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2SD668 ， 2SD668A

NPN硅外延

应用

低频高电压放大器互补配对2SB648 / A

概要

TO- 126 MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

2SD668

180

120

100

150

-55到+150

2SD668A

180

160

100

150

-55到+150

单位

°C

2SD668 ， 2SD668A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD668

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

民

180

120

—

2SD668A

最大

—

320

—

1.5

—

民

180

160

—

典型值

—

140

3.5

最大

—

200

—

1.5

—

兆赫

单位

测试条件

= 10 μA ，我

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10 μA ，我

= 0

= 160 V，I

= 0

= 5 V，I

= 10毫安

= 5 V，I

= 1毫安

= 30 mA时，我

= 3毫安

= 5 V，I

= 10毫安

= 10 V，I

= 10毫安

= 10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

典型值

—

140

3.5

集电极截止电流I

CBO

直流电流传输

比

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

—

基极至发射极电压V

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

注意：

COB

1. 2SD668和2SD668A是用h分组

FE1

如下。

100至200

160到320

—

2SD668

2SD668A

60至120

2SD668 ， 2SD668A

最大集电极耗散曲线

1.5

集电极耗散功率PC（ W）

1.0

0.5

100

环境温度Ta （C ）

典型的输出特性

150

集电极电流I

（MA ）

100

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

典型的传输特性

100

集电极电流I

（MA ）

= 5 V

TA = 75

°C

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

基极至发射极电压V

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

280

直流电流传输比H

240

200

160

120

0.5

–25

TA = 75℃

= 5 V

1.0

集电极电流I

（MA ）

–25

2SD668 ， 2SD668A

1.2

= 10 l

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–0.1

集电极电流I

（MA ）

CE （SAT）

BE （SAT）

TA = -25

°C

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

–25

0.04

增益带宽积

与集电极电流

500

增益带宽乘积F

（兆赫）

= 10 V

200

100

集电极电流I

（MA ）

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

F = 1 MHz的

= 0

1.0

0.5

50 100

集电极基极电压V

(V)

集电极到发射极饱和电压V

CE （SAT）

(V)

饱和电压与集电极电流

基地发射极饱和电压V

BE （SAT）

(V)

2SD668 ， 2SD668A

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