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A
A
A
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD634
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 2000 (最小) @I
C
= 3.0A
ULOW
饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 1.5V (最大值) @我
C
= 3.0A
.Complement
到类型2SB674
应用
高
电源开关应用。
·哈默
驱动器,脉冲电机驱动应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
80
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
80
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
I
B
B
集电极电流连续
7
A
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
0.2
A
P
C
40
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD634
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
80
V
V
CE(
SAT
)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 6毫安
B
1.5
V
V
CE(
SAT
)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 14毫安
B
2.0
V
V
BE (
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 6毫安
B
2.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80V ;我
E
= 0
100
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
3.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 3V
2000
15000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 7A ; V
CE
= 3V
1000
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
B1
= -I
B2
= 6毫安;
L
= 15Ω;
V
CC
= 45V;
P
W
= 20μS ,职务Cycle≤1 %
0.8
t
英镑
贮存时间
3.0
μs
t
f
下降时间
2.5
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD634
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 2000 (最小) @I
C
= 3.0A
ULOW
饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 1.5V (最大值) @我
C
= 3.0A
.Complement
到类型2SB674
应用
高
电源开关应用。
·哈默
驱动器,脉冲电机驱动应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
w
.CN
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cs
。是
w
w
价值
单位
80
V
80
V
5
V
7
A
0.2
A
40
W
℃
℃
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
I
B
B
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD634
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
80
V
V
CE(
SAT
)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 6毫安
B
1.5
V
V
CE(
SAT
)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 14毫安
B
2.0
V
V
BE (
SAT
)
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 6毫安
B
2.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80V ;我
E
= 0
100
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
开关时间
t
on
开启时间
t
英镑
贮存时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 3A ; V
CE
= 3V
2000
I
C
= 7A ; V
CE
= 3V
1000
I
B1
= -I
B2
= 6毫安;
L
= 15Ω;
V
CC
= 45V;
P
W
= 20μS ,职务Cycle≤1 %
3.0
mA
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