2SK3219-01MR
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
TO-220F15
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
3.源
2.54
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
符号
漏源电压
V
DS
连续漏电流
I
D
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
栅源电压
V
GS
最大雪崩能量
E
AV * 1
马克斯。功耗TA = 25 ℃， P
D
TC = 25 ℃， P
D
工作和存储
T
ch
温度范围
T
英镑
等级
150
±40
±160
±30
387
2.0
70
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 420μH ， VCC = 24V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=150V
V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 20A V
GS
=10V
I
D
= 20A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=40A
V
GS
=10V
R
GS
=10
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 40A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 40A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
40
0.97
180
1.30
1.46
分钟。
150
2.5
Tch=25°C
Tch=125°C
典型值。
3.0
1
0.1
10
37
25.0
2650
550
240
21
95
115
60
马克斯。
3.5
100
0.5
100
43
3980
830
360
32
142
173
90
单位
V
V
A
mA
nA
m
S
pF
12.5
ns
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.79
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3218-01
特征
功耗
（D）= F（ Tc）的
80
10
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ：单脉冲（D = 0 ） ， TC = 25℃
3
70
t=
1s
2
60
10
10s
特区
50
100s
PD [ W]
ID [ A]
40
10
1
1ms
30
10ms
20
10
0
t
D=
t
T
100ms
10
T
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：为80μs的脉冲测试，锝= 25℃
100
15V
VGS=20V
10V
80
7.0V
6.5V
60
6.0V
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
ID [ A]
5.5V
40
5.0V
20
4.5V
ID [ A]
0
0
1
2
3
4
5
10
1
0.1
0
2
4
6
8
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型正向跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
2
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
0.12
VGS =
4.5V
0.10
5.0V
5.5V
6.0V
10
1
0.08
RDS （上）
]
6.5V
7.0V
0.06
10V
15V
20V
0.04
GFS [S]
10
0
0.02
10
-1
0.00
-1
10
10
0
10
1
10
2
0
20
40
60
80
100
120
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3218-01
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 20A ， VGS = 10V
120
5.0
4.5
100
4.0
3.5
80
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
3.0
RDS （上） [M
]
VGS （ TH） [V]
典型值。
2.5
2.0
1.5
1.0
分钟。
60
马克斯。
典型值。
40
20
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型的电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100n
150
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 40A ，总胆固醇= 25°C
30
125 VDS
25
VGS
10n
100
Vcc=120V
20
VGS电压[V]的
VDS [V]的
C [ F]
75V
75
15
30V
西塞
1n
科斯
50
10
25
CRSS
5
100p
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
200
VDS [V]的
QG [ NC ]
反向二极管的典型正向特性
-ID = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
100
90
80
70
10
60
10
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 48V ， VGS = 10V ， RG = 10
4
3
-ID [ A]
T [ NS ]
50
40
30
20
10
0
0.0
10V
5V
VGS=0V
TD （关闭）
10
2
tf
tr
TD （上）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
1
VSD [V]的
10
0
10
1
10
2
ID [ A]
3
2SK3218-01
最大雪崩电流与总胆固醇开始
I（ AV ） = F （开始TCH） ，不重复
50
45
40
35
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
10
1
10
0
D=0.5
0.2
第i （ CH-C ） [℃ / W]
0.1
10
-1
30
0.05
0.02
0.01
I（ AV ） [A]
25
20
15
10
5
0
10
-2
t
0
T
D=
t
T
10
0
25
50
75
100
125
150
-3
10
开始总胆固醇[° C]
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
500
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
EAS = F （首发TCH） ： VCC = 24V ，我< = 40A ，不重复
AV
400
300
EAS [兆焦耳]
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
开始总胆固醇[° C]
4
QQ：2880707522 复制
