【功率晶体管2SD1252 ， 2SD1252A硅NPN三重扩散平面型进行功率放大补充2SB929和2】,IC型号2SD1252A,2SD1252A PDF资料,2SD1252A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SD1252 ， 2SD1252A

硅NPN三重扩散平面型

进行功率放大

补充2SB929和2SB929A

10.0±0.3

单位：mm

8.5±0.2

6.0±0.5

3.4±0.3

1.0±0.1

s

特点

q

q

q

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

N型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

60

80

60

80

6

5

3

35

1.3

150

-55到+150

单位

V

1.5±0.1

1.5max.

10.5min.

2.0

1.1max.

0.8±0.1

0.5max.

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1252

2SD1252A

2SD1252

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

2.54±0.3

5.08±0.5

1

2

3

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型套餐

单位：mm

3.4±0.3

1.0±0.1

8.5±0.2

6.0±0.3

发射极电压2SD1252A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

14.7±0.5

4.4±0.5

00.4

1.5

–0.4

V

A

A

W

C

C

10.0±0.3

4.4±0.5

2.0

0.8±0.1

2.54±0.3

R0.5

R0.5

1.1最大。

5.08±0.5

1

2

3

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型封装（ DS ）

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1252

2SD1252A

2SD1252

2SD1252A

2SD1252

2SD1252A

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CE

= 60V, V

BE

= 0

V

CE

= 80V, V

BE

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

CE

= 60V ，我

B

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 3A

V

CE

= 4V ，我

C

= 3A

I

C

= 3A ，我

B

= 0.375A

V

CE

= 5V ，我

C

= 0.5A ， F = 10MHz时

I

C

= 1A ，我

B1

= 0.1A ，我

B2

= – 0.1A,

V

CC

= 50V

30

0.5

2.5

0.4

60

80

40

10

1.8

1.2

V

V

兆赫

s

s

s

250

民

典型值

最大

200

200

300

300

1

单位

A

A

mA

V

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

R

4090

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE1

3.0

–0.2

+0.4

+0

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

1.2

(1) T

C

= TA

（2）在一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

(P

C

=1.3W)

T

C

=25C

1.0

I

B

=7mA

2SD1252 ， 2SD1252A

I

C

— V

CE

8

V

CE

=4V

7

25C

6

5

4

3

2

1

0

0

4

8

12

16

20

24

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

T

C

=100C

–25C

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

(1)

30

0.8

5mA

4mA

0.6

3mA

0.4

2mA

0.2

20

10

(2)

(3)

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

1mA

0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

40

6mA

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

I

C

/I

B

=10

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=4V

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

f

T

— I

C

V

CE

=5V

f=10MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

3

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

1

T

C

=100C

0.3

25C

–25C

–25C

0.1

0.03

0.01

0.01

0.03

0.1

0.3

1

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

(1)

(2)

10

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

I

CP

I

C

300ms

t=10ms

1ms

1

2SD1252A

2SD1252

10

–1

3

10

30

100

300

1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

功率晶体管

2SB929 ， 2SB929A

PNP硅外延平面型

进行功率放大

10.0±0.3

1.5±0.1

8.5±0.2

6.0±0.5

3.4±0.3

单位：mm

1.0±0.1

补充2SD1252和2SD1252A

s

特点

q

q

q

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

N型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–5

–5

–3

35

1.3

150

-55到+150

单位

V

1.5max.

1.1max.

10.5min.

2.0

0.8±0.1

0.5max.

2.54±0.3

5.08±0.5

1

2

3

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB929

2SB929A

2SB929

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型套餐

单位：mm

3.4±0.3

1.0±0.1

8.5±0.2

6.0±0.3

发射极电压2SB929A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

14.7±0.5

4.4±0.5

00.4

V

A

A

W

10.0±0.3

1.5

–0.4

4.4±0.5

2.0

0.8±0.1

2.54±0.3

R0.5

R0.5

1.1最大。

5.08±0.5

C

C

1

2

3

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB929

2SB929A

2SB929

2SB929A

2SB929

2SB929A

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

I

C

= -1A ，我

B1

= - 0.1A ，我

B2

= 0.1A

条件

V

CE

= –60V, V

BE

= 0

V

CE

= –80V, V

BE

= 0

V

CE

= -30V ，我

B

= 0

V

CE

= -60V ，我

B

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -30mA ，我

B

= 0

V

CE

= -4V ，我

C

= –1A

V

CE

= -4V ，我

C

= –3A

V

CE

= -4V ，我

C

= –3A

I

C

= -3A ，我

B

= – 0.375A

V

CE

= -10V ，我

C

= - 0.5A ， F = 10MHz时

30

0.5

1.2

0.3

–60

–80

70

10

民

典型值

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型封装（ DS ）

最大

–200

–200

–300

–300

–1

3.0

–0.2

+0.4

+0

单位

A

A

mA

V

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

250

–1.8

–1.2

V

V

兆赫

s

s

s

等级分类

Q

70至150

P

120至250

注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩

FE1

= 70 250）中的

等级分类。

秩

h

FE1

1

功率晶体管

P

C

- TA

40

2SB929 ， 2SB929A

I

C

— V

CE

–6

T

C

=25C

–5

–10

V

CE

=–4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

35

30

25

20

15

10

5

(3)

0

0

20

40

集电极电流I

C

(A)

I

B

=–100mA

–4

–80mA

–60mA

–3

–40mA

–30mA

–20mA

集电极电流I

C

(A)

(1) T

C

= TA

（2）在一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

(P

C

=1.3W)

–8

–6

25C

T

C

=100C

–4

–25C

(1)

–2

–1

(2)

0

60

80 100 120 140 160

0

–2

–16mA

–4

–6

–8

–12mA

–8mA

–4mA

–2

0

–10

–12

0

– 0.4

– 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

I

C

/I

B

=10

–30

–10

–3

–1

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=–4V

3000

1000

300

100

30

10

3

f

T

— I

C

V

CE

=–5V

f=10MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

25C

T

C

=100C

–25C

– 0.3

T

C

=100C

–25C

25C

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

过渡频率f

T

（兆赫）

–1

–3

–10

3000

–1

–3

–10

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

–10

I

CP

–3

I

C

10ms

–1

t=1ms

10

3

不重复

脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

(1)

(2)

10

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

– 0.3

300ms

1

– 0.1

2SB929

– 0.03

2SB929A

10

–1

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

SMD型

晶体管

硅NPN三重扩散接合型

2SD1252,2SD1252A

TO-252

单位：mm

+0.1

2.30

-0.1

特点

功率晶体管。

+0.15

1.50

-0.15

+0.15

6.50

-0.15

+0.2

5.30

-0.2

0.50

+0.8

-0.7

+0.2

9.70

-0.2

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

2SD1252

2SD1252A

集电极 - 发射极电压

2SD1252

2SD1252A

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

TA = 25

TC = 25

结温

储存温度

T

j

T

英镑

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

60

80

60

80

6

3

5

1.3

35

150

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

A

A

W

W

3

.8

0

www.kexin.com.cn

1

SMD型

2SD1252,2SD1252A

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极电压

2SD1252

2SD1252A

基射极电压

集电极 - 发射极截止电流

2SD1252

2SD1252A

集电极 - 发射极截止电流

2SD1252

2SD1252A

发射基截止电流

正向电流传输比

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

2SD1252

2SD1252A

开启时间

贮存时间

下降时间

吨

TSTG

tf

I

C

=1A

I

B1

=-I

B2

=0.1 A

V

CC

=50V

I

EBO

h

FE

I

首席执行官

V

BE

I

CES

V

CE

= 4 V，I

C

= 3 A

V

CE

= 60 V, V

BE

= 0

V

CE

= 80 V, V

BE

= 0

V

CE

= 30 V，I

B

= 0

V

CE

= 40 V，I

B

= 0

V

EB

= 6 V，I

C

= 0

V

CE

= 4 V，I

C

= 1 A

V

CE

= 4 V，I

C

= 3 A

V

CE （ SAT ）

I

C

= 3 A，I

B

= 0.375 A

f

T

V

CE

= 5 V，I

C

= 0.5 A ， F = 10 MHz的

符号

V

首席执行官

Testconditons

I

C

= 30 mA时，我

B

= 0

晶体管

民

60

80

典型值

最大

单位

V

V

1.8

200

200

300

300

1

40

10

1.2

30

25

0.5

2.5

0.4

250

V

ìA

ìA

ìA

ìA

mA

V

兆赫

兆赫

ìs

ìs

ìs

h

FE

分类

秩

h

FE

R

40 90

Q

70 150

P

120 250

2

www.kexin.com.cn

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1252,2SD1252A

TO-252

单位：mm

+0.1

2.30

-0.1

特点

功率晶体管。

+0.15

1.50

-0.15

+0.15

6.50

-0.15

+0.2

5.30

-0.2

0.50

+0.8

-0.7

+0.2

9.70

-0.2

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

2SD1252

2SD1252A

集电极 - 发射极电压

2SD1252

2SD1252A

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

TA = 25

TC = 25

结温

储存温度

T

j

T

英镑

V

EBO

I

C

I

CP

P

C

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

60

80

60

80

6

3

5

1.3

35

150

-55到+150

单位

V

V

V

V

V

A

A

W

W

3

.8

0

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1 2

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

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电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极电压

2SD1252

2SD1252A

基射极电压

集电极 - 发射极截止电流

2SD1252

2SD1252A

集电极 - 发射极截止电流

2SD1252

2SD1252A

发射基截止电流

正向电流传输比

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

2SD1252

2SD1252A

开启时间

贮存时间

下降时间

吨

TSTG

tf

I

C

=1A

I

B1

=-I

B2

=0.1 A

V

CC

=50V

I

EBO

h

FE

I

首席执行官

V

BE

I

CES

V

CE

= 4 V，I

C

= 3 A

V

CE

= 60 V, V

BE

= 0

V

CE

= 80 V, V

BE

= 0

V

CE

= 30 V，I

B

= 0

V

CE

= 40 V，I

B

= 0

V

EB

= 6 V，I

C

= 0

V

CE

= 4 V，I

C

= 1 A

V

CE

= 4 V，I

C

= 3 A

V

CE （ SAT ）

I

C

= 3 A，I

B

= 0.375 A

f

T

V

CE

= 5 V，I

C

= 0.5 A ， F = 10 MHz的

30

25

0.5

2.5

0.4

40

10

1.2

V

兆赫

兆赫

ìs

ìs

ìs

符号

V

首席执行官

Testconditons

I

C

= 30 mA时，我

B

= 0

民

60

80

1.8

200

200

300

300

1

250

典型值

最大

单位

V

V

V

ìA

ìA

ìA

ìA

mA

h

FE

分类

秩

h

FE

R

40 90

Q

70 150

P

120 250

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