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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD437

描述

·带

TO- 3封装

高

电压

·快速

开关速度

应用

For

开关稳压器和电源

扩增fi er应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

600

350

6

10

15

80

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

V

CB

=600V;I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

15

10

民

350

6

典型值。

2SD437

最大

单位

V

V

1.5

3.0

1.4

1.8

0.1

0.1

50

V

V

V

V

mA

mA

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD437

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD437

描述

·带

TO- 3封装

高

电压

·快速

开关速度

应用

For

开关稳压器和电源

扩增fi er应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

T

T

j

T

英镑

固电

IN

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

ES

昂

CH

参数

导½

半

发射极开路

ON

MIC

E

条件

OR

DUT

价值

600

350

6

10

15

单位

V

V

V

A

A

W

℃

℃

开基

集电极开路

T

C

=25℃

80

150

-65~150

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

V

CB

=600V;I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

民

350

6

典型值。

2SD437

最大

单位

V

V

1.5

3.0

1.4

1.8

0.1

V

V

V

V

mA

mA

固电

IN

直流电流增益

直流电流增益

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

15

50

10

0.1

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD437

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD437

描述

·采用TO-3封装

·高电压

·快速开关速度

应用

·对于开关稳压器和电源

扩增fi er应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

600

350

6

10

15

80

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

I

C

= 5 A;我

B

=1 A

I

C

= 8 A;我

B

=2.5 A

V

CB

=600V;I

E

=0

V

EB

= 6V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

15

10

民

350

6

2SD437

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BEsat-1

V

BEsat-2

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

典型值。

最大

单位

V

V

1.5

3.0

1.4

1.8

0.1

0.1

50

V

V

V

V

mA

mA

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD437

图2外形尺寸

3

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