【2SC3324东芝三极管硅NPN外延型（厘过程）2SC3324音频频率低噪声放大器的应用高电压： V】,IC型号2SC3324-GR,2SC3324-GR PDF资料,2SC3324-GR经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC3324

东芝三极管

硅NPN外延型（厘过程）

2SC3324

音频频率低噪声放大器的应用

高电压： V

首席执行官

= 120 V

优秀

线性：H

= 0.1毫安） /小时

= 2 mA）的

= 0.95 （典型值）。

高

FE ：

= 200~700

低噪声（典型值） NF （ 2 ） = 0.2分贝， 3分贝（最大值）

补充2SA1312

小型封装

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

150

125

55~125

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

TO-236MOD

SC-59

2-3F1A

重0.012克（典型值）

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

记号

2007-11-01

2SC3324

电气特性

（大

25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

（注）

CE （SAT）

NF （1）

噪声系数

NF（ 2）

测试条件

120 V，I

5 V，I

6 V，I

2毫安

10毫安，我

1毫安

6 V，I

1毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

6 V，I

0.1毫安，女

100赫兹，

10 kΩ

6 V，I

0.1毫安，女

1千赫，

10 kΩ

民

200

典型值。

100

0.5

0.2

最大

0.1

700

0.3

兆赫

单位

μA

注：H

分类GR （ G）： 200 400 ， BL （ L）： 350 700

（）标记符号

2007-11-01

2SC3324

2007-11-01

2SC3324

2007-11-01

2SC3324

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2007-11-01