【晶体管2SD2177NPN硅外延平面型单位：mm对于低频输出放大0.156.9±0.10.74.01】,IC型号2SD2177R,2SD2177R PDF资料,2SD2177R经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SD2177

NPN硅外延平面型

单位：mm

对于低频输出放大

0.15

6.9±0.1

0.7

4.0

1.05 2.5±0.1

±0.05

(1.45)

0.8

补充2SB1434

特点

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

Ccomplementary对与2SB1434

让供应与径向编带

0.65最大。

1.0 1.0

0.2

0.45

0.05

+0.1

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

+150

单位

°C

1.2±0.1

0.65

马克斯。

0.45

0.1

0.05

注）除

所示引线型

上图，

如示出的类型

在下图中

也可用。

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

MT2类型封装

注） *：印刷电路板：铜箔1区

或更多，并且

为1.7mm基板厚度的集电部

2.5±0.1

绝对最大额定值

25°C

0.45

0.05

+0.1

2.5±0.5

（ HW型）

电气特性

25°C

3°C

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE1

FE2

条件

20 V，I

1毫安，我

2 V，I

200毫安

2 V，I

1 A

1 ，我

50毫安

1 ，我

50毫安

10 V，I

= 50

毫安，女

200兆赫

10 V，I

= 0,

1兆赫

民

典型值

最大

0.1

14.5±0.5

0.5

4.5±0.1

单位

120

0.15

0.85

110

0.3

1.2

340

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

注）* 1 ：脉冲测量

* 2 ：等级分类

秩

FE1

120至240

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

兆赫

170至340

无秩

120 340

无等级的产品不分类网络版，并没有任何迹象的排名。

2SD2177

1.2

晶体管

2.4

铜板在集

是超过1厘米

在区域，

1.7毫米在厚度

CE （ SAT ）

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

(V)

25°C

集电极耗散功率P

(W)

1.0

2.0

集电极电流I

(A)

0.8

1.6

8毫安

1.2

7毫安

6毫安

5毫安

4毫安

3毫安

0.4

2毫安

1毫安

0.3

100°C

0.1

0.03

0.01

25°C

0.6

0.4

0.8

0.2

0.003

0.001

0.01 0.03

80 100 120 140 160

0.1

0.3

环境温度T

(

°C

)

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

100

500

2 V

200

10 V

25°C

基地发射极饱和电压

BE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

25°C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

= 25°C

100°C

400

过渡频率f

（兆赫）

160

300

100°C

25°C

120

200

25°C

100

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

发射极电流I

（MA ）

集电极输出电容C

（PF ）

1兆赫

25°C

100

集电极基极电压V

(V)

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换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

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istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

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ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

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特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

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妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

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及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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梨在这种材料。

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2001年MAR