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2SD1209(K)
硅NPN外延，达林顿
应用
低频功率放大器
互补配对2SA1193 （ K）
概要
TO-92MOD
2
3
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
3
2
1
2SD1209(K)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
60
60
7
1
2
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
注意：
1.脉冲测试
符号
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
民
60
—
—
4000
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
—
100
100
—
1.5
2.0
V
V
单位
V
A
A
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
V
CE
= 60 V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 0.5 A*
1
I
C
= 500毫安，我
B
= 0.5毫安*
1
I
C
= 500毫安，我
B
= 0.5毫安*
1
2
2SD1209(K)
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
10
5
i
C（峰值）
PW
TA = 25°C
1次脉冲
0.8
2
1.0
0.5
=1
ms
10
0.4
ms
0.2
0.1
10
20
50 100
1.0
2
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
100
150
50
环境温度Ta （C ）
典型的输出特性
0.5
TA = 25°C
脉冲
16
14
12
10
8
6
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10
5
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(A)
0.4
75
25
TA = -25°C
0.3
4
10
4
V
CE
= 3 V
脉冲
0.2
2
A
0.1
I
B
= 0
0
3
4
5
1
2
集电极到发射极电压V
CE
(V)
10
3
0.5
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
集电极电流I
C
(A)
1.0
3
2SD1209(K)
典型的传输特性
10
0.5
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 3 V
TA = 25°C
脉冲
集电极到发射极饱和电压V
CE （ satj ）
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
10
5
2
TA = -25°C
1.0
0.5
25
75
I
C
= 1000 I
B
脉冲
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.2
0.1
0.01 0.02
2
5
10
0.2
0.5 1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
0.05 0.1 0.2
0.5
集电极电流I
C
(A)
1.0
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
5
TA = -25°C
I
C
= 1000 I
B
脉冲
2
1.0
25
0.5
75
0.2
0.1
0.01 0.02
0.5
0.05 0.1 0.2
集电极电流I
C
(A)
1.0
4
单位：mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
0.65
±
0.1
0.75最大
0.5
±
0.1
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-92国防部
—
符合
0.35 g
2SD1209(K)
硅NPN外延，达林顿
REJ03G0783-0200
（上ADE- 208-1143 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
低频功率放大器
互补配对2SA1193 （ K）
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A
（包名称： TO- 92 MOD）
2
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
1
3
2
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
60
60
7
1
2
0.9
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页5
2SD1209(K)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
注：1，脉冲测试
符号
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
民
60
—
—
4000
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
最大
—
100
100
—
1.5
2.0
单位
V
A
A
V
V
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
V
CE
= 60 V ，R
BE
=
∞
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 0.5 A*
1
I
C
= 500毫安，我
B
= 0.5毫安*
1
I
C
= 500毫安，我
B
= 0.5毫安*
1
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5
2SD1209(K)
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
10
安全工作区
集电极电流I
C
(A)
5
i
C（峰值）
TA = 25°C
1次脉冲
0.8
2
1.0
0.5
PW
=1
10
0.4
ms
ms
0.2
0.1
1.0
0
50
100
150
2
5
10
20
50
100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10
5
典型的输出特性
0.5
TA = 25°C
脉冲
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(A)
0.4
16
14
12
10
8
75
25
TA = -25°C
6
0.3
4
10
4
V
CE
= 3 V
脉冲
0.2
2
A
0.1
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
10
3
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
10
5
2
TA = -25°C
1.0
0.5
25
75
I
C
= 1000 I
B
脉冲
典型的传输特性
10
集电极电流I
C
(A)
0.5
V
CE
= 3 V
TA = 25°C
脉冲
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
0.2
0.1
0.01 0.02
0.2
0.5
1.0
2
5
10
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(A)
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5
2SD1209(K)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
5
TA = -25°C
I
C
= 1000 I
B
脉冲
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
2
1.0
25
0.5
75
0.2
0.1
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
集电极电流I
C
(A)
Rev.2.00 2005年8月10日第4
2SD1209(K)
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-51
瑞萨代码
PRSS0003DC-A
包名称
的TO- 92国防部/ TO-92 ModV
质量[典型值]
0.35g
单位：mm
4.8 ± 0.4
3.8 ± 0.4
0.65 ± 0.1
0.75最大
0.55最大
0.60 MAX
2.3最大
0.7
10.1敏
8.0 ± 0.5
0.5最大
1.27
2.54
订购信息
部件名称
2SD1209KTZ-E
QUANTITY
2500
中海集装箱
按住盒子，径向编带
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年8月10日第5
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2SA1006
2SD2670
27C512-25/L
2SB1160
2SD2344
2289
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