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功率晶体管
2SC5441 , 2SC5441A
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出
单位:mm
15.5±0.5
4.5
10.0
s
特点
q
q
q
φ3.2±0.1
26.5±0.5
3.0±0.3
高的击穿电压,并且通过使用具有高可靠性
玻璃钝化层
高速开关
安全运行的广域( ASO )
(T
C
=25C)
评级
1500
1500
600
5
20
15
8
100
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
23.4
22.0±0.5
2.0 1.2
18.6±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
5.45±0.3
5.5±0.3
1
2
3
2.0
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TOP- 3E全包套餐
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
2SC5441
2SC5441A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 1000V ,我
E
= 0
V
CB
= 1500V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 7.5A
I
C
= 7.5A ,我
B
= 1.88A
I
C
= 7.5A ,我
B
= 1.88A
V
CE
= 10V ,我
C
= 0.1A , F =为0.5MHz
I
C
= 7.5A ,我
B1
= 1.88A ,我
B2
= –3.76A
3
3.0
0.2
5
典型值
最大
50
1
50
12
3
1.5
V
V
兆赫
s
s
单位
A
mA
A
1
功率晶体管
P
C
- TA
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
250
5000
2SC5441 , 2SC5441A
V
CE ( SAT )
— I
C
100
25C
T
C
=100C
I
C
/I
B
=4
h
FE
— I
C
T
C
=100C
V
CE
=5V
集电极耗散功率P
C
(W)
–25C
200
4000
150
3000
正向电流传输比H
FE
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(P
C
=12W)
( 3 )不带散热片
(P
C
=3.5W)
25C
10
–25C
100
(1)
2000
50
(3)
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1000
0
0.1
1
10
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
环境温度Ta (C )
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
100
I
CP
t=100s
10ms
DC
1
1ms
安全运行方面,横向操作ASO
25
F =路64kHz ,T
C
<90C
安全操作区
对于单脉冲
在时间的过载曲线
开关ON,关闭
通过高电压火花
按住并样子,
在横向操作。
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
10
I
C
20
15
0.1
10
0.01
5
0.001
1
3
10
30
100
300
1000
0
0
500
<1mA
1000
1500
2SC5441
2SC5441A
2000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
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    2SC5441
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    -
    -
    -
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MAT
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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√ 欧美㊣品
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