
CC
= 6.25V + 0.25V, V
PP
= 12.5V + 0.3V ,T
A
= 25
°
C +5
°
C)
P
ARAMETER
工作V
CC
当前
工作V
PP
当前
输入电压
5
CE = PGM = V
IL
T
美东时间
C
ONDITION
S
YMBOL
I
CC
I
PP
V
IH
V
IL
输出电压
I
OH
= -400 A
I
OH
= 2.1毫安
1. V
CC
V之前,必须应用
PP
和V后取出
PP
.
2. V
PP
不得超过13V ,包括过冲。
3.不要更改V
PP
从V
IL
为12.5V或12.5V到V
IL
当CE为低电平。
V
OH
V
OL
S
UBGROUP
1
1
1
1
1
1
M
IN
--
--
2.2
--
2.4
--
27C1512T
M
AX
30
80
--
0.8
--
0.45
V
U
NIT
mA
mA
V
T
ABLE
8. 27C1512T DC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGC软件
O
PERATIONS 1,2,3,4
4.直流电气参数进行编程操作,未经测试。这些参数由设计保证。
5.装置的可靠性可能如果设备被安装时或V除去会受到不利影响
PP
= 12.5V.
内存
T
ABLE
9. 27C1512T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGC软件
O
PERATIONS 1,2
(V
CC
= 6.25V + 0.25V, V
PP
= 12.5V + 0.3V ,T
A
= -55
TO
+125
°
C)
P
ARAMETER
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
芯片使能建立时间
V
PP
建立时间
V
CC
建立时间
输出使能设置时间
输出禁止时间
PGM初始编程脉冲宽度
PGM Overprogramming脉冲宽度
数据有效的输出使能时间
输出使能脉冲期间数据锁存器
输出使能保持时间
芯片使能保持时间
PGM建立时间
S
YMBOL
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
CES
t
VPS
t
VCS
t
OES
t
DF 3
t
PW
t
OPW
t
OE
t
LW
t
OEH
t
CEH
t
甘糖酯
S
UBGROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
M
IN
2
0
2
2
2
2
2
2
0
0.19
0.19
0
1
2
2
2
M
AX
--
--
--
--
--
--
--
--
130
0.21
5.25
150
--
--
--
--
U
NIT
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ms
ms
ns
s
s
s
s
05年6月1日修订版4
所有数据表如有变更,恕不另行通知
5
2005麦克斯韦技术。
版权所有。