2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
晶体管
功率晶体管（ 160V ， 1.5A ）
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
特点
1）高的击穿电压（ BV
首席执行官
=
160V)
2 ）低集电极输出电容。
（典型值20pF的在V
CB
=
10V)
3）高的过渡频率。 （六
T
=
80MH
Z
)
4 ）补充了2SB1275 / 2SB1236A 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD2211
1.0
1.5
0.4
(1)
4.0
2.5
0.5
3.0
0.5
(3)
1.5
0.4
1.5
4.5
1.6
(2)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本（门）
（ 2 ）集电极（漏极）
（ 3 ）发射极（源）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SD1857A
集热器
动力
耗散
2SD2211
2SD1918
Tj
TSTG
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
160
160
5
1.5
3
1
0.5
2
1
10
150
55 +150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W
W
W
W(Tc=25°C)
°C
°C
2SD1918
0.75
5.5
1.5
(3) (2) (1)
2.3
0.9
0.4
0.65
2.3
1
2
3
0.9
1.0
0.5
0.5
1.5
2.5
9.5
2.3
0.8Min.
5.1
6.5
C0.5
结温
储存温度
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本（门）
（ 2 ）集电极（漏极）
（ 3 ）发射极（源）
1 PW = 200毫秒占空比= 1 /
2
印刷电路板1.7毫米厚，收藏家电镀1厘米
2
或更大
.
3
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板。
2SD1857A
6.8
2.5
0.9
0.65Max.
1.0
0.5
(1) (2) (3)
2.54 2.54
4.4
1.05
14.5
包装规格和h
FE
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位（件）
*
指H
FE
2SD2211
MPT3
QR
DQ *
T100
1000
2SD1918
CPT3
QR
TL
2500
2SD1857A
亚视
PQ
TV2
2500
0.45
大坪规格
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
2SD1857A
f
T
COB
分钟。
160
160
5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
V
条件
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
120V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
1A/0.1A
I
C
/I
B
=
1A/0.1A
V
CE
/I
C
=
5V/0.1A
V
CE
=
5V ，我
E
=
0.1A ，女
=
30MHz
V
CB
=
10V ，我
E
=
0A ，女
=
1MHz
1
1
2
1.5
390
270
基射极饱和电压
直流电流
2SD2211,2SD1918
120
82
传输比
跃迁频率
输出电容
80
20
兆赫
pF
利用脉冲电流测量。
Rev.A的
1/3
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
晶体管
电气特性曲线
1.0
Ta=25°C
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
10
1000
V
CE
=5V
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
0.8
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
A
10m
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
25°C
500
200
100
50
20
10
5
2
5V
V
CE
=10V
0.6
0.4
0.2
I
B
=1m
A
0
0
1
2
3
4
5
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
(A)
图1地面发射极输出特性
图2地面发射的传播特性
图3直流电流增益与集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
盐基饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1000
500
V
CE
=5V
Ta=100°C
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
I
C
/I
B
=20
10
Ta=25°C
10
5
2
1
0.5
V
BE （ SAT ）
0.2
0.1
25°C
V
CE （ SAT ）
0.02 0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
25°C
TA
25°C
100°C
I
C
/I
B
=10
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
25°C
25°C
0.05
0.02
0.01
0.01
5
10
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与集电极电流（
ΙΙ
)
图5集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
基射极饱和电压
集电极输出电容：C
ob
（PF ）
1000
跃迁频率：F
T
（兆赫）
集电极电流：我
C
(A)
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50
Ta=25°C
V
CE
=5V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
Ic
最大
（脉冲
)
Pw
=1
0m
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
00
=1
Pw
s
s
m
100 200
500 1000
20
50
100
2m
1m
推荐地
0.1 0.2 0.5
2
5
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图7增益带宽产品与发射极电流
图8集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
图9安全工作区（ 2SD2211 ）
D
C
10 20
50 100 200
500 1000
Rev.A的
2/3
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
晶体管
10
5
集电极电流：我
C
(A)
Ic
最大
（脉冲
)
=1
Pw
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1 0.2
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
0m
s
Pw
ms
00
=1
C
D
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区（ 2SD1918 ）
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
晶体管
功率晶体管（ 160V ， 1.5A ）
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A
！特点
1）高的击穿电压（ BV
首席执行官
=
160V)
2 ）低集电极输出电容。
（典型值20pF的在V
CB
=
10V)
3）高的过渡频率。 （六
T
=
80MH
Z
)
4 ）补充了2SB1275 / 2SB1236A 。
！外部
尺寸
（单位：毫米）
2SD2211
1.0
1.5
0.4
(1)
4.0
2.5
0.5
3.0
0.5
(3)
1.5
0.4
1.5
4.5
1.6
(2)
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本（门）
（ 2 ）集电极（漏极）
（ 3 ）发射极（源）
！绝对
最大额定值
（ TA = 25°C ）
0.75
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
2SD1857A
集热器
动力
耗散
2SD2211
2SD1918
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
160
160
5
1.5
3
1
2
1
10
150
55 +150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
W
W(Tc=25°C)
°C
°C
1
2
3
1.0
0.5
0.5
2SD1918
5.5
1.5
(3) (2) (1)
2.3
0.9
0.4
0.9
0.65
2.3
P
C
1.5
2.5
9.5
结温
储存温度
Tj
TSTG
2.3
0.8Min.
5.1
6.5
C0.5
1单脉冲Pw = 100毫秒
2
印刷电路板1.7毫米厚，收藏家电镀1厘米
2
或更大
.
3
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板。
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本（门）
（ 2 ）集电极（漏极）
（ 3 ）发射极（源）
2SD1857A
6.8
2.5
！包装
规格和h
FE
0.65Max.
1.0
0.9
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位（件）
*
指H
FE
2SD2211
MPT3
QR
DQ *
T100
1000
2SD1918 2SD1857A
CPT3
Q
TL
2500
亚视
PQ
TV2
2500
(1) (2) (3)
2.54 2.54
0.5
1.05
14.5
4.4
0.45
大坪规格
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
！电
特征
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流
2SD2211,2SD1918
h
FE
2SD1857A
f
T
COB
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
分钟。
160
160
5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
V
V
条件
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
120V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
1A/0.1A
I
C
/I
B
=
1A/0.1A
V
CE
/I
C
=
5V/0.1A
V
CE
=
5V ，我
E
=
0.1A ，女
=
30MHz
V
CB
=
10V ，我
E
=
0A ，女
=
1MHz
1
1
2
1.5
390
270
120
82
传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
80
20
兆赫
pF
SMD型
功率晶体管
2SD2211
晶体管
特点
高击穿电压。 （乙
VCEO
= 160V)
低集电极输出电容。
（典型值20pF的在V
CB
= 10V)
高转换频率（F
T
= 80MHz的）
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 PW = 200毫秒占空比= 1 /
* 2当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
160
160
5
1.5
3
0.5
2*2
150
-55到150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A(Pulse)*1
W
W
www.kexin.com.cn
1
QQ：2881677436 复制
