2SK2649-01R
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
-
-
-
-
-
-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
800V
1,5
9A
100W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（
T
C
=25°C),
除非另有说明
＆ GT ;等效电路
等级
800
9
36
±30
9
141
100
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
°C
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
重复或不重复（T
ch
≤
150°C)
雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
I
AR
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
- 电气特性（T
C
=25°C),
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=800V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=4,5A
V
GS
=10V
I
D
=4,5A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
D
=9A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
800
3,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,28
6
1200
180
90
30
120
95
60
1,0
900
12
马克斯。
4,5
500
1,0
100
1,50
9,0
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
30
1,25
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一
2SK2649-01R
FAP -IIS系列
＆ GT ;产品特点
-
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-
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高压
V
GS
= ± 30V保证
额定重复性雪崩
N沟道MOS - FET的
800V
1,5
9A
100W
＆ GT ;外形图
＆ GT ;应用程序
-
-
-
-
开关稳压器
UPS
DC- DC转换器
通用功率放大器
＆ GT ;最大额定值和特性
- 绝对最大额定值（
T
C
=25°C),
除非另有说明
＆ GT ;等效电路
等级
800
9
36
±30
9
141
100
150
-55 ~ +150
单位
V
A
A
V
A
mJ
W
°C
°C
项
漏源电压
连续漏极电流
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
重复或不重复（T
ch
≤
150°C)
雪崩能量
马克斯。功耗
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
D（ PULS ）
V
GS
I
AR
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
- 电气特性（T
C
=25°C),
项
漏源击穿电压
门门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
on
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
R
g
C
C
C
t
t
t
t
I
V
t
Q
GSS
DS （ ON）
fs
国际空间站
OSS
RSS
D（上）
r
D（关闭）
f
AV
SD
rr
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS =
V
GS
V
DS
=800V
T
ch
=25°C
V
GS
=0V
T
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=125°C
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GS
=±30V
V
DS
=0V
I
D
=4,5A
V
GS
=10V
I
D
=4,5A
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DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
D
=9A
V
GS
=10V
R
GS
=10
T
ch
=25°C
L = 100μH
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
- 二
F
/ DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
800
3,5
典型值。
4,0
10
0,2
10
1,28
6
1200
180
90
30
120
95
60
1,0
900
12
马克斯。
4,5
500
1,0
100
1,50
9,0
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
V
ns
C
- 热特性
项
热阻
符号
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
测试条件
通道的空气
渠道情况
分钟。
典型值。
马克斯。
30
1,25
单位
° C / W
° C / W
Collmer半导体 - P.O.箱702708 - 德克萨斯州达拉斯 - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481传真 - www.collmer.com - 九十八分之一十一
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