【数据表硅功率晶体管2SC4550NPN硅外延型晶体管对于高速切换该2SC4550是用于高速开发了功率】,IC型号2SC4550K,2SC4550K PDF资料,2SC4550K经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

硅功率晶体管

2SC4550

NPN硅外延型晶体管

对于高速切换

该2SC4550是用于高速开发了功率晶体管

开关和功能的低V

CE （ SAT ）

高

FE

。此晶体管是

适合用于驱动诸如DC / DC转换器和致动器的使用。

另外，一个小的树脂模制绝缘型包

有利于高密度安装，并降低安装的

成本。

封装图（单位：mm ）

特点

高

FE

低V

CE （ SAT ）

:

h

FE

≥

100 (V

CE

= 2 V，I

C

= 1.5 A)

V

CE （ SAT ）

≤

0.3 V（I

C

= 4 A，I

B

= 0.2 A)

模具包，不需要绝缘板或

绝缘套管

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

°

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C（ DC ）

I

C（脉冲）

*

I

B（ DC ）

P

T

（ TC = 25 ° C）

P

T

（ TA = 25°C ）

T

j

T

英镑

评级

100

60

7.0

7.0

14

3.5

30

2.0

150

55

+150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

电极连接

1.基地

2.收集

3.辐射源

* PW

≤

300

S，占空比

≤

10%

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D15596EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月 CP （ K）

日本印刷

2002

1998

2SC4550

电气特性（Ta = 25 ° C）

°

参数

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CEX （ SUS）的

条件

I

C

= 4.0 A，I

B

= 0.4 A，L = 1毫亨

I

C

= 4.0 A，I

B1

=

I

B2

= 0.4 A,

V

BE （OFF）的

=

1.5

V，L = 180

H，钳位

V

CB

= 60 V，I

E

= 0

V

CE

= 60 V ，R

BE

= 50

,

TA = 125°C

V

CE

= 60 V, V

BE （OFF）的

=

1.5

V

V

CE

= 60 V, V

BE （OFF）的

=

1.5

V,

TA = 125°C

V

EB

= 5.0 V，I

C

= 0

V

CE

= 2.0 V，I

C

= 0.7 A

V

CE

= 2.0 V，I

C

= 1.5 A

V

CE

= 2.0 V，I

C

= 4.0 A

I

C

= 4.0 A，I

B

= 0.2 A

I

C

= 6.0 A，I

B

= 0.3 A

I

C

= 4.0 A，I

B

= 0.2 A

I

C

= 6.0 A，I

B

= 0.3 A

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0 A

I

C

= 4.0 A，R

L

= 12.5

,

I

B1

=

I

B2

= 0.2 A，V

CC

50 V

参考测试电路。

下降时间

t

f

0.1

0.3

100

150

0.1

1.0

0.3

1.5

100

100

60

0.3

0.5

1.2

1.5

V

V

V

V

pF

兆赫

200

400

分钟。

60

60

典型值。

马克斯。

单位

V

V

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

I

CER

I

CEX1

I

CEX2

10

1.0

10

1.0

A

mA

A

mA

发射Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

集电极饱和电压

集电极饱和电压

基本饱和电压

基本饱和电压

集电极电容

增益带宽积

开启时间

贮存时间

I

EBO

h

FE1

*

h

FE2

*

h

FE3

*

V

CE(sat)1

*

V

CE(sat)2

*

V

BE(sat)1

*

V

BE(sat)2

*

C

ob

f

T

t

on

t

英镑

10

A

s

s

s

*脉冲试验PW

≤

350

S，占空比

≤

2%

h

FE

分类

记号

h

FE2

M

100至200

L

150至300

K

200至400

切换时间（T

on

, t

英镑

, t

f

）测试电路

基极电流

波形

集电极电流

波形

2

数据表D15596EJ2V0DS

2SC4550

典型特性（ TA = 25 ° C）

°

总功耗P

T

(W)

案例温度T

C

(°C)

案例温度T

C

(°C)

6LQJOH SXOVH

集电极电流I

C

(A)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

I

C

降额的dT （％）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

瞬态热阻R

日（J -C ）

（ ° C / W）

无需散热器

具有无穷散热器

脉冲宽度PW （S ）

数据表D15596EJ2V0DS

3

4

％ DVH 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

％（？ VDW

9

&ROOHFWRU 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

& （？ VDW

9

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

9

* DLQ ％ DQGZLGWK 3URGXFW我

7

0+]

3XOVH WHVW

&ROOHFWRU &DSDFLWDQFH &

RE

S)

&ROOHFWRU WR ％ DVH 9ROWDJH 9

& ％

9

数据表D15596EJ2V0DS

） DOOW

I

V

6WRUDJH7LPH W

VWJ

V

7XUQ ？ 2QW

RQ

V

“ & &XUUHQW * DLQ

)(

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

$

3XOVH WHVW

2SC4550

2SC4550

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