【为了我们的客户，旧公司名称在产品目录等资料4月1日st2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技公司】,IC型号2SD2162,2SD2162 PDF资料,2SD2162经销商,ic,电子元器件-51电子网

为了我们的客户，

旧公司名称在产品目录等资料

4月1日

2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技

公司和瑞萨

电子公司

接手两者的所有业务

公司。

因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的

瑞萨

电子文档。我们感谢您的理解。

瑞萨电子网站： http://www.renesas.com

4月1日

, 2010

瑞萨电子公司

由...发出：

瑞萨电子公司

（ http://www.renesas.com ）

任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是

如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前

确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意

另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

瑞萨电子不承担侵权的专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。

没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹

瑞萨电子或其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作

半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，

而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任

你还是从使用这些电路，软件以及相关信息而产生的第三方。

当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制

法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨

电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术

军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品

技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售

根据任何适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子

不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任

招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。

瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而

“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，

如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级

应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序

瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式

从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任

应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面

瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有

在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频

设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。

“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反

犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。

“具体” ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或

生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术植入，或保健

介入治疗（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，

特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射

特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或

由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有

具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，

瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，

防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏

瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火

控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为

单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性

由你制造的。

请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境

每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用

该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规

指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任

适用法律和法规。

本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意

电子产品。

如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处

文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。

“标准” ：

10.

11.

12.

（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-

资子公司。

（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

数据表

硅功率晶体管

2SD2162

NPN硅外延晶体管（达林顿连接）

低频功率放大器和低速开关

该2SD2162是可以直接驱动达林顿功率晶体管

从IC输出。

该晶体管是理想的电机驱动器和

螺线管驱动器中，如OA及FA设备。

另外，一个小的树脂模制绝缘型包

利于高密度安装，降低安装成本。

订购信息

订购名称

2SD2162

包

隔离TO- 220

（隔离TO- 220 ）

特点

高

由于达林顿连接

≥

2,000 (V

= 2.0 V，I

= 3.0 A)

全模封装，不需要绝缘板或

绝缘套管

绝对最大额定值（T

= 25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

B（ DC ）

英镑

= 25°C

≤

10毫秒，

占空比

≤

50%

条件

评级

150

100

7.0

+8.0,

5.0

+12,

8.0

0.8

2.0

150

+150

单位

°C

内部等效电路

1.基地

2.收集

3.辐射源

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D14865EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月 CP （ K）

日本印刷

2002

1998

2SD2162

电气特性（T

= 25°C)

参数

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

符号

CBO

FE1

FE2

集电极饱和电压

基本饱和电压

增益带宽积

集电极电容

开启时间

贮存时间

下降时间

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

英镑

条件

= 100 V，I

= 0 A

= 2.0 V，I

= 3.0 A

记

= 2.0 V，I

= 5.0 A

记

= 3.0 A，I

= 3.0毫安

记

= 3.0 A，I

= 3.0毫安

记

= 5.0 V，I

= 0.8 A

= 10 V，I

= 0 ， F = 1.0 MHz的

= 3.0 A，R

= 16.7

= 3.0毫安， V

50 V

参考测试电路。

2,000

500

0.9

1.6

1.0

3.5

1.2

1.5

2.0

兆赫

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

15,000

单位

记

脉冲测试PW

≤

350

S，占空比

≤

分类

记号

FE1

2000至5000

3000至7000

5000到15000

切换时间（T

, t

英镑

, t

）测试电路

％ DVH FXUUHQW

ZDYHIRUP

&ROOHFWRU FXUUHQW

ZDYHIRUP

数据表D14865EJ2V0DS

2SD2162

典型特征（T

= 25°C)

7RWDO 3RZHU “ LVVLSDWLRQ 3

： LWK LQILQLWH KHDWVLQN

&DVH 7HPSHUDWXUH 7

＆放大器;

?? &

“ HUDWLQJ G7 ？

&DVH 7HPSHUDWXUH 7

＆放大器;

?? &

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

6LQJOH SXOVH

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

7UDQVLHQW 7KHUPDO 5HVLVWDQFH ü

WK ？ W

？ ° ？： &

： LWKRXW

KHDWVLQN

： LWK LQILQLWH KHDWVLQN

3XOVH ふ3 ：？ V

数据表D14865EJ2V0DS

数据表

硅功率晶体管

2SD2162

NPN硅外延晶体管（达林顿连接）

低频功率放大器和低速开关

该2SD2162是可以直接驱动达林顿功率晶体管

从IC输出。

该晶体管是理想的电机驱动器和

螺线管驱动器中，如OA及FA设备。

另外，一个小的树脂模制绝缘型包

利于高密度安装，降低安装成本。

订购信息

订购名称

2SD2162

包

隔离TO- 220

（隔离TO- 220 ）

特点

高

由于达林顿连接

≥

2,000 (V

= 2.0 V，I

= 3.0 A)

全模封装，不需要绝缘板或

绝缘套管

绝对最大额定值（T

= 25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

B（ DC ）

英镑

= 25°C

≤

10毫秒，

占空比

≤

50%

条件

评级

150

100

7.0

+8.0,

5.0

+12,

8.0

0.8

2.0

150

+150

单位

°C

内部等效电路

1.基地

2.收集

3.辐射源

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D14865EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月 CP （ K）

日本印刷

2002

1998

2SD2162

电气特性（T

= 25°C)

参数

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

符号

CBO

FE1

FE2

集电极饱和电压

基本饱和电压

增益带宽积

集电极电容

开启时间

贮存时间

下降时间

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

英镑

条件

= 100 V，I

= 0 A

= 2.0 V，I

= 3.0 A

记

= 2.0 V，I

= 5.0 A

记

= 3.0 A，I

= 3.0毫安

记

= 3.0 A，I

= 3.0毫安

记

= 5.0 V，I

= 0.8 A

= 10 V，I

= 0 ， F = 1.0 MHz的

= 3.0 A，R

= 16.7

= 3.0毫安， V

50 V

参考测试电路。

2,000

500

0.9

1.6

1.0

3.5

1.2

1.5

2.0

兆赫

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

15,000

单位

记

脉冲测试PW

≤

350

S，占空比

≤

分类

记号

FE1

2000至5000

3000至7000

5000到15000

切换时间（T

, t

英镑

, t

）测试电路

％ DVH FXUUHQW

ZDYHIRUP

&ROOHFWRU FXUUHQW

ZDYHIRUP

数据表D14865EJ2V0DS

2SD2162

典型特征（T

= 25°C)

7RWDO 3RZHU “ LVVLSDWLRQ 3

： LWK LQILQLWH KHDWVLQN

&DVH 7HPSHUDWXUH 7

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&ROOHFWRU &XUUHQW ，

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&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

& （

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

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6LQJOH SXOVH

&ROOHFWRU WR （ PLWWHU 9ROWDJH 9

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7UDQVLHQW 7KHUPDO 5HVLVWDQFH ü

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： LWKRXW

KHDWVLQN

： LWK LQILQLWH KHDWVLQN

3XOVH ふ3 ：？ V

数据表D14865EJ2V0DS

2SD2162

3XOVH WHVW

％ DVH 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

％（？ VDW

&ROOHFWRU 6DWXUDWLRQ 9ROWDJH 9

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3XOVH WHVW

“ & &XUUHQW * DLQ

)(

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

&ROOHFWRU &XUUHQW ，

＆放大器;

数据表D14865EJ2V0DS

2SD2162

封装图（单位：mm ）

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数据表D14865EJ2V0DS