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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1093
描述
·采用TO- 3P （ I）包
·补键入2SC2563
·高转换频率
应用
·音频功放
applicatios
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
55
30
民
-120
2SA1093
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
典型值。
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-50
-50
240
V
V
A
A
90
150
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1093
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1093
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SC2563
高
跃迁频率
应用
·音频
频功率放大器
applicatios
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
T
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
55
30
民
-120
2SA1093
典型值。
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-50
-50
240
V
V
μA
μA
90
150
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1093
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1093
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SC2563
高
跃迁频率
应用
·音频
频功率放大器
applicatios
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-8
-0.8
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ，我
B
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
55
30
民
-120
2SA1093
典型值。
最大
单位
V
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-50
-50
240
V
V
μA
μA
90
150
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
Y
120-240
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1093
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
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2SC3446L
2040.0810
2SK787
229001
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22-16-2030
2SD2167Q
22-28-3360
20PT1021AZ
25LC256T-EP
27C16AFT-20IP
26001-0907
2SC5395
2920L200DR
24AA01T-I/OTG
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