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2SA1301
音频功率放大器
直流到直流转换器
PNP
平面硅晶体管
2-21F1A
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SC3280
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-160
-160
-6
-12
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
测试条件
IC = -10mA IE = 0
IC = -5 mA的RBE = ∞
IE = -4mA IC = 0
VCB = -80V IE = 0
VEB = -4V IC = 0
VCE = -5V IC = -1A
VCE = -5V IC = -5A
IC = -8A IB = -0.8A
民
-160
-160
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
-0.1
-0.1
160
-2.5
V
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
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http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SA1301
描述
高
功耗
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -160V （最小值）
.Complement
键入2SC3280
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为80W高保真音频放大器
输出级应用
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-160
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-160
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-12
A
I
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
-1.2
A
P
C
120
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SA1301
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-160
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -8.0A ;我
B
= -0.8A
-2.5
V
V
BE （
on
)
基射极电压上
I
C
= -6A ; V
CE
= -5V
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -160V ;我
E
= 0
-5
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -6A ; V
CE
= -5V
35
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F = 1.0MHz的
480
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
30
兆赫
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1301
描述
·采用TO -3PL包
·补键入2SC3280
应用
·功率放大器应用
·推荐使用80W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-160
-160
-5
-12
-1.2
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -8A ，我
B
=-0.8A
I
C
= -6A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -160V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -6A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
f=1MHz;V
CB
=-10V
55
35
30
民
-160
2SA1301
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
-0.9
-1.0
-2.5
-1.5
-5
-5
160
V
V
A
A
兆赫
pF
480
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1301
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1301
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1301
描述
·带
TO -3PL包
.Complement
键入2SC3280
应用
“权力
扩增fi er应用
“推荐
为80W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 3PL）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-160
-160
-5
-12
-1.2
120
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -8A ，我
B
=-0.8A
I
C
= -6A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -160V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -6A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
f=1MHz;V
CB
=-10V
55
35
30
480
民
-160
-0.9
-1.0
典型值。
2SA1301
最大
单位
V
-2.5
-1.5
-5
-5
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1301
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.50毫米）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1301
4
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推荐型号
2SC1573
2020LX103J8
2SK3294-ZJ
24LC024/ST
27LV512-20I/J
2SC4385
299-43-630-10-002000
2SD2345R
2SK1662M
28ICR1-05T
2444
2SD2210T
2SC4664N
2SD1934
2SC3324-GR
2SC3324GR
2-1437589-7
2SK3825
282841-9
2SC3955F
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