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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
·快速
开关速度
应用
●颜色
电视机行输出的应用
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
价值
1200
800
7
单位
V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
I
BM
P
T
T
J
T
英镑
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
V
3
A
6
A
1
A
2
80
150
-55~150
A
W
℃
℃
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
在额定电压
在额定电压
在额定电压
民
800
2SC4235
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
100
100
100
V
V
μA
μA
μA
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5V
8
7
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V
I
C
= 1.5A ，我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
R
L
= 170Ω; V
BB2
= 4V
8
兆赫
0.5
3.5
0.3
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
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4
新电元
开关功率晶体管
HFX系列
(T3W80HFX)
3A NPN
2SC4235
外形尺寸
案例： MTO -3P
单位：mm
评级
“绝对
最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
器
条件
TC = 25 ？
(Recommended torque : 0.5N½m)
评级
-55½150
150
1200
800
7
3
6
1
2
80
0.8
评级
800分钟
最大0.1
最大0.1
最大0.1
8分钟
7分钟
最大
1.0
最大
1.5
最大
1.56
TYP 8
最大0.5
MAX 3.5
最大0.3
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
W
N½m
ⅵELECTRICAL
特性（TC = 25 ??）
项
符号
集电极到发射极耐受电压
V
首席执行官
（ SUS）的
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
h
FEL
集电极到发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基地发射极饱和电压
V
BE
（SAT）
热阻
θJC
跃迁频率
f
T
启动时间
吨
贮存时间
ts
下降时间
tf
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
条件
I
C
= 0.1A
在额定电压
在额定电压
V
CE
= 5V ，我
C
=
1.5A
V
CE
= 5V ，我
C
=
1mA
I
C
=
1.5A
I
B
= 0.3A
结到外壳
V
CE
=
10V,
I
C
= 0.3A
I
C
=
1.5A
I
B1
= 0.3A ，我
B2
= 0.6A
R
L
=
170Ω,
V
BB2
= 4V
单位
V
mA
mA
V
V
℃/W
兆赫
μs
2SC4235
h
FE
- I
C
V
CE
= 5V
100
TC = 150℃
100°C
50°C
25°C
10
0°C
25°C
直流电流增益
FE
55°C
1
0.001
0.01
0.1
1
6
集电极电流I
C
[A]
2SC4235
饱和电压
3
0.75A
1.5A
3.0A
4.5A
2.5
3
I
C
= 0.3A
2.5
2
2
1.5
4.5A
3.0A
1.5
1
0.75A
1.5A
集电极 - 发射极电压V
CE
[V]
0.5
I
C
= 0.3A
0.5
TC = 25°C
0
0.1
1
2
0
0.01
基极电流I
B
[A]
基极 - 发射极电压V
BE
[V]
1
2SC4235
10
切换时间 - 我
C
t
s
1
开关时间t
SW
[s]
t
on
0.1
t
f
I
B1
= 0.2I
C
I
B2
= 0.4I
C
V
BB2
= 4V
V
CC
= 250V
TC = 25°C
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
集电极电流I
C
[A]
2SC4235
10
切换时间 - V
CC
t
s
1
t
on
开关时间t
SW
[s]
t
f
0.1
I
C
= 1.5A
I
B1
= 0.3A
I
B2
= 0.6A
V
BB2
= 4V
TC = 25°C
0.01
0
50
100
150
200
250
300
集电极电压V
CC
[V]
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
·快速
开关速度
应用
●颜色
电视机行输出的应用
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1200
800
7
3
6
1
2
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
T
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.56
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.3A
在额定电压
在额定电压
在额定电压
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V
8
7
8
民
800
2SC4235
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
100
100
100
V
V
μA
μA
μA
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.5A ，我
B1
= 0.3A ;我
B2
= -0.6A
R
L
= 170Ω; V
BB2
= 4V
0.5
3.5
0.3
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4235
ISC的网站： www.iscsemi.cn
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4235
描述
·采用TO- 247封装
·开关功率晶体管
·高击穿电压
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 247 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1200
800
7
3
6
1
2
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4235
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
在额定电压
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
在额定电压
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.3A ; V
CE
=10V
8
7
8
兆赫
0.1
mA
0.1
mA
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
民
800
1.0
1.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=1.5A
I
B1
= 0.3A ;我
B2
=0.6A
V
BB2
= 4V ，R
L
=170C
0.5
3.5
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4235
图2外形尺寸
3
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推荐型号
25C160
2SK3057
25PK680M10X125
259638
206DLR2R3K
26-60-2170
252B104A60NB
2SD2528Q
259285
247MN-0335Z
22226024449
25CTQ045STRRPBF
227LBA500M2DG
2-1761606-3
20020004-C031B01LF
2SB1121S-TD-E
20KP280A
27HC641-45/J
2SC3617
24LC21-ISN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4235
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市集创讯科技有限公司
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2SC4235
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2SC4235
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2SC4235
SHINDENGEN/新电元
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深圳市诺洋电子科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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SHINDENG
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深圳德田科技有限公司
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联系人：李小姐
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TOS
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SC4235
SHINDENGEN/新电元
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32570
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电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
2SC4235
SHINDENG
25+23+
15556
TO-3P
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
2SC4235
SHINDENG
21+
29000
TO-247
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深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！