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晶体管
2SD1934
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大
对于频闪仪
5.0±0.2
单位：mm
4.0±0.2
q
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
40
20
7
8
5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 2 3
2.54±0.15
2.3±0.2
0.45
–0.1
1.27
1.27
+0.15
13.5±0.5
0.7±0.1
0.7±0.2
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
在高效率运转良好表现
低电压电源。
让供应与径向录音。
8.0±0.2
s
特点
0.45
–0.1
+0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
TO- 92NL套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ，我
C
=
2A
*2
I
C
= 3A ，我
B
= 0.1A
*2
V
CB
= 6V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*2
民
典型值
最大
0.1
0.1
单位
A
A
V
V
20
7
230
150
1
150
50
600
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
Q
230 ~ 380
R
340 ~ 600
秩
h
FE1
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
2.4
Ta=25C
I
B
=7mA
6mA
1.6
5mA
1.2
4mA
3mA
0.8
2mA
0.4
2SD1934
I
C
— V
CE
6
V
CE
=2V
5
25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
2.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
集电极电流I
C
(A)
Ta=75C
4
–25C
0.6
3
0.4
2
0.2
1mA
1
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
3
1
Ta=75C
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
25C
–25C
I
C
/I
B
=30
600
h
FE
— I
C
400
V
CE
=2V
f
T
— I
E
V
CB
=6V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（兆赫）
1
3
10
350
300
250
200
150
100
50
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
100
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(A)
C
ob
— V
CB
100
集电极输出电容C
ob
（PF ）
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
80
60
40
20
0
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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