UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2N7002L
初步
功率MOSFET
60V , 115毫安,N - CHANNEL
MOSFET
描述
在UTC
2N7002L
采用先进的技术来提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
3
2
1
特点
* R
DS ( ON)
= 7.5 @V
GS
= 10 V
*低反向传输电容(C
RSS
=典型5 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
SOT-23-3
( JEDEC TO- 236 )
符号
3.排水
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
2N7002LG-AE2-R
包
SOT-23-3
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R502-284.c
2N7002L
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
参数
漏源电压
漏,栅极电压(R
G
=1.0M)
连续
栅源电压
不重复(T
P
≦50
μ
s)
漏电流
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
评级
60
60
±20
±40
单位
V
V
V
V
连续(T
C
=25°C)
±115
I
D
mA
脉冲(注2 )
±800
225
mW
功率耗散(T
a
= 25°C)
P
D
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
结温
T
J
°C
+150
储存温度
T
英镑
°C
-55 ~ +150
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度≦ 300μS ,占空比≦ 2 %
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
556
单位
° C / W
电气特性
(T
a
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征(注)
栅极阈值电压
漏源通态电压
通态漏电流
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
DS ( ON)
I
D(上)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=10A
V
DS
=60V, V
GS
= 0V (T
J
=25°C)
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
民
60
1.0
±100
2.5
3.75
0.375
7.5
7.5
典型值
最大单位
V
A
nA
V
V
mA
mS
50
25
5.0
20
40
1.5
115
800
pF
pF
pF
ns
ns
V
mA
mA
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 25V ,我
D
=500mA,
V
根
= 10V ,R
G
=25, R
L
=50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 115毫安,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
I
S
源电流脉冲
I
SM
注:脉冲测试:脉冲宽度
≤
300μS ,占空比
≤
2.0%.
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
1.0
V
GS
= 10V ,我
D
± 500毫安
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA
V
DS
≧2.0V
DS ( ON)
, V
GS
=10V
500
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA(T
C
=25°C)
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA(T
C
=25°C)
V
DS
≧2.0V
DS ( ON)
, I
D
=200mA
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初步
功率MOSFET
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其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠,可恕不另行通知。
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