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功率晶体管
2SD2528
NPN硅外延平面型
单位:mm
对于功放的高正向电流传输比
I
特点
高正向电流传输比H
FE
正向电流传输比H良好的线性
FE
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
等级
80
60
6
10
5
1
40
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
0.55
±0.15
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220D套餐
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
*
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE
P
Q
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 25 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 4 V,I
C
= 1 A
I
C
= 4 A,I
B
= 0.1 A
V
CE
= 12 V,I
C
= 0.4 A, F = 10 MHz的
I
C
= 4 A,I
B1
= 0.08 A,I
B2
=
0.08 A,
V
CC
= 50 V
30
0.4
2.0
0.6
60
500
2 000
0.3
V
兆赫
s
s
s
典型值
最大
100
100
单位
A
A
V
800 2 000 500到1 200
1
2SD2528
P
C
T
a
50
功率晶体管
I
C
V
CE
T
C
=25C
7
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
40
(1)
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
8
6
5
4
3
2
1mA
1
0
I
B
=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1
30
10
–1
20
10
(2)
(3)
(4)
10
–2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
2
4
6
8
10
12
10
–3
10
–1
1
10
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
10
2
10
4
I
C
/I
B
=50
h
FE
I
C
300
f
T
I
C
V
CE
=12V
f=10MHz
T
C
=25C
100
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
正向电流传输比H
FE
10
10
3
过渡频率f
T
(兆赫)
10
–1
1
10
1
30
10
2
10
–1
10
10
–2
10
–1
1
10
10
10
–2
3
0.003 0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=50 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
英镑
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
t
f
t
on
30
安全操作区( ASO )
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
集电极电流I
C
(A)
10
I
CP
t=1ms
I
C
10ms
3
1s
1
0.3
0.1
非重复脉冲
T
C
=25C
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因,本资料中的任何信息,如可用的
产品类型,技术参数等,如有更改,恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
在开始之前,精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性,但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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