【2SC5886东芝晶体管NPN硅外延型2SC5886高速Swtching应用DC- DC转换器应用·】,IC型号2SC5886,2SC5886 PDF资料,2SC5886经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC5886

东芝晶体管NPN硅外延型

2SC5886

高速Swtching应用

DC- DC转换器应用

高直流电流增益：H

= 400 1000 （我

= 0.5 A)

低集电极 - 发射极饱和： V

CE （SAT）

= 0.22 V（最大值）

高速开关：吨

= 55 ns（典型值）。

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

25°C

脉冲

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

0.5

150

-55

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-64

2-7J1A

重量：0.58克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压brakedown

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

上升时间

开关时间

贮存时间

下降时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

(1)

(2)

CE （SAT）

BE （SAT）

英镑

测试条件

100 V，I

7 V，I

10毫安，我

2 V，I

0.5 A

2 V，I

1.6 A

1.6 A，I

32毫安

1.6 A，I

32毫安

参见图1电路原理图

24 V ，R

32毫安，我

= -53

民

400

200

典型值。

560

最大

100

1000

0.22

1.10

单位

2002-08-21

2SC5886

输入

占空比

＆ LT ;

产量

图1

记号

开关时间测试电路&时序图

C5886

产品编号

LOT号

批号说明

生产的月份：一月到十二月是由字母A表示为L分别。

制造年份：生产年份的最后一位小数位数

2002-08-21

2SC5886

– V

70毫安

50毫安30毫安

共发射极

20毫安

25°C

30000

10000

5000

3000

1000

500

300

100

0.001 0.003

共发射极

VCE

2 V

– I

(A)

10毫安

集电极电流

5毫安

2毫安

1毫安

直流电流增益

100°C

25°C

-55°C

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极 - 发射极电压

(V)

集电极电流

(A)

CE （SAT）

– I

共发射极

IC / IB

共发射极

IC / IB

BE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0.005

0.003

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

0.5

0.3

25°C

0.1

0.05

0.03

0.01

0.001 0.003

100°C

= -55°C

25°C

100°C

-55°C

0.001

0.001 0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极电流

(A)

集电极电流

(A)

– V

共发射极

VCE

2 V

共发射极

5 TC

25°C

– I

集电极 - 发射极饱和电压

(V)

(A)

0.5

0.3

2.5 A

集电极电流

100°C

-55°C

0.1

0.05

0.03

25°C

0.5

1.5

0.01

0.001

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

基极 - 发射极电压V

(V)

基极电流

(A)

2002-08-21

2SC5886

日（J -C ）

– t

瞬态热阻（ junction-情况下）

日（J -C ）

（ ° C / W）

25℃无限散热器

0.5

0.001

曲线应该被应用

热面积有限。

（单非重复脉冲）

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

脉冲宽度

(s)

安全工作区

100

IC MAX （脉冲）

100

女士*

(A)

IC MAX（连续）

1毫秒*

集电极电流I

0.5

0.3

直流操作

（ TC

25°C)

10毫秒*

0.1

0.05

0.03

单脉冲锝

25°C

曲线必须降低

LINEALY而增大

温度

100毫秒*

最大VCEO

100

0.01

0.1

集电极 - 发射极电压

首席执行官

(V)

2002-08-21

2SC5886

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2002-08-21

2SC5886

东芝晶体管NPN硅外延型

2SC5886

高速Swtching应用

DC- DC转换器应用

高直流电流增益：H

= 400 1000 （我

= 0.5 A)

低集电极 - 发射极饱和： V

CE （SAT）

= 0.22 V（最大值）

高速开关：吨

= 55 ns（典型值）。

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散

结温

存储温度范围

25°C

脉冲

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

英镑

等级

100

0.5

150

-55

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-64

2-7J1A

重量：0.58克（典型值）。

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压brakedown

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

上升时间

开关时间

贮存时间

下降时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

(1)

(2)

CE （SAT）

BE （SAT）

英镑

测试条件

100 V，I

7 V，I

10毫安，我

2 V，I

0.5 A

2 V，I

1.6 A

1.6 A，I

32毫安

1.6 A，I

32毫安

参见图1电路原理图

24 V ，R

32毫安，我

= -53

民

400

200

典型值。

560

最大

100

1000

0.22

1.10

单位

2002-08-21

2SC5886

输入

占空比

＆ LT ;

产量

图1

记号

开关时间测试电路&时序图

C5886

产品编号

LOT号

批号说明

生产的月份：一月到十二月是由字母A表示为L分别。

制造年份：生产年份的最后一位小数位数

2002-08-21

2SC5886

– V

70毫安

50毫安30毫安

共发射极

20毫安

25°C

30000

10000

5000

3000

1000

500

300

100

0.001 0.003

共发射极

VCE

2 V

– I

(A)

10毫安

集电极电流

5毫安

2毫安

1毫安

直流电流增益

100°C

25°C

-55°C

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极 - 发射极电压

(V)

集电极电流

(A)

CE （SAT）

– I

共发射极

IC / IB

共发射极

IC / IB

BE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0.005

0.003

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

0.5

0.3

25°C

0.1

0.05

0.03

0.01

0.001 0.003

100°C

= -55°C

25°C

100°C

-55°C

0.001

0.001 0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极电流

(A)

集电极电流

(A)

– V

共发射极

VCE

2 V

共发射极

5 TC

25°C

– I

集电极 - 发射极饱和电压

(V)

(A)

0.5

0.3

2.5 A

集电极电流

100°C

-55°C

0.1

0.05

0.03

25°C

0.5

1.5

0.01

0.001

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

基极 - 发射极电压V

(V)

基极电流

(A)

2002-08-21

2SC5886

日（J -C ）

– t

瞬态热阻（ junction-情况下）

日（J -C ）

（ ° C / W）

25℃无限散热器

0.5

0.001

曲线应该被应用

热面积有限。

（单非重复脉冲）

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

脉冲宽度

(s)

安全工作区

100

IC MAX （脉冲）

100

女士*

(A)

IC MAX（连续）

1毫秒*

集电极电流I

0.5

0.3

直流操作

（ TC

25°C)

10毫秒*

0.1

0.05

0.03

单脉冲锝

25°C

曲线必须降低

LINEALY而增大

温度

100毫秒*

最大VCEO

100

0.01

0.1

集电极 - 发射极电压

首席执行官

(V)

2002-08-21

2SC5886

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2002-08-21