2N6400系列
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源;或地方
半波硅栅控，需要固态器件。
玻璃钝化路口中心浇口几何大中华区
参数的一致性和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设低热
性，高散热性和耐用性
阻断电压为800伏特
器件标识：标识，设备类型，如2N6400 ，日期代码
*最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至125℃ ，正弦波
50至60赫兹;门打开）
2N6400
2N6401
2N6402
2N6403
2N6404
2N6405
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 100°C)
平均通态电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 100°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 90°C)
电路熔断（T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
T
C
= 100°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 100°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
T
C
= 100°C)
工作结温范围
存储温度范围
*表示JEDEC注册的数据。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
符号
V
DRM ，
V
RRM
50
100
200
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
16
10
160
145
20
0.5
2.0
-40
+125
-40
+150
A
1
A
A
2
3
x
= 0 ，1，2 ，3，4或5个
YY =年
WW =工作周
价值
单位
伏
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可控硅
16安培RMS
50通800伏
G
A
K
记号
图
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
YY WW
640x
引脚分配
A
2
s
瓦
瓦
A
°C
°C
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
设备
2N6400
2N6401
2N6402
2N6403
2N6404
2N6405
包
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 第2版
出版订单号：
2N6400/D
2N6400系列
最大额定值*
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至125℃ ，正弦波50到60赫兹;门打开）
2N6400
2N6401
2N6402
2N6403
2N6404
2N6405
通态电流有效值（ 180 °导通角;吨
C
= 100°C)
平均通态电流（ 180 °导通角;吨
C
= 100°C)
峰值不重复浪涌电流（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 90°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门控（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 100°C)
正向平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 100°C)
正向栅极峰值电流（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 100°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
50
100
200
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
16
10
160
145
20
0.5
2.0
-40到+125
-40到+150
A
A
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
价值
单位
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
热特性
特征
热阻，结到外壳
最大的铅焊接温度的目的从案例的1/8 ，持续10秒
符号
R
QJC
T
L
最大
1.5
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
*峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM
,
I
RRM
10
2.0
mA
mA
基本特征
*峰值正向通态电压（I
TM
= 32 A峰值，脉宽
≤
1毫秒，占空比
≤
2%)
*门极触发电流（连续直流）
(V
D
= 12伏，R
L
= 100
W)
*门极触发电压（连续直流）
(V
D
= 12伏，R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
GD
I
H
V
TM
I
GT
V
GT
0.2
t
gt
t
q
15
35
0.7
18
1.0
1.5
2.5
40
60
ms
ms
V
mA
9.0
1.7
30
60
V
mA
V
门非触发电压（V
D
= 12伏，R
L
= 100
W),
T
C
= +125°C
*保持电流
T
C
= 25°C
(V
D
= 12 VDC，起爆电流为200 mA时，门打开）
*T
C
= 40°C
开启时间（我
TM
= 16 A，I
GT
= 40 MADC ，V
D
=额定V
DRM
)
关断时间（我
TM
= 16 A，I
R
= 16 A，V
D
=额定V
DRM
)
T
C
= 25°C
T
J
= +125°C
动态特性
爆击率-的高层断态电压（V
D
=额定V
DRM
，指数波形）
T
J
= +125°C
*表示JEDEC注册的数据。
dv / dt的
50
V / ms的
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2
2N6400系列
典型特征
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0 10
20
脉冲宽度（ ms）的
50
100
200
100
I GT ，门极触发电流（mA）
断态电压= 12 V
R
L
= 50
W
T
J
= 40°C
I GT ，门极峰值电流（mA）
10
25°C
125°C
1
40 25
10
5
20
35
50 65
80
T
J
，结温（ ° C）
95
110 125
图6.典型栅极触发电流
与脉冲宽度
图7.典型栅极触发电流
VERSUS结温
VGT ，门极触发电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
100
IH ，保持电流（毫安）
10
1
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图8.典型栅极触发电压
VERSUS结温
图9.典型的保持电流
VERSUS结温
订购信息
设备
2N6400
2N6401
2N6401G
2N6402
2N6403
2N6404
2N6405
2N6405G
包
TO220AB
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
TO220AB
（无铅）
500单位/箱
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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