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2SK209

东芝场效应晶体管

硅N沟道结型

2SK209

音频频率低噪声放大器的应用

高| Y

|: |Y

| = 15毫秒（典型值），在V

= 10 V, V

= 0

高击穿电压： V

GDS

低噪音： NF = 1.0分贝（典型值）。

在V

= 10 V，I

= 0.5毫安， F = 1千赫，R

= 1 k

高输入阻抗：我

GSS

nA的（最大）在V

小型封装

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

栅 - 漏电压

栅电流

漏极功耗

结温

存储温度范围

符号

GDS

英镑

等级

150

125

55~125

单位

°C

注意：

重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障

率等）。

JEDEC

JEITA

东芝

TO-236

SC-59

2-3F1B

重0.012克（典型值）

记号

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极截止电流

栅极 - 漏极击穿电压

漏电流

栅极 - 源极截止电压

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

噪声系数

符号

GSS

（ BR ） GDS

DSS

（注）

GS （关闭）

国际空间站

RSS

NF （1）

NF（ 2）

测试条件

= 30

V, V

0, I

= 100 μA

10 V, V

10 V，I

0.1

μA

10 V, V

0, f

1千赫

10 V, V

0, f

1兆赫

10 V，I

0, f

1兆赫

10 V ，R

1 kΩ

0.5毫安，女

10赫兹

10 V ，R

1 kΩ

0.5毫安，女

1千赫

民

1.2

0.2

4.0

典型值。

最大

1.0

14.0

1.5

单位

注：我

DSS

分类Y： 1.2 3.0毫安， GR ： 2.6 6.5毫安BL ： 6.0 14毫安

2007-11-01

2SK209

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2SK209

2007-11-01

2SK209

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

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