UTC 2SC3669
NPN外延硅晶体管
功率放大器的应用
电源开关应用
特点
*低饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大）
*高速开关时间：吨
英镑
=1.0μS(Typ.)
1
TO-251
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
I
B
Pc
T
j
T
英镑
范围
80
80
5
2
1
1
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ）
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
测试条件
IC = 10毫安，我
B
= 0
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ， IC = 0
V
CE
= 2V ， IC = 0.5A
V
CE
= 2V ， IC = 1.5A
IC = 1A ，我
B
=0.05A
IC = 1A ，我
B
=0.05A
V
CE
= 2V ， IC = 0.5A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
80
典型值
最大
1.0
1.0
240
单位
V
μA
μA
70
40
0.15
0.9
100
30
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R213-006,B
UTC 2SC3669
参数
开启时间
贮存时间
开关时间
下降时间
NPN外延硅晶体管
符号
t
on
TSTG
I
B1
I
B2
测试条件
20μs
输入
I
B2
I
B1
产量
30Ω
民
典型值
0.2
1.0
最大
单位
μs
VCC = 30 V
t
f
I
B1
= -I
B2
=0.05A
占空比= 1 ％
0.2
中hFE1分类
秩
范围
O
70-140
Y
120-240
电气特性曲线
IC -V
CE
25
35
20
15
10
集电极发射极电压，VC
E
(V)
2.0
集电极电流IC （ A）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
1
0.8
I
B
=5mA
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
15 20
30
V
CE
-IC
常见
辐射源
Ta=25℃
I
B
=5mA
共发射极
Ta=25℃
8
10
12
集电极发射极电压，VC
E
(V)
40
50
集电极电流IC （ A）
V
CE
-IC
集电极发射极电压，VC
E
(V)
集电极发射极电压，VC
E
(V)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=5mA
10 15 20
30 40
50
常见
辐射源
Ta=100℃
2.0
2.4
1
I
B
=5mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
10 15 20 30 40 50
70
常见
辐射源
Ta=-55℃
2.0
2.4
V
CE
-IC
集电极电流IC （ A）
集电极电流IC （ A）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R213-006,B
UTC 2SC3669
500
NPN外延硅晶体管
的hFE -Ic
集电极发射极饱和电压，
V
CE
（SAT）
V
CE
（SAT） -Ic
0.5
0.3
共发射极
IC / I
B
=20
Ta=100℃
0.1
0.05
0.03
0.01
0.01
Ta=25℃
Ta=-55℃
直流电流增益hFE
共发射极
300
V
CE
=2V
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta=-55℃
100
50
30
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
2
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
1
集电极电流Ic （ A）
集电极电流Ic （ A）
V
BE
（SAT） -Ic
基极发射极饱和电压，
V
BE
（SAT）
3
集电极电流IC （ A）
共发射极
IC / I
B
=20
Ta=-55℃
1
0.5
0.3
Ta=25℃
Ta=100℃
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.2
0.4
共发射极
V
CE
=2 V
Ta=100℃
Ta=25℃
IC -V
BE
Ta=-55℃
0.1
0.01
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
1
2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
集电极电流IC （ A）
基地发射极电压，V
BE
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R213-006,B
UTC 2SC3669
NPN外延硅晶体管
功率放大器的应用
电源开关应用
特点
*低饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大）
*高速开关时间：吨
英镑
=1.0μS(Typ.)
1
TO-252
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
I
B
Pc
T
j
T
英镑
范围
80
80
5
2
1
1
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ）
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
COB
测试条件
IC = 10毫安，我
B
= 0
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ， IC = 0
V
CE
= 2V ， IC = 0.5A
V
CE
= 2V ， IC = 1.5A
IC = 1A ，我
B
=0.05A
IC = 1A ，我
B
=0.05A
V
CE
= 2V ， IC = 0.5A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
80
典型值
最大
1.0
1.0
240
单位
V
μA
μA
70
40
0.15
0.9
100
30
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R209-015,A
UTC 2SC3669
参数
开启时间
贮存时间
开关时间
下降时间
NPN外延硅晶体管
符号
t
on
TSTG
I
B1
I
B2
测试条件
20μs
输入
I
B2
I
B1
产量
30Ω
民
典型值
0.2
1.0
最大
单位
μs
VCC = 30 V
t
f
I
B1
= -I
B2
=0.05A
占空比= 1 ％
0.2
中hFE1分类
秩
范围
O
70-140
Y
120-240
电气特性曲线
IC -V
CE
25
35
20
15
10
集电极发射极电压，VC
E
(V)
2.0
集电极电流IC （ A）
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
1
0.8
I
B
=5mA
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
15 20
30
V
CE
-IC
常见
辐射源
Ta=25℃
I
B
=5mA
共发射极
Ta=25℃
8
10
12
集电极发射极电压，VC
E
(V)
40
50
集电极电流IC （ A）
V
CE
-IC
集电极发射极电压，VC
E
(V)
集电极发射极电压，VC
E
(V)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=5mA
10 15 20
30 40
50
常见
辐射源
Ta=100℃
2.0
2.4
1
I
B
=5mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
10 15 20 30 40 50
70
常见
辐射源
Ta=-55℃
2.0
2.4
V
CE
-IC
集电极电流IC （ A）
集电极电流IC （ A）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R209-015,A
UTC 2SC3669
500
NPN外延硅晶体管
的hFE -Ic
集电极发射极饱和电压，
V
CE
（SAT）
V
CE
（SAT） -Ic
0.5
0.3
共发射极
IC / I
B
=20
Ta=100℃
0.1
0.05
0.03
0.01
0.01
Ta=25℃
Ta=-55℃
直流电流增益hFE
共发射极
300
V
CE
=2V
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta=-55℃
100
50
30
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
2
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
1
集电极电流Ic （ A）
集电极电流Ic （ A）
V
BE
（SAT） -Ic
基极发射极饱和电压，
V
BE
（SAT）
3
集电极电流IC （ A）
共发射极
IC / I
B
=20
Ta=-55℃
1
0.5
0.3
Ta=25℃
Ta=100℃
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.2
0.4
共发射极
V
CE
=2 V
Ta=100℃
Ta=25℃
IC -V
BE
Ta=-55℃
0.1
0.01
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
1
2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
集电极电流IC （ A）
基地发射极电压，V
BE
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R209-015,A
2SC3669
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
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承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
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东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
5
2004-07-07
QQ：2880707522 复制
