25C080/160
8K / 16K 5.0V SPI
总线串行EEPROM
特点
SPI模式0,0和1,1
3 MHz的时钟速率
单5V电源
低功耗CMOS技术
- 最大写入电流5mA
- 读电流： 1.0毫安
- 待机电流： 1
一个典型的
组织
- 1024× 8 25C080
- 2048× 8 25C160
16字节页
自定时擦除和写入周期
顺序读取
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内建写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写锁存器
- 写保护引脚
高可靠性
- 耐力： 1000万次（保证）
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000 V
8引脚PDIP / SOIC封装
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
- 工业级（I ） ：
-40
°
C至+ 85
°
C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP
CS
SO
WP
V
SS
1
25C080/160
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25C080/160
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
2
3
4
框图
状态
注册
高压发生器
描述
Microchip Technology Inc.的25C080 / 160顷和8K
16K位串行电可擦除PROM中。该MEM-
储器是通过一个简单的串行外设接口访问
（SPI）兼容的串行总线。所需的总线信号
有一个时钟输入端（SCK） ，独立的数据中（SI）和
数据输出（SO ）线。对设备的访问控制
通过片选（ CS ）输入，允许任何数量
设备共享相同的总线。
还有其他两个输入，提供最终用户
额外的灵活性。通信设备
可以通过保持引脚（ HOLD）暂停。而
设备被暂停，在输入信号的变化将是
忽略，除芯片的选择，从而允许
主机优先级更高的中断。还写
操作状态寄存器可以通过禁用
写保护引脚（ WP ） 。
WP
SI
SO
CS
SCK
HOLD
感测放大器。
R / W控制
Y译码
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
页锁存器
ARRAY
VCC
VSS
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
DS21147F第1页
25C080/160
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
图1-1：
AC测试电路
VCC
V
CC
........................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......- 0.6V至V
CC
+1.0V
储存温度.............................- 65 150C
下偏压...........- 65C环境温度至125℃
引线焊接温度（ 10秒） ... + 300°C
所有引脚的ESD保护......................................为4kV
*超出上述“最大额定值” 5月上市
对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该装置的那些或任何只和功能操作
上述其他条件，在操作列表 - 表示
本规范的英格斯是不是暗示。暴露于最高
额定条件下，时间会影响器件的长期
可靠性
2.25 K
SO
1.8 K
100 pF的
1.2
AC测试条件
AC波形：
V
LO
= 0.2V
V
HI
= VCC - 0.2V
V
HI
= 4.0V
（注1 ）
（注2 ）
表1-1：
名字
CS
SO
SI
SCK
WP
V
SS
V
CC
HOLD
引脚功能表
功能
片选输入
串行数据输出
串行数据输入
串行时钟输入
写保护引脚
地
电源电压
HOLD输入
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：对于V
CC
≤
4.0V
2 ：对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
0.5 V
CC
0.5 V
CC
表1-2：
DC特性
可适用于如下图所示，除非另有说明推荐工作范围。
V
CC
= 4.5V至5.5V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0
°
C至+70
°
C
工业级（I ） ：
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
汽车（ E） ：环境温度Tamb = -40°C至+ 125°C
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
内部电容
（所有输入和输出）
工作电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
ICC写
I
CC
读
民
2.0
-0.3
—
V
CC
-0.5
-10
-10
—
最大
V
CC
+1
0.8
0.4
—
10
10
7
单位
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
A
测试条件
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=-400
A
CS = V
IH
, V
IN
= VSS到V
CC
CS = V
IH
, V
OUT
= VSS到V
CC
TAMB = 25 ，女
CLK
= 3.0 MHz时，
V
CC
= 5.5V （注）
V
CC
=5.5V
V
CC
= 5.5V ; 3兆赫
V
CC
= 5.5V ; 2兆赫
CS = V
CC
= 5.5V ; VIN = 0V或V
CC
—
5
—
1
—
500
ICC
读
待机电流
I
CCS
—
5
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21147F第2页
初步
1996年Microchip的科技公司
25C080/160
表1-3：
AC特性
可适用于如下图所示，除非另有说明推荐工作范围。
V
CC
= 4.5V至5.5V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0
°
+70
°
C
工业级（I ） ：
TAMB = -40
°
+85
°
C
汽车（ E） ：环境温度Tamb = -40°C至+ 125°C
符号
f
SCK
t
CSS
t
CSH
t
惩教署
t
SU
t
HD
t
R
t
F
t
HI
t
LO
t
CLD
t
V
t
HO
t
DIS
t
HS
t
HH
t
HZ
t
HV
t
WC
—
参数
时钟频率
CS建立时间
CS保持时间
CS禁用时间
数据建立时间
数据保持时间
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟延迟时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD低到输出高阻
高举到输出有效
内部写周期时间
耐力
民
—
100
100
250
30
50
—
—
150
150
50
—
0
—
100
100
100
100
—
10M
最大
3
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
150
—
200
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
测试条件
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注2 ）
东/西环25 ° C， VCC = 5.0V ，块模式
（注3）
注1：此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2: t
WC
开始于CS的后一次有效的写序列上升沿和结束时的内部自定时写
循环完成。
3：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
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初步
1996年Microchip的科技公司
25C080/160
2.0
操作原理
在25C080 / 160是一个二千○四十八分之一千○二十四字节型EEPROM
被设计为与串行外围设备直接连接
当今许多流行的微型接口（ SPI ）端口
控制器系列，包括Microchip的中端
PIC16CXX单片机。它也可能与接口
不通过具有内置的SPI端口的微控制器
使用带软正确编程离散I / O线
洁具。
在25C080 / 160包含一个8位指令寄存器。
该部分是通过SI引脚访问，数据是
在SCK时钟信号的上升沿。 CS引脚必须
是低的，锁定销必须高为整个
操作。如果在状态寄存器中的WPEN位被置位，
WP引脚必须保持为高以允许写入非
挥发性位在状态寄存器中。
表2-1列出了可能的指令字节名单
和格式的设备操作。所有的指令，
地址和数据传输MSB科幻RST ，低位在后。
采样数据在SCK的CS后的第一个科幻上升沿
变低。如果时钟线与其他外围设备共享
SPI总线上的设备中，用户可将HOLD
输入并放置在“ HOLD ”模式的25C080 / 160 。后
释放HOLD引脚，操作将从恢复
当HOLD有人断言点。
国家无论WREN或WRDI命令
对写保护的状态寄存器。该位是只读
只。
该
块保护（ BP0和BP1 ）
位指示
哪些块当前写保护状态。这些位
通过发出WRSR指令用户设置。
这些位是非易失性的。
该
写保护使能（ WPEN ）
位是一个非易失
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护（ WP）引脚和写保护启用
（ WPEN ）中的状态位寄存器控制编程
梅布尔硬件写保护功能。硬件写
保护被启用时， WP引脚为低电平，
WPEN位为高。硬件写保护被禁用
当任的WP引脚为高电平或WPEN位为低。
当芯片被硬件写保护时，只有写入
到非易失性位在状态寄存器中被禁用。
请参阅表2-2为功能上的WPEN矩阵
位图2-1表2-2的FL owchart 。看
图3-5为RDSR时序。
表2-1：
指令集
2.1
写使能（ WREN）和写
禁用（ WRDI ）
在25C080 / 160包含一个写使能锁存器。这
锁存器必须设置之前的任何写操作会
在内部完成。 WREN指令将设置
锁存器，以及WRDI将复位锁存器。以下是
的条件列表下，写使能锁存器
将被复位：
上电
WRDI指令成功执行
WRSR指令成功执行
写指令成功执行
指令指令
描述
名字
格式
雷恩
0000 0110将写使能锁存器
（使能写操作）
WRDI
0000 0100复位写使能
锁存器（禁止写操作
系统蒸发散）
RDSR
0000 0101读状态寄存器
WRSR
0000 0001写状态寄存器（写
能保护和块
写保护位）
读
从内存0000 0011读取数据
数组起始于
所选地址
写
0000 0010将数据写入存储器
数组起始于
所选地址
2.2
读状态寄存器（ RDSR ）
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下：
7
WPEN
6 5 4
X X X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
该
写在制品（WIP ）
位指示是否
25C080 / 160正忙于一个写操作。当设置为
一个“1”的写入过程中，当设置为“0”没有写入是
进行中。该位是只读的。
该
写使能锁存器（ WEL ）
位指示状态
写使能锁存器。当设置为“1”的锁
允许写入阵列和状态寄存器，设置时
到一个“0”锁存器禁止写入阵列和状态
注册。该位的状态总是可以通过更新
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21147F第5页
不建议用于新设计 -
请使用25AA160A / B或25LC160A / B 。
25AA160/25LC160/25C160
16K SPI
总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA160
25LC160
25C160
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3兆赫
温度
范围
I
I
I，E
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA160 / 25LC160 /
25C160 （ 25XX160
*
）是16千位串行电
可擦除PROM中。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口 （ SPI ） compati-
BLE串行总线。所需的总线信号的时钟
在（ SI ）输入（ SCK ） ，独立的数据和数据输出
（ SO ）线。对设备的访问是通过一个控制
片选（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
产品特点：
低功耗CMOS技术：
- 写电流：3 mA（最大值）
- 读电流： 500
A
典型
- 待机电流： 500 nA的典型
2048 ×8位的组织
16字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性：
- 耐力： 1 M周
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP和SOIC封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
- 汽车（ E） （ 25C160 ） ：
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX160
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
框图
状态
注册
高压发生器
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
* 25XX160使用本文档中作为一个通用的零件号
为25AA160 / 25LC160 / 25C160设备
.
SPI 是摩托罗拉公司的商标。
.
V
CC
V
SS
Y译码
感测放大器。
R / W控制
2004年Microchip的科技公司
DS21231D第1页
25AA160/25LC160/25C160
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
引线焊接温度（ 10秒） .......................................................................................................+300°C
所有引脚的ESD保护......................................................................................................................................... 4 KV
注：上述“绝对最大值”，可能对器件造成永久性损坏。这
是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件超过上述表示
本规范的运作上市，是不是暗示。暴露在极限条件下的扩展
一段时间内可能会影响器件的可靠性。
1.1
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C160只）
分钟。
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
-10
-10
—
马克斯。
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
0.2
—
10
10
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
V
CC
≥
2.7V
（注）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
符号。
V
IH1
V
IH2
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低-level输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
工作电流
D11
I
CC
读
—
—
1
500
mA
A
D12
D13
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
5
3
5
1
mA
mA
A
A
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21231D第2页
2004年Microchip的科技公司
25AA160/25LC160/25C160
1.2
AC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
时钟频率
分钟。
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
时钟
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V （ 25C160只）
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
—
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至4.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至2.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 1.8V至2.5V
—
（注2 ）
AC特性
参数。
号
1
符号。
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到高输出
Z
高举到输出有效
19
T
HV
20
21
T
WC
—
内部写周期时间
耐力
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于在特定应用中估计耐用性，请
查阅Total Endurance
可从Microchip网站获得型号： www.microchip.com 。
2004年Microchip的科技公司
DS21231D第3页
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