2SK3502-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
200303
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
600
A
I
D
±12
A
I
D（ PULS ]
±48
V
V
GS
±30
A
I
AR * 2
12
mJ
E
AS * 1
183
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
KV / μs的
dv / dt的
*3
5
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
70
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
隔离电压
V
ISO
*5
2
kVRMS的
<150°C
* 1 L = 2.33mH ， VCC = 60V ，看到雪崩能量图* 2 =总胆固醇
*3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS < 600V * 5 T = 60秒， F = 60Hz的
=
=
=
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5A V
GS
=10V
I
D
= 5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=10A
V
GS
=10V
L = 2.33mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.75
单位
V
V
A
nA
S
pF
4
10
0.58
8
1200
1800
140
210
6
9
17
26
15
23
35
53
7
11
30
45
11
16.5
10
15
1.00
0.75
5.0
ns
nC
12
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.79
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3502-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
100
500
450
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E
AS
= F （首发TCH） ： VCC = 60V
80
400
350
I
AS
=5A
60
300
E
AS
[兆焦耳]
0
25
50
75
100
125
150
PD [ W]
250 I
AS
=8A
200
150 I
AS
=12A
40
20
100
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[
°
C]
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
22
20
18
10
16
14
20V
10V
8V
7.5V
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
12
7.0V
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
VGS=6.5V
ID [ A]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
VGS=6.5V
7.0V
1.5
RDS （上）
]
10
GFS [S]
1.0
7.5V8V 10V
20V
1
0.5
0.1
0.1
1
10
0.0
0
5
10
15
20
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3502-01MR
FUJI功率MOSFET
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5A ， VGS = 10V
2.0
1.8
1.6
1.4
7.0
6.5
6.0
5.5
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
5.0
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
分钟。
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
典型值。
马克斯。
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
24
22
20
18
16
480V
VCC = 120V
300V
1n
VGS = F量（Qg ） ： ID = 10A ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
VGS电压[V]的
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1p
10
-1
C [ F]
100p
科斯
10p
CRSS
10
0
10
1
10
2
10
3
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
100
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
2
tr
TD （关闭）
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tf
1
10
0.1
0.00
0
0.25
0.50
0.75
1.00
VSD [V]的
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
1
ID [ A]
3
2SK3502-01MR
FUJI功率MOSFET
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
10
2
最大雪崩电流与脉冲宽度
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=60V
雪崩电流I
AV
[A]
单脉冲
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
http://www.fujielectric.cp.jp/denshi/scd/
4
2SK3502-01MR
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
评级
单位
V
V
DS
600
A
I
D
±10
A
I
D（ PULS ]
±40
V
V
GS
±30
A
I
AR * 2
10
mJ
E
AS * 1
217
KV / μs的
dV
DS
/ DT
*4
20
dv / dt的
*3
5
KV / μs的
°C
P
D
Ta=25
2.16
W
°C
Tc=25
50
工作和存储
T
ch
+150
°C
-55到+150
温度范围
T
英镑
°C
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
* 1 L = 3.99mH ， VCC = 60V * 2总胆固醇<150 ° C * 3 I
F
=
=
=
=
* 4 VDS < 600V
=
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 5A V
GS
=10V
I
D
= 5A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 300V我
D
=5A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=250V
I
D
=10A
V
GS
=10V
L = 3.99mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 10A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.75
单位
V
V
A
nA
S
pF
4
10
0.58
8
1200
1800
140
210
6
9
17
26
15
23
35
53
7
11
30
45
11
16.5
10
15
1.00
0.75
5.0
ns
nC
10
1.50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.5
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3502-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
60
300
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V ， I（ AV） < = 10A
50
250
40
200
30
EAV [兆焦耳]
0
25
50
75
100
125
150
PD [ W]
150
20
100
10
50
0
0
0
25
50
75
100
125
150
TC [
°
C]
开始总胆固醇[C]
°
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
22
20
18
10
16
14
20V
10V
8V
7.5V
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
12
7.0V
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
VGS=6.5V
ID [ A]
1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
2.0
VGS=6.5V
7.0V
1.5
RDS （上）
]
10
GFS [S]
1.0
7.5V8V 10V
20V
1
0.5
0.1
0.1
1
10
0.0
0
5
10
15
20
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3502-01MR
FUJI功率MOSFET
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 5A ， VGS = 10V
2.0
1.8
1.6
1.4
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
马克斯。
VGS （ TH） [V]
RDS （上）
]
4.5
4.0
3.5
3.0
分钟。
典型值。
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
典型值。
马克斯。
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [
°
C]
TCH [
°
C]
典型栅极电荷特性
24
22
20
18
16
480V
VCC = 120V
300V
1n
VGS = F量（Qg ） ： ID = 10A ，总胆固醇= 25°C
10n
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
西塞
VGS电压[V]的
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1p
10
-1
C [ F]
100p
科斯
10p
CRSS
10
0
10
1
10
2
10
3
QG [ NC ]
VDS [V]的
反向二极管的典型正向特性
100
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10Ω
IF = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
10
10
2
tr
TD （关闭）
IF [ A]
T [ NS ]
TD （上）
10
1
tf
1
10
0.1
0.00
0
0.25
0.50
0.75
1.00
VSD [V]的
1.25
1.50
1.75
2.00
10
0
10
1
ID [ A]
3
2SK3502-01MR
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
10
1
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
第i （ CH-C ） [C / W]
o
10
-1
0.02
0.01
t
10
-2
D=
t
T
0
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25°C 。 VCC = 60V
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
单脉冲
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
4
QQ：2881677436 复制
