【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD733 2SD733】,IC型号2SD733,2SD733 PDF资料,2SD733经销商,ic,电子元器件-51电子网

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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD733 2SD733K

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2SB697 / 697K

高

功耗

应用

“权力

扩增fi er应用

“推荐

对于大功率高保真

音频放大器的输出级

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

固电

IN

V

CBO

集电极 - 基极电压

ES

昂

CH

2SD733

2SD733K

2SD733

2SD733K

导½

半

ON

MIC

E

条件

OR

DUT

价值

160

180

140

单位

发射极开路

V

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

开基

160

集电极开路

6

12

20

T

C

=25℃

100

150

-40~150

V

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

V

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

2SD733 2SD733K

民

典型值。

最大

单位

2SD733

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 50毫安，我

B

=0

140

V

160

2SD733

V

（ BR ） CBO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 5毫安，我

E

=0

160

V

180

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 5毫安，我

C

=0

6

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

0.7

2.5

V

V

BE

基射极电压上

I

CBO

I

EBO

固电

IN

集电极截止电流

发射极截止电流

h

FE-1

直流电流增益

ES

昂

CH

导½

半

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

ON

MIC

E

OR

DUT

40

1.5

V

0.1

mA

0.1

mA

I

C

= 1A ; V

CE

=-5V

320

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

20

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

15

兆赫

h

FE-1

分类

C

40-80

D

60-120

E

100-200

F

160-320

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD733 2SD733K

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD733 2SD733K

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2SB697 / 697K

高

功耗

应用

“权力

扩增fi er应用

“推荐

对于大功率高保真

音频放大器的输出级

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2SD733

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD733K

2SD733

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD733K

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

160

6

12

20

100

150

-40~150

V

A

A

W

℃

℃

发射极开路

180

140

V

条件

价值

160

V

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

2SD733 2SD733K

民

典型值。

最大

单位

2SD733

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 50毫安，我

B

=0

140

V

160

2SD733

V

（ BR ） CBO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 5毫安，我

E

=0

160

V

180

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 5毫安，我

C

=0

6

V

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

0.7

2.5

V

V

BE

基射极电压上

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

1.5

V

I

CBO

集电极截止电流

V

CB

= 80V ;我

E

=0

0.1

mA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= 4V ;我

C

=0

0.1

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 1A ; V

CE

=-5V

40

320

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

20

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

15

兆赫

h

FE-1

分类

C

40-80

D

60-120

E

100-200

F

160-320

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD733 2SD733K

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD733 2SD733K

描述

·采用TO-3封装

·补键入2SB697 / 697K

·高功耗

应用

·功率放大器应用

·推荐用于高功率高保真

音频放大器的输出级

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2SD733

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD733K

2SD733

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD733K

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

160

6

12

20

100

150

-40~150

V

A

A

W

发射极开路

180

140

V

条件

价值

160

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

条件

2SD733 2SD733K

符号

民

典型值。

最大

单位

2SD733

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 50毫安，我

B

=0

140

V

160

2SD733

V

（ BR ） CBO

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD733K

I

C

= 5毫安，我

E

=0

160

V

180

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 5毫安，我

C

=0

I

C

= 6A ;我

B

=0.6A

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

EB

= 4V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=-5V

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

6

V

集电极 - 发射极饱和电压

0.7

2.5

V

基射极电压上

1.5

V

集电极截止电流

0.1

mA

发射极截止电流

0.1

mA

直流电流增益

40

320

直流电流增益

20

跃迁频率

15

兆赫

h

FE-1

分类

C

40-80

D

60-120

E

100-200

F

160-320

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD733 2SD733K

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

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