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SMD型
切换应用程序
2SD2200
晶体管
TO
-
263
+ .1
1 .2 7
-00.1
单位：mm
1.27
+0.2
4.57
-0.2
特点
表面贴装型器件进行以下可能的。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
-0.1
+ .2
8 .7
-00.2
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
+ .2
5 .2 8
-00.2
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+ .2
2 .5 4
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
T
C
= 25
Jumction温度
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
90
80
6
5
9
1.65
30
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
5 .6 0
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
大电流的能力。
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SD2200
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 1A
V
CE
= 2V ，我
C
= 3A
V
CE
= 5V ，我
C
= 1A
晶体管
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
mA
mA
70
30
20
280
兆赫
0.4
V
V
V
V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 3A ，我
B
= 0.3A
V
（ BR ） CBO
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
t
on
90
80
6
0.1
ìs
贮存时间
t
英镑
1.2
ìs
下降时间
t
f
0.4
ìs
h
FE
分类
秩
的hFE
Q
70 140
R
100 200
140
S
280
2
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SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2200
TO
-
263
+ .1
1 .2 7
-00.1
单位：mm
1.27
+0.2
4.57
-0.2
特点
表面贴装型器件进行以下可能的。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
-0.1
+ .2
8 .7
-00.2
+0.1
1.27
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2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+ .2
2 .5 4
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
T
C
= 25
Jumction温度
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
90
80
6
5
9
1.65
30
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
5 .6 0
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
大电流的能力。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2200
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
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= 0
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= 2V ，我
C
= 1A
V
CE
= 2V ，我
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C
= 1A
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20
0.4
90
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6
0.1
兆赫
V
V
V
V
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民
典型值
最大
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单位
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mA
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V
（ BR ） EBO
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t
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t
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1.2
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0.4
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h
FE
分类
秩
的hFE
Q
70 140
R
100 200
140
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2SB0936A
284093-3
2SB564
2SC4806
2SK2787LS
2N5341
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厂家
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全新原装正品/质量有保证
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