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2SK1934
硅N沟道MOS FET
REJ03G0985-0200
（上一个： ADE- 208-1333 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
无二次击穿
适用于开关稳压器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
3
1
2
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1934
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
PCH *
总胆固醇
2
1
评级
1000
±30
8
24
8
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
TSTG
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向
恢复时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
1000
±30
—
—
2.0
—
4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.2
6
2690
920
375
35
135
300
205
0.9
1600
最大
—
—
±10
250
3.0
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 800 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V*
I
D
= 4 A，V
DS
= 20 V*
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
3
3
I
F
= 8 A，V
GS
= 0
I
F
= 8 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1934
主要特点
功率与温度降额
200
最高安全工作区
50
30
通道耗散P沟（W）的
s
s
s
0
10
10
1 m
漏电流I
D
(A)
150
10
3
1
0.3
0.1
O
I S PE
升I M RA
ITE化
d。在
经t
喜s
DS
a
(o
REA
n)
PW
DC
m
c=
(T
10
n
=
TIO
ra
pe
O
100
s
(1
o
sh
t)
50
)
°
C
25
TA = 25°C
3
10
30
100
0
50
100
150
200
0.05
1
300 1000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
10 V
8V
脉冲测试
8
5V
6
4
4V
2
V
GS
= 3.5 V
10
20
30
40
50
10
8
6
4
2
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
V
DS
= 20 V
TC = 25
°
C
75 C
–25 C
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
20
10
5
2
V
GS
= 10 V
1
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
脉冲测试
脉冲测试
0.8
0.6
0.4
2A
0.2
I
D
= 1 A
4
8
12
16
20
5A
0
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1934
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
5
4
3
2
1
0
–40
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
脉冲测试
脉冲测试
V
DS
= 20 V
TC = 25°C
–25°C
I
D
= 5 A
2A
1A
75
°
C
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
5000
10000
的di / dt = 100 A /
S，V
GS
= 0
TA = 25
°
C
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
2000
1000
500
200
100
50
0.2
西塞
1000
科斯
CRSS
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0.5
1
2
5
10
20
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
1000
800
600
400
200
开关特性
20
16
12
8
4
0
200
V
GS
V
DD
= 250 V
400 V
600 V
V
DS
I
D
= 8 A
500
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
tf
TD （关闭）
开关时间t（ NS ）
tr
TD （上）
V
DD
= 250 V
400 V
600 V
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
0
40
80
120
160
0.5
1
2
5
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1934
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
8
6
4
2
V
GS
= 10 V
0, –5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
1.0
T
C
= 25°C
0.05
0.02
e
0.01
吨普尔斯
ho
1S
θch -C
(t) =
γ
S
(t) ·
θch -C
θch -C
= 0.83 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
D = PW
T
0.03
0.01
10
T
1m
10 m
100 m
100
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T.
R
L
VOUT
VIN
10 V
50
V
DD
.
= 30 V
.
t
D（上）
VIN
10%
10%
波形
90%
10%
90%
t
D（关闭）
t
f
90%
t
r
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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