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SD1414
RF &微波晶体管
800-900 MHz的应用
.
.
.
.
836兆赫
12.5伏
公共基础
P
OUT
=
45瓦最小。 4.7 dB增益
0.230 6LFL （ M142 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD1414
BRANDING
SD1414
引脚连接
描述
该SD1414是12.5 V C级硅外延
NPN平面晶体管设计的放大器AP-
褶皱在806 - 866兆赫的频率范围。
内部输入匹配和共同的基础CON-
成形保证最佳的增益和效率
在整个频带。该SD1414
承受无限VSWR的额定输出功率。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
36
18
36
4.0
9.0
150
+200
65 150
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
° C / W
1/5
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1993年3月
1.2
SD1414
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
I
C
=
50mA
I
C
=
50mA
I
E
=
10mA
V
CB
=
15V
V
CE
=
5V
V
BE
=
0V
I
B
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
1A
36
18
4.0
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
5
200
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
C
OB
f
=
836兆赫
f
=
836兆赫
f
=
1兆赫
P
IN
=
15 W
P
IN
=
15 W
V
CB
=
12.5 V
V
CE
=
12.5 V
V
CE
=
12.5 V
45
4.7
—
—
—
80
—
—
—
W
dB
pF
典型性能
功率输出与频率
2/5
SD1414
阻抗数据
典型输入阻抗
典型集电极负载
阻抗
典型输入阻抗
典型集电极负载
阻抗
3/5
SD1414
测试电路
C1 ， C4 ： 5pF的ATC 100密耳贴片电容
C2
： 1 - 为12pF可变电容
C3
： 0.6 - 为6.0pF电容变
C5
：为2pF “A”尺寸贴片电容
C6 ， C7 ： 0.6 - 为12pF旭隼可变电容
C8
C9
C10
L1, L2
:
:
:
:
480pF ATC 100密耳贴片电容
47
楼63V电解电容
1000pF的电容Unelco
5打开＃ 24 AWG搪瓷
板材质： 3M -K- 6098-11 12.9密耳厚
4/5
SD1414
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0142
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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1994年SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
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5/5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220Fa包
·高直流电流增益
·低饱和电压
·补键入2SB1024
·达林顿
应用
·电源放大器和开关应用
·锤驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1414
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
5
4
0.5
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1414
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
2000
1000
民
80
1.5
2.0
20
2.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
mA
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=6mA
V
CC
= 30V ，R
L
=10?
0.2
1.5
0.6
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1414
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
.Complement
键入2SB1024
·达林顿
应用
“权力
放大器和开关应用
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1414
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
5
4
0.5
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1414
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
2000
1000
民
80
1.5
2.0
20
2.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
mA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=6mA
V
CC
= 30V ，R
L
=10Ω
0.2
1.5
0.6
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1414
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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