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2SK522
硅n沟道FET的结
应用
甚高频放大器，混频器，本地振荡器
概要
SPAK
1
23
1.门
2.源
3.排水
2SK522
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
栅漏电压
栅电流
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
–30
10
20
200
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
栅漏击穿
电压
门切断电流
漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
注意：
漏
I
DSS
D
4至8
E
610个
符号
V
（ BR ） GDO
I
GSS
I
DSS
*
1
V
GS （ OFF ）
y
fs
西塞
CRSS
PG
NF
民
–30
—
4
—
8
—
—
20
—
F
10至20
典型值
—
—
—
—
10
6.8
0.1
27
1.7
最大
—
–10
20
–3
—
—
—
—
2.5
单位
V
nA
mA
V
mS
pF
pF
dB
dB
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0,
F = 100 MHz的
测试条件
I
G
= –100
A,
I
S
= 0
V
GS
= –0.5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0
V
DS
= 5 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中，f = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
1. 2SK522由I分组
DSS
如下。
2
2SK522
最大信道功率
耗散曲线
信道功率耗散P沟道（MW ）
300
漏电流I
D
（MA ）
典型的输出特性（ 1）
10
V
GS
= 0
8
–0.2 V
6
–0.4
4
–0.6
2
–0.8
–1.0
P
c
h
=
20
200
0
m
W
100
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
10
20
30
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
典型的输出特性（ 2）
10
V
GS
= 0
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
8
–0.2 V
6
–0.4
4
–0.6
2
–0.8
–1.0
15
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
10
F
E
5
D
0
–3.0
0
1
2
3
4
漏极至源极电压V
DS
(V)
5
–2.0
–1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
3
2SK522
正向转移导纳主场迎战
漏源极电压
正向转移导纳
yfs
（女士）
正向转移导纳
yfs
（女士）
15
TA = -25°C
25°C
10
75°C
50
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
正向转移导纳主场迎战
漏电流
5
V
GS
= 0
F = 1千赫
V
DS
= 5 V
F = 1千赫
0
5
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
15
0.5 1.0
2
5
10
漏电流I
D
（MA ）
20
反向传输电容的Crss （PF ）
输入电容与
漏源极电压
20
输入电容西塞（PF ）
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
反向传输电容主场迎战
漏源极电压
5
2
1.0
0.5
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
5
0.2
0.1
0.05
0.1
2
0.1
0.5 1.0
2
5
10
0.2
漏极至源极电压V
DS
(V)
0.2
0.5 1.0
2
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
4
2SK522
输出电容与
漏源极电压
200
输出电容科斯（PF ）
100
50
功率增益PG （分贝）
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
20
V
GS
= 0
F = 100 MHz的
30
功率增益主场迎战
漏源极电压
20
10
5
10
2
0.1
0.2
0.5 1.0
2
5
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
5
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
15
噪声系数与
漏源极电压
8
噪声系数NF （ dB）的
6
V
GS
= 0
F = 100 MHz的
4
2
0
4
8
12
16
漏极至源极电压V
DS
(V)
5
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