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25AA640A/25LC640A
64K SPI总线串行EEPROM
器件选型表
产品型号
25LC640A
25AA640A
V
CC
范围
2.5-5.5V
1.8-5.5V
PAGE SIZE
32字节
32字节
温度。范围
I,E
I
套餐
P, SN , ST , MS , MF , MNY
P, SN , ST , MS , MF , MNY
产品特点:
马克斯。时钟10MHz的
低功耗CMOS技术
- 最大。写电流5mA电压为5.5V , 10MHz的
- 读取电流5mA电压为5.5V , 10MHz的
- 待机电流: 1
μA
在5.5V
8192 ×8位的组织
32字节页
自定时擦写周期( 5 ms以下。 )
块写保护
- 无保护, 1/4,1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 耐力:100万次擦/写
- 数据保存: > 200年
- ESD保护: > 4000V
温度范围内支持:
- 工业级(I ) :
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车( E) :
-40°C至+ 125°C
描述:
Microchip Technology Inc.的25AA640A / 25LC640A
(25XX640A
*
)是64千位串行电可擦除
PROM中。内存是通过一个简单的串行访问
外围接口(SPI)兼容的串行总线。该
所需的总线信号的时钟输入(SCK)加sep-
在(SI)的独的数据输入和数据输出( SO)线。访问
装置通过一个芯片选择(CS )输入控制。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚( HOLD ) 。当设备被暂停,跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略,除
片选,允许主机优先级更高
中断。
该25XX640A是标准封装
包括8引脚PDIP和SOIC封装,以及先进
包装包括8引脚MSOP , 8引脚TSSOP , DFN
和TDFN封装。
封装类型(不按比例)
TSSOP / MSOP
( ST , MS )
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP / SOIC
(P , SN )
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
DFN / TDFN
( MF / MNY )
X -旋转TSSOP
( X / ST )
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
* 25XX640A使用本文档中作为一个通用的零件号
为25AA640A , 25LC640A设备。
2008 Microchip的技术公司
DS21830D第1页
25AA640A/25LC640A
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1:
DC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
.7 V
CC
-0.3
-0.3
V
CC
-0.5
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
0.2
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
V
CC
2.7V
V
CC
& LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安, V
CC
& LT ; 2.5V
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS
或V
CC
T
A
= 25°C , CLK = 1.0 MHz时,
V
CC
= 5.0V
(注)
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 5.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
CS = V
CC
= 5.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
(所有输入和
输出)
D010
I
CC
工作电流
5
2.5
mA
mA
mA
mA
μA
μA
D011
D012
I
CC
I
CCS
待机电流
5
3
5
1
注意:
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
DS21830D第2页
2008 Microchip的技术公司
25AA640A/25LC640A
表1-2:
AC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
50
100
150
100
200
250
50
10
20
30
20
40
50
50
100
150
50
100
150
50
50
0
20
40
80
马克斯。
10
5
3
100
100
50
100
160
40
80
160
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
(注1 )
(注1 )
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
(注1 )
4.5V
VCC
5.5V(Note
1)
2.5V
VCC
4.5V(Note
1)
1.8V
VCC
2.5V(Note
1)
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
AC特性
参数。
符号。
1
F
CLK
特征
时钟频率
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
TSU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出有效
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2:
该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序,请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
2008 Microchip的技术公司
DS21830D第3页
25AA640A/25LC640A
表1-2:
AC特性(续)
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
20
40
80
30
60
160
30
60
160
1M
马克斯。
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
4.5V
VCC
5.5V(Note
1)
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V(Note
1)
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V(Note
1)
4.5V
VCC
5.5V
2.5V
VCC
& LT ;
4.5V
1.8V
VCC
& LT ;
2.5V
(N
OTE
3)
AC特性
参数。
符号。
17
T
HH
特征
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出有效
19
T
HV
20
21
T
WC
内部写周期时间
耐力
东/西
(N
OTE
2)
周期
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2:
该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序,请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
表1-3:
AC波形:
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
(注1 )
(注2 )
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 100 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 :
对于V
CC
4.0V
2:
对于V
CC
& GT ;
4.0V
DS21830D第4页
2008 Microchip的技术公司
25AA640A/25LC640A
图1-1:
CS
16
SCK
18
SO
n+2
n+1
n
高阻抗
19
n
5
n
n-1
n-1
17
16
17
保持时间
不在乎
SI
HOLD
n+2
n+1
n
图1-2:
串行输入时序
4
CS
2
模式
1,1
SCK模式
0,0
5
SI
6
在LSB
7
8
3
12
11
在MSB
SO
高阻抗
图1-3:
串行输出时序
CS
9
SCK
13
14
SO
MSB OUT
15
ISB出
10
3
模式
1,1
模式
0,0
SI
不在乎
2008 Microchip的技术公司
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
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