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订购数量: ENA0994
2SC6091
三洋半导体
数据表
2SC6091
特点
NPN型三重扩散平面硅晶体管
彩色电视水平偏转
输出的应用
高速。
高击穿电压( VCBO = 1500V ) 。
采用高可靠性HVP过程。
通过MBIT过程。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
1500
700
5
8
20
3.0
65
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家维持电压
发射Cuto FF电流
符号
ICBO
VCEO ( SUS)
IEBO
条件
VCB = 800V , IE = 0A
VCE = 1500V , RBE = 0Ω
IC = 100mA时IB = 0A
VEB = 4V , IC = 0A
700
1
评级
典型值
最大
10
10
单位
A
mA
V
mA
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,航天
仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号控制系统,安全
设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁到人的生命的情况下,
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中,也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围,请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询,我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能,特点,以及在独立的状态下所描述的产品的功能,并且不
的性能,特点,以及所述产品的功能,作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状,并且不能在一个独立的评估状态
设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
D0507KC TI IM TC- 00000485号A0994-1 / 4
2SC6091
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE ( SAT )
hFE1
hFE2
tf
条件
IC = 2.25A , IB = 0.45A
IC = 4.5A , IB = 0.9A
IC = 4.5A , IB = 0.9A
VCE = 5V , IC = 1A
VCE = 5V , IC = 5A
IC = 3A , IB1 = 0.6A , IB2 = -
-1.2A
评级
0.1
典型值
最大
0.3
2
1.5
10
5.3
7.5
0.2
s
单位
V
V
V
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7504-001
16.0
3.4
5.6
3.1
开关时间测试电路
IB1
输入
PW=20s
D.C.≤1%
50
VR
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=200V
IB2
RB
产量
5.0
RL
66.7
21.0
22.0
8.0
4.0
2.8
2.0
0.7
20.4
0.9
1
2
5.45
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
三洋: TO- 3PMLH
5.45
3.5
8
7
IC - VCE
2
.0A
1.8A
0.8
2.1
9
IC - VBE
VCE=5V
Collecotr电流, IC - 一个
6
5
4
3
2
集电极电流, IC - 一个
1.6A
1.4A
1.2A
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
0.2A
0.05A
8
7
6
5
4
3
2
1
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IB=0A
9
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
IT02644
集电极 - 发射极电压VCE - V
7
5
3
IT02643
5
3
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
VCE (SAT) - IC
TA
1
20
°
C
25
°
C
--40
°
C
Ta=120
°
C
25
°
C
VCE=5V
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
IC / IB = 5
2
1.0
7
5
3
2
直流电流增益, hFE参数
2
--40
°
C
10
7
5
3
2
0.1
7
5
TA = --40
°
C
120
°
C
2
3
5
7
1.0
2
3
5
10
IT02646
7
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极电流, IC - 一个
10
IT02645
7
3
0.1
集电极电流, IC - 一个
第A0994-2 / 4
25
°
C
2SC6091
7
5
SW时间 - IC
TSTG
切换时间, SW时间 -
s
3
2
切换时间, SW时间 -
s
VCC=200V
IC / IB1 = 5
IB2 / IB1 = 2
R LOAD
10
7
5
3
2
SW时间 - IB2
VCC=200V
IC=3A
IB1=0.6A
R LOAD
ts
tg
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
tf
tf
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
正向偏置S 0
5
3
2
5
集电极电流, IC - 一个
10
IT02647
7
0.1
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
反向偏置一个S 0
3
2
基极电流IB2 - 一个
IT02648
ICP=20A
0
=1
PT
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
IC=8A
P
C =6
5W
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
30
s
1m
0
s
0
s
10
ms
DC
op
ATI
er
on
0.01
1.0
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
L=500H
IB2 = --1A
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 100
2
3
5
7 1000
2
3
3
5 7 1000
IT02649
10
集电极 - 发射极电压VCE - V
3.5
集电极 - 发射极电压VCE - V
70
65
IT02650
PC - TA
PC - 锝
3.0
60
集电极耗散,电脑 - 含
2.5
集电极耗散,电脑 - 含
50
2.0
No
40
1.5
he
at
k
30
1.0
20
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT02651
外壳温度,TC -
°C
IT02652
第A0994-3 / 4
2SC6091
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数) 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起麻烦
烟雾或火灾,事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用
安全的措施,确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路,电路错误预防安全的设计,多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
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机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,或其他方式,
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产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品,既没有担保也没有牌照,应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
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更改,恕不另行通知。
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原厂一级代理,原装现货
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TO-218
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:何小姐
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2SC6091
SANYO/三洋
20+
13000
TO-3PF
全新原装正品/质量有保证
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SANYO/三洋
21+
31
TO-3PF
全新原装正品/质量有保证
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC6091
SANYO/三洋
2024
20000
TO-3PF
原装现货上海库存,欢迎咨询
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联系人:销售部
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SANYO/三洋
2024
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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