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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1191
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 60V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 2000 （最小值） @I
C
= 3.5A
ULOW
饱和电压
.Complement
到类型2SB881
应用
·设计
电机驱动器，打印机锤驱动器，继电器
驱动器，电压调节器的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
70
V
60
V
6
V
7
A
10
A
1.75
W
30
℃
I
C
集电极电流连续
I
CP
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
I
C
= 3.5A ;我
B
= 7毫安
I
C
= 3.5A ;我
B
= 7毫安
V
CB
= 40V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
民
60
70
典型值。
2SD1191
最大
单位
V
V
1.5
2.0
100
3.0
V
V
μA
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 3.5A ; V
CE
= 2V
2000
I
C
= 3.5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 3A ，我
B1
= -I
B2
= 6毫安
R
L
= 6.7Ω; V
CC
= 20V;
P
W
= 50μs的;值班Cycle≤1 ％
mA
20
兆赫
0.6
3.0
1.7
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1191
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 60V （最小值）
高
直流电流增益
: h
FE
= 2000 （最小值） @I
C
= 3.5A
ULOW
饱和电压
.Complement
到类型2SB881
应用
·设计
电机驱动器，打印机锤驱动器，继电器
驱动器，电压调节器的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
70
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流连续
7
A
I
CP
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
10
A
1.75
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
30
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
I
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= 3.5A ;我
B
= 7毫安
I
C
= 3.5A ;我
B
= 7毫安
V
CB
= 40V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 3.5A ; V
CE
= 2V
I
C
= 3.5A ; V
CE
= 5V
2000
20
民
60
70
典型值。
2SD1191
最大
单位
V
V
1.5
2.0
100
3.0
V
V
μA
mA
兆赫
开关时间
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3A ，我
B1
= -I
B2
= 6毫安
R
L
= 6.7Ω; V
CC
= 20V;
P
W
= 50μs的;值班Cycle≤1 ％
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2SD1209K
2SC3066
2305MI-1
23S05E-1HDCGI
2SA1006
2SD2670
供货商
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD1191
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    终端采购配单精选

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深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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