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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC5407
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1700V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
对水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1700
V
V
CES
集电极 - 发射极电压
1700
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
15
A
I
CM
集电极电流 - 峰值
20
A
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
8
A
100
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
3
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC5407
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7.5A ;我
B
= 1.88A
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7.5A ;我
B
= 1.88A
V
CB
= 1000V ;我
E
= 0
V
CB
= 1700V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.5
50
1.0
50
V
μA
mA
μA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
I
C
= 7.5A ; V
CE
= 5V
6
14
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
3
兆赫
开关时间
t
英镑
贮存时间
I
C
= 8A ，我
B1
= 2A ;我
B2
= -4A
4.0
μs
t
f
下降时间
0.3
μs
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2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC5407
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1700V （最小值）
高
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·设计
对水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
CES
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1700
V
1700
V
600
V
5
V
15
A
20
A
8
A
100
W
I
CM
集电极电流 - 峰值
I
B
B
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
3
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC5407
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7.5A ;我
B
= 1.88A
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7.5A ;我
B
= 1.88A
V
CB
= 1000V ;我
E
= 0
V
CB
= 1700V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.5
50
1.0
50
V
μA
mA
μA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
I
C
= 7.5A ; V
CE
= 5V
f
T
电流增益带宽积
开关时间
t
英镑
贮存时间
t
f
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
I
C
= 8A ，我
B1
= 2A ;我
B2
= -4A
.CN
i
6
14
3
兆赫
4.0
μs
0.3
μs
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2
功率晶体管
2SC5407
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出
单位：mm
15.5±0.5
4.5
10.0
s
特点
q
q
q
φ3.2±0.1
5°
26.5±0.5
3.0±0.3
高的击穿电压，并且通过使用具有高可靠性
玻璃钝化层
高速开关
安全运行的广域（ ASO ）
(T
C
=25C)
评级
1700
1700
600
5
20
15
8
100
3
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
5°
23.4
22.0±0.5
2.0 1.2
5°
18.6±0.5
5°
5°
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
5.45±0.3
5.5±0.3
5°
1
2
3
2.0
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TOP- 3E全包套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 1000V ，我
E
= 0
V
CB
= 1700V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 7.5A
I
C
= 7.5A ，我
B
= 1.88A
I
C
= 7.5A ，我
B
= 1.88A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0中，f =为0.5MHz
I
C
= 8A ，我
B1
= 2A ，我
B2
= –4A
3
4.0
0.3
6
民
典型值
最大
50
1
50
14
3
1.5
V
V
兆赫
s
s
单位
A
mA
A
1
功率晶体管
P
C
- TA
140
2SC5407
安全操作区（ ASO ）
100
I
CP
t=100s
10ms
DC
1
1ms
安全运行方面，横向操作ASO
25
F =路64kHz ，T
C
<90C
安全操作区
对于单脉冲
在时间的过载曲线
开关ON，关闭
通过高电压火花
按住并样子，
在横向操作。
集电极耗散功率P
C
(W)
120
(1)
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器。
（ 3 ）不带散热片
集电极电流I
C
(A)
100
集电极电流I
C
(A)
10
I
C
20
80
15
60
0.1
10
40
0.01
20
(2)
(3)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.001
1
3
10
30
100
300
1000
5
<1mA
0
0
500
1000
1500
2000
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
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28C010TRT1DI-15
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284506-5
22-14-2174
2-284514-5
2SB940A
22-28-0036
2SK709GR
216250
25LC320A-E/MS
2SD2162
2743037446
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    2SC5407
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