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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4580
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 450V （最小值）
·快速
开关速度
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEX
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压V
EB
= 5V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
600
450
600
7
8
16
4
8
50
150
-55~150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
T
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
= 0
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
2SC4580
民
450
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
100
100
100
10
5
20
V
V
μA
μA
μA
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
在额定电压
在额定电压
在额定电压
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.8A ; V
CE
= 10V
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A
R
L
= 37.5Ω; V
BB2
= 4V
0.5
2.0
0.2
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4580
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 450V （最小值）
·快速
开关速度
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEX
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压V
EB
= 5V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
600
V
450
V
600
7
V
V
8
A
16
4
8
50
150
-55~150
A
A
A
W
℃
℃
价值
单位
基极电流连续
基极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
I
BM
P
T
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
= 0
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
2SC4580
民
450
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
100
100
100
V
V
μA
μA
μA
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
在额定电压
在额定电压
在额定电压
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
10
5
I
C
= 1毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 0.8A ; V
CE
= 10V
I
C
= 4A ，我
B1
= 0.8A ;我
B2
= -1.6A
R
L
= 37.5Ω; V
BB2
= 4V
20
兆赫
0.5
2.0
0.2
μs
μs
μs
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2
新电元
开关功率晶体管
FX系列
(TP8W45FX)
8A NPN
2SC4580
外形尺寸
案例： ITO -3P
单位：mm
评级
“绝对
最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
介电强度
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
CEX
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
VDIS
器
条件
V
EB
= 5V
TC = 25 ？
终端的情况下， AC
1
分钟
评级
-55½150
150
600
450
600
7
8
16
4
8
50
2
0.8
评级
450分钟
最大0.1
最大0.1
最大0.1
民
10
5分钟
最大
1.0
最大
1.5
最大2.5
STD 20
最大0.5
最大2.0
最大0.2
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
W
kV
N½m
ⅵELECTRICAL
特性（TC = 25 ??）
项
符号
集电极到发射极耐受电压
V
首席执行官
（ SUS）的
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
I
EBO
直流电流增益
h
FE
h
FEL
集电极到发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基地发射极饱和电压
V
BE
（SAT）
热阻
θJC
跃迁频率
f
T
启动时间
吨
贮存时间
ts
下降时间
tf
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
条件
I
C
= 0.2A
在额定电压
在额定电压
V
CE
= 5V ，我
C
= 4A
V
CE
= 5V ，我
C
=
1mA
I
C
= 4A
I
B
= 0.8A
结到外壳
V
CE
=
10V,
I
C
= 0.8A
I
C
= 4A
I
B1
= 0.8A ，我
B2
=
1.6A
R
L
= 37.5Ω, V
BB2
= 4V
单位
V
mA
mA
V
V
℃/W
兆赫
μs
2SC4580
h
FE
- I
C
V
CE
= 5V
100
TC = 150℃
100°C
50°C
25°C
10 0°C
直流电流增益
FE
25°C
55°C
1
0.001
0.01
0.1
1
10
16
集电极电流I
C
[A]
2SC4580
饱和电压
3
2A
4A
8A
16A
2.5
3
I
C
= 1A
2.5
2
16A
2
1.5
8A
2A
4A
1.5
1
1
集电极 - 发射极电压V
CE
[V]
0.5
0.5
TC = 25°C
0
0.1
1
8
0
0.01
基极电流I
B
[A]
基极 - 发射极电压V
BE
[V]
I
C
= 1A
2SC4580
切换时间 - 我
C
t
s
1
开关时间t
SW
[s]
t
on
0.1
t
f
I
B1
= 0.2I
C
I
B2
= 0.4I
C
V
BB2
= 4V
V
CC
= 150V
TC = 25°C
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
集电极电流I
C
[A]
2SC4580
切换时间 - V
CC
t
s
1
开关时间t
SW
[s]
t
on
0.1
t
f
I
C
= 4A
I
B1
= 0.8A
I
B2
= 1.6A
V
BB2
= 4V
TC = 25°C
0.01
0
50
100
150
200
250
300
集电极电压V
CC
[V]
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2SA1346
296XB501C1B
2680RD12
2N6349
25LC640AT-I/MNY
2SD1414
2SC3446L
2040.0810
2SK787
229001
2SA1093
22-16-2030
2SD2167Q
22-28-3360
20PT1021AZ
25LC256T-EP
27C16AFT-20IP
26001-0907
2SC5395
2920L200DR
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SC4580
    -
    -
    -
    -
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2SC4580
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SC4580
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联系人：何小姐
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DIP
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电话：13910052844（微信同步）
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