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2SC5730K
晶体管
中等功率晶体管( 30V ,
1A)
2SC5730K
特点
1 )高速开关。
( TF:典型:为50ns ,在我
C
= 1.0A)
2)低的饱和电压,典型地
(典型值:为150mV ,在我
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安)
3 )强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 )补充了2SA2048K
外形尺寸
(单位:毫米)
SMT3
(SC-59)
<SOT-346>
0.4
(3)
(2)
(1)
0.95 0.95
1.9
1.1
1.6
2.8
0.15
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
0.3Min.
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号:
UM
应用
小信号低频放大器
高速开关
结构
NPN硅外延平面晶体管
包装规格
TYPE
TAPING
T146
3000
CODE
基本订购单位(件)
2SC5730K
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
DC
I
C
I
CP
P
C
范围
30
30
6
1.0
2.0
200
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1
Pw=10ms
2
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
脉冲
Tj
TSTG
0.8
2.9
1/3
2SC5730K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
30
30
6
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
单位
V
V
V
A
A
条件
I
C
=1mA
I
C
=100A
I
E
=100A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
I
C
=500mA
I
B
=50mA
V
CE
=2V
I
C
=100mA
V
CE
=10V
I
E
= -100mA
f=10MHz
V
CB
=10V
I
E
=0A
f=1MHz
I
C
=1.0A
I
B1
=100mA
I
B2
= -100mA
V
CC
25V
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
V
CE (SAT)
h
FE
120
150
300
390
mV
1
跃迁频率
f
T
280
兆赫
校正的输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
COB
TSTG
Tf
7
40
150
50
pF
ns
ns
ns
2
1
非重复脉冲
2
见切换特征研究测量电路
h
FE
Q
120270
R
180390
电气特性曲线
10
1000
集电极电流:我
C
(A)
1
切换时间(纳秒)
1ms
直流电流增益:H
FE
Ta=25°C
V
CC
=25V
I
C
/ I
B
=10
/ 1
1000
V
CE
=2V
100
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
DC
100ms
10ms
100
TSTG
Tf
10
0.01
0.001
0.1
单身
不重复
脉冲
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1安全工作区
图2开关时间
图3直流电流增益与
集电极电流
(Ι)
10
1000
Ta=25°C
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
10
I
C
/ I
B
=10
/ 1
Ta=25°C
100
V
CE
=5V
V
CE
=3V
V
CE
=2V
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
直流电流增益:H
FE
1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
1
I
C
/ I
B
=20
/ 1
I
C
/ I
B
=10
/ 1
10
0.1
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流
(ΙΙ)
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
(Ι)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
(ΙΙ)
2/3
2SC5730K
晶体管
10
10
跃迁频率:FT (兆赫)
I
C
/ I
B
=10
/ 1
集电极电流:我
C
(A)
V
CE
=2V
1000
基极发射极饱和
电压: V
BE (SAT)
(V)
Ta=25°C
V
CE
=10V
1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
100
1
0.1
10
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
基地发射极电压: V
BE
(V)
发射极电流:我
E
(A)
图7基极 - 发射极饱和
电压与电流捕集器
图8发射极接地
传播特性
图9过渡频率
100
Ta=25°C
f=1MHz
集电极输出
电容:玉米棒(PF )
10
1
0.1
1
10
100
基地集电极电压: V
CB
(V)
图10集电极输出电容
开关特性测量电路
R
L
=25
V
IN
I
B1
I
C
V
CC
25V
I
B2
P
W
P
W
50 S
占空比
1%
I
B1
基极电流
波形
90%
集电极电流
波形
I
C
10%
TSTG铁蛋白
I
B2
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
2SC5730K
晶体管
中等功率晶体管( 30V ,
1A)
2SC5730K
特点
1 )高速开关。
( TF:典型:为50ns ,在我
C
= 1.0A)
2)低的饱和电压,典型地
(典型值:为150mV ,在我
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安)
3 )强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 )补充了2SA2048K
外形尺寸
(单位:毫米)
SMT3
(SC-59)
<SOT-346>
0.4
(3)
(2)
(1)
0.95 0.95
1.9
1.1
1.6
2.8
0.15
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
0.3Min.
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号:
UM
应用
小信号低频放大器
高速开关
结构
NPN硅外延平面晶体管
包装规格
TYPE
TAPING
T146
3000
CODE
基本订购单位(件)
2SC5730K
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
DC
I
C
I
CP
P
C
范围
30
30
6
1.0
2.0
200
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1
Pw=10ms
2
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
脉冲
Tj
TSTG
0.8
2.9
1/3
2SC5730K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
30
30
6
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
单位
V
V
V
A
A
条件
I
C
=1mA
I
C
=100A
I
E
=100A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
I
C
=500mA
I
B
=50mA
V
CE
=2V
I
C
=100mA
V
CE
=10V
I
E
= -100mA
f=10MHz
V
CB
=10V
I
E
=0A
f=1MHz
I
C
=1.0A
I
B1
=100mA
I
B2
= -100mA
V
CC
25V
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
V
CE (SAT)
h
FE
120
150
300
390
mV
1
跃迁频率
f
T
280
兆赫
校正的输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
COB
TSTG
Tf
7
40
150
50
pF
ns
ns
ns
2
1
非重复脉冲
2
见切换特征研究测量电路
h
FE
Q
120270
R
180390
电气特性曲线
10
1000
集电极电流:我
C
(A)
1
切换时间(纳秒)
1ms
直流电流增益:H
FE
Ta=25°C
V
CC
=25V
I
C
/ I
B
=10
/ 1
1000
V
CE
=2V
100
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
DC
100ms
10ms
100
TSTG
Tf
10
0.01
0.001
0.1
单身
不重复
脉冲
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1安全工作区
图2开关时间
图3直流电流增益与
集电极电流
(Ι)
10
1000
Ta=25°C
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
10
I
C
/ I
B
=10
/ 1
Ta=25°C
100
V
CE
=5V
V
CE
=3V
V
CE
=2V
集电极饱和
电压: V
CE (SAT)
(V)
直流电流增益:H
FE
1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
1
I
C
/ I
B
=20
/ 1
I
C
/ I
B
=10
/ 1
10
0.1
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流
(ΙΙ)
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
(Ι)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
(ΙΙ)
2/3
2SC5730K
晶体管
10
10
跃迁频率:FT (兆赫)
I
C
/ I
B
=10
/ 1
集电极电流:我
C
(A)
V
CE
=2V
1000
基极发射极饱和
电压: V
BE (SAT)
(V)
Ta=25°C
V
CE
=10V
1
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
100
1
0.1
10
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0
0.5
1
1.5
1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流:我
C
(A)
基地发射极电压: V
BE
(V)
发射极电流:我
E
(A)
图7基极 - 发射极饱和
电压与电流捕集器
图8发射极接地
传播特性
图9过渡频率
100
Ta=25°C
f=1MHz
集电极输出
电容:玉米棒(PF )
10
1
0.1
1
10
100
基地集电极电压: V
CB
(V)
图10集电极输出电容
开关特性测量电路
R
L
=25
V
IN
I
B1
I
C
V
CC
25V
I
B2
P
W
P
W
50 S
占空比
1%
I
B1
基极电流
波形
90%
集电极电流
波形
I
C
10%
TSTG铁蛋白
I
B2
3/3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC5730K
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC5730K
√ 欧美㊣品
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电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
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45000
SMT3
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SC5730K
ROHM主营品牌
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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15+
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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