2N5060系列
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为大批量消费类环形PNPN设备
应用，如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，栅极
驱动较大的晶闸管，以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料TO-92 / TO- 226AA封装该
很容易适应于自动插入设备中使用。
特点
http://onsemi.com
可控硅
整流器
0.8 A RMS ， 30 - 200 V
敏感的门极触发电流 - 200
mA
最大
低反向和正向阻断电流 - 50
mA
最大，
T
C
= 110°C
低保持电流 - 5毫安最大
表面钝化可靠性和一致性
器件标识：设备类型，如2N5060 ，日期代码
无铅包可用*
G
A
K
记号
图
2N
50xx
YWW
1
2
3
TO92
CASE 29
10风格
50xx
Y
WW
具体设备守则
=年
=工作周
引脚分配
1
2
3
阴极
门
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 启示录7
出版订单号：
2N5060/D
2N5060系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
2N5060
2N5061
2N5062
2N5064
通态电流有效值（ 180 °导通角;吨
C
= 80°C)
*平均通态电流
（180 °导通角）
(T
C
= 67°C)
(T
C
= 102°C)
*峰值不重复浪涌电流，
T
A
= 25°C
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
*平均通态电流
（180 °导通角）
(T
C
= 67°C)
(T
C
= 102°C)
*正向峰值功率门控（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*正向平均栅极电源（T
A
= 25 ℃， t为8.3毫秒）
*正向栅极峰值电流（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*反向峰值栅极电压（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*工作结温范围
*存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
30
60
100
200
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
0.51
0.255
I
TSM
10
A
0.8
A
A
价值
单位
V
I
2
t
I
T（ AV ）
0.4
A
2
s
A
0.51
0.255
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
RGM
T
J
T
英镑
0.1
0.01
1.0
5.0
-40到+110
-40到+150
W
W
A
V
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
热特性
特征
*热阻，结到外壳（注2 ）
热阻，结到环境
*无铅焊锡温度（引线长度
q
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
75
200
+230*
单位
° C / W
° C / W
°C
2.这种测量方法是通过一个金属夹具通过的装置制成与壳体安装“平面向下”上一个散热片，并在适当的位置保持
弯曲的表面。
*表示JEDEC注册的数据。
http://onsemi.com
2
2N5060系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
*峰值重复正向或反向阻断电流（注3 ）
T
C
= 25°C
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
)
T
C
= 110°C
基本特征
*峰值正向通态电压（注4 ）
(I
TM
= 1.2 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流（连续DC ） （注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续DC ） （注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
*门非触发电压
(V
AK
=额定V
DRM
, R
L
= 100
W)
T
C
= 110°C
保持电流（注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，启动电流= 20 mA）的
开启时间
延迟时间
上升时间
(I
GT
= 1.0毫安， V
D
=额定V
DRM
,
正向电流为1.0 A， di / dt的= 6.0 A / MS
打开-O FF时间
（正向电流= 1.0的脉冲，
脉冲宽度= 50
女士，
0.1％的占空比，的di / dt = 6.0 A / MS ，
的dv / dt = 20 V / ms的，我
GT
= 1 mA）的
动态特性
断态电压临界上升率
（额定V
DRM
，指数）
3. R
GK
= 1000
W
被包括在测量。
4.正向电流申请1 ms的最长期限，占空比
p
1%.
5. R
GK
当前不包含在测量。
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的
30
V / ms的
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
GT
V
GD
0.1
I
H
3.0
0.2
5.0
10
mA
ms
t
d
t
r
V
TM
I
GT
200
350
0.8
1.2
V
V
1.7
V
mA
I
DRM
, I
RRM
10
50
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
t
q
ms
2N5060, 2N5061
2N5062, 2N5064
10
30
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
http://onsemi.com
3
2N5060系列
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为大批量消费类环形PNPN设备
应用，如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，栅极
驱动较大的晶闸管，以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料TO-92 / TO- 226AA封装该
很容易适应于自动插入设备中使用。
特点
http://onsemi.com
可控硅
整流器
0.8 A RMS ， 30 - 200 V
敏感的门极触发电流 - 200
mA
最大
低反向和正向阻断电流 - 50
mA
最大，
T
C
= 110°C
低保持电流 - 5毫安最大
表面钝化可靠性和一致性
器件标识：设备类型，如2N5060 ，日期代码
无铅包可用*
G
A
K
记号
图
2N
50xx
YWW
1
2
3
TO92
CASE 29
10风格
50xx
Y
WW
具体设备守则
=年
=工作周
引脚分配
1
2
3
阴极
门
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 启示录7
出版订单号：
2N5060/D
2N5060系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
2N5060
2N5061
2N5062
2N5064
通态电流有效值（ 180 °导通角;吨
C
= 80°C)
*平均通态电流
（180 °导通角）
(T
C
= 67°C)
(T
C
= 102°C)
*峰值不重复浪涌电流，
T
A
= 25°C
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
*平均通态电流
（180 °导通角）
(T
C
= 67°C)
(T
C
= 102°C)
*正向峰值功率门控（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*正向平均栅极电源（T
A
= 25 ℃， t为8.3毫秒）
*正向栅极峰值电流（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*反向峰值栅极电压（脉冲宽度
v
1.0
毫秒;
T
A
= 25°C)
*工作结温范围
*存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
30
60
100
200
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
0.51
0.255
I
TSM
10
A
0.8
A
A
价值
单位
V
I
2
t
I
T（ AV ）
0.4
A
2
s
A
0.51
0.255
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
RGM
T
J
T
英镑
0.1
0.01
1.0
5.0
-40到+110
-40到+150
W
W
A
V
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
热特性
特征
*热阻，结到外壳（注2 ）
热阻，结到环境
*无铅焊锡温度（引线长度
q
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
75
200
+230*
单位
° C / W
° C / W
°C
2.这种测量方法是通过一个金属夹具通过的装置制成与壳体安装“平面向下”上一个散热片，并在适当的位置保持
弯曲的表面。
*表示JEDEC注册的数据。
http://onsemi.com
2
2N5060系列
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
*峰值重复正向或反向阻断电流（注3 ）
T
C
= 25°C
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
)
T
C
= 110°C
基本特征
*峰值正向通态电压（注4 ）
(I
TM
= 1.2 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流（连续DC ） （注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续DC ） （注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
*门非触发电压
(V
AK
=额定V
DRM
, R
L
= 100
W)
T
C
= 110°C
保持电流（注5 ）
*(V
AK
= 7.0伏，启动电流= 20 mA）的
开启时间
延迟时间
上升时间
(I
GT
= 1.0毫安， V
D
=额定V
DRM
,
正向电流为1.0 A， di / dt的= 6.0 A / MS
打开-O FF时间
（正向电流= 1.0的脉冲，
脉冲宽度= 50
女士，
0.1％的占空比，的di / dt = 6.0 A / MS ，
的dv / dt = 20 V / ms的，我
GT
= 1 mA）的
动态特性
断态电压临界上升率
（额定V
DRM
，指数）
3. R
GK
= 1000
W
被包括在测量。
4.正向电流申请1 ms的最长期限，占空比
p
1%.
5. R
GK
当前不包含在测量。
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的
30
V / ms的
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
GT
V
GD
0.1
I
H
3.0
0.2
5.0
10
mA
ms
t
d
t
r
V
TM
I
GT
200
350
0.8
1.2
V
V
1.7
V
mA
I
DRM
, I
RRM
10
50
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
t
q
ms
2N5060, 2N5061
2N5062, 2N5064
10
30
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
http://onsemi.com
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QQ：2880707522 复制
