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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第34页 > 2SB1481
2SB1481
东芝晶体管PNP硅外延型
2SB1481
切换应用程序
单位：mm
高直流电流增益：H
FE
= 2000 （分钟） （V
CE
=
2
V，I
C
=
1.5
A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
=
1.5
V（最大值） （我
C
=
3
A)
补充2SD2241
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
5
±4
±6
0.3
2.0
25
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1A
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
等效电路
集热器
BASE
≈
4.5 k
≈
300
辐射源
1
2006-11-21
2SB1481
电气特性
（ TC = 25 ° C）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极反向电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
V
首席执行官
t
on
测试条件
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
10
妈，我
B
=0
V
CE
=
2
V，I
C
=
1.5
A
V
CE
=
2
V，I
C
=
3
A
I
C
=
3
A，I
B
=
6
mA
I
C
=
3
A，I
B
=
6
mA
I
C
= 1 A，I
B
= 0
民
―
―
100
2000
1000
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
最大
2.0
2.5
―
―
―
1.5
2.0
2.0
V
V
V
单位
μA
mA
V
开启时间
20
μs
I
B2
产量
I
B2
输入
I
B1
10
―
0.15
―
I
B1
开关时间
贮存时间
t
英镑
―
0.80
―
μs
V
CC
≈ 30
V
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
= 6毫安，占空比
≤
1%
―
0.40
―
记号
B1481
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-21
2SB1481
I
C
– V
CE
5
共发射极
TC = 25°C
4
500
3
450
400
350
2
300
4
I
C
– V
BE
共发射极
VCE =
2
V
(A)
(A)
集电极电流I
C
3
集电极电流I
C
2
TC = 100℃
1
25
55
1
250
IB =
200 μA
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
10000
5
V
CE （SAT）
– I
C
共发射极
3
IC / IB = 500
直流电流增益
FE
5000
3000
TC = 100℃
25
55
1000
共发射极
VCE =
2
V
300
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
1
TC =
55°C
25
100
0.5
0.3
0.1
)
500
0.3
0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
10
集成电路最大值（脉冲） *
5
100
μs*
1毫秒*
10毫秒*
100毫秒*
10
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
集电极电流I
C
共发射极
5
3
TC =
55°C
25
1
100
IC / IB = 500
(A)
V
BE （SAT）
– I
C
3
IC MAX（连续）
1
0.5
0.3
*:
单一不重复的脉冲
TC = 25°C
0.1
曲线必须线性降额
0.05
温度上升。
0.03
0.3
1
3
10
0.5
0.1
最大VCEO
30
100
0.3
0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
3
2006-11-21
2SB1481
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-21
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1481
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
=
2000 （最小值） @ （V
CE
= -2V ，我
C
= -1.5A)
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大值） @
(I
C
= -3A ，我
B
= -6mA ）
.Complement
到类型2SD2241
B
应用
高
电源开关应用。
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-100
单位
V
-100
-5
V
V
-4
-6
-0.3
2
W
25
150
-55~150
℃
℃
A
A
A
集电极电流连续
集电极电流脉冲
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
储存温度
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1481
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
= 0
-100
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-1.5
V
基射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-2.0
发射Cuto FF电流
-2.5
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
V
ECF
C- ê二极管正向电压
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -1.5A ; V
CE
= -2V
2000
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
1000
I
F
= 1A
I
C
= -3A ，我
B1
= -I
B2
= -6mA ，
V
CC
≈
-30V ;
L
= 10Ω
2.0
V
0.15
μs
μs
μs
0.80
下降时间
0.40
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1481
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SD2241
·高直流电流增益。
·低饱和电压。
·达林顿
应用
·对于功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-5
±4
±6
25
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-6mA
I
C
= -3A ;我
B
=-6mA
V
CB
=-100V;I
E
=0
V
EB
=-5V;I
C
=0
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -3A ; V
CE
=-2V
I
C
= 1A ;我
B
=0
2000
1000
民
-100
2SB1481
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
V
ECO
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-2
-2.5
V
V
A
mA
2.0
V
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=-6mA
V
CC
@-30V;
R
L
=10A
0.15
0.80
0.40
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1481
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1481
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
=
2000 （最小值） @ （V
CE
= -2V ，我
C
= -1.5A)
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大值） @
(I
C
= -3A ，我
B
= -6mA ）
.Complement
到类型2SD2241
B
应用
高
电源开关应用。
·哈默
驱动器，脉冲电机驱动应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流脉冲
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
价值
-100
-100
-5
-4
-6
-0.3
2
W
单位
V
V
V
A
A
A
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1481
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
= 0
-100
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-1.5
V
基射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -6mA
B
-2.0
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-2.0
发射Cuto FF电流
-2.5
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1.5A ; V
CE
= -2V
2000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
= -2V
1000
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 1A
2.0
V
开关时间
μs
μs
μs
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
I
C
= -3A ，我
B1
= -I
B2
= -6mA ，
V
CC
≈
-30V ;
L
= 10Ω
0.15
贮存时间
0.80
下降时间
0.40
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
Ls
（ Iziieu ^英镑.mi- （ 2onductoi ^ -Pioducti ，尤娜。
iJ
电话： （ 973 ） 376-2922
(212) 227-6005
传真： （ 973 ） 376-8960
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1481
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
:V
（ BR ）
cEo=-100V(Min)
高直流电流GAIN-
: h
FE
= 2000 （最小值） @ （V
CE
= -2V ，L
c
= -1.5A)
低集电极饱和电压 -
: V
C
E（坐） = -1.5V （最大值） @ （L
c
= -3A ，我
B
= -6mA ）
补到类型2SD2241
T
2
W
!
1 2 3
-lw “
R
.
' 1
fff
—T^-
1
'
P
1.BA3E
2.收集
3.BMITTER
应用
高功率开关应用。
锤驱动器，脉冲电机驱动应用，
__
B
TO- 220F封装
- C
-
. _
p
绝对最大额定值（T
a
=25'C)
符号
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流脉冲
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25'C
价值
单位
V
p
, .
-'...-'
.
}
r;
_
UI ° Q
0
-.- * " “
'
A
VCBO
VCEO
VEBO
-100
-100
-5
^
rt
- >
i
. . '*
,
1
H
~';j,,
'
-R-
V
V
“ "D
N -
j -
Ic
-4
A
mm
我厘米
-6
A
IB
-0.3
2
A
PC
W
集电极耗散功率
@T
C
=25°C
结温
储存温度
25
Tj
TSTG
150
r
c
-55-150
暗淡
民
最大
A 14.95 15.05
B 10.00 10.10
C 4.40 4.60
D 0.75 0.80
F 3.10 3.30
H 3.70 3.90
J 0.50 0.70
K 13.4
13.6
1.30
L 1.10
N 5.00 5.20
Q 2.70 2.90
R 2.20 2.40
S 2.65 2.85
U 6.40 6.60
NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠在即将所述时间
按。然而， NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
Tj=25°C
除非另有说明
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1481
最大
单位
V（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
l
c
= -10rnA ;我
B
= 0
-100
V
VCE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
LC = -3A ;我
B
= -6mA
-1.5
V
VEE （SAT）
基射极饱和电压
LC = -3A ;我
B
= -6mA
-2.0
V
ICBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
=0
-2.0
uA
IEBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
0
= 0
-2.5
mA
hpE-1
hFE-2
直流电流增益
LC = -1.5A ; V
CE
=-2V
2000
直流电流增益
LC = -3A ; V
CE
= -2V
1000
VECF
C- ê二极管正向电压
I
F
=1A
2.0
V
开关时间
吨
开启时间
I
C
= -3A ，L
B
i=-lB2=-6mA,
V
GC
= -30V ; R
L
=10fi
0.15
W S
TSTG
贮存时间
0.80
us
tf
下降时间
0.40
us
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