SMD信号DMOS
晶体管（ N沟道）
2N7002
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
特点
电压控制的小信号开关
高密度电池设计低R
DS （ ON）
坚固可靠
高饱和电流Capablity
符合RoHS标准
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N7002
WA
60
± 20
300
1200
300
150
-55到+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
单位
条件
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲（注1 ）
吸取功率耗散（注2 ）
结温
存储温度范围
P
D
T
J
T
英镑
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
分钟。
60
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
1
100
-100
单位
V
μA
nA
条件
V
GS
= 0
V，I
D
=10uA
V
DS
= 60
V, V
GS
= 0
V
V
DS
= 0
V, V
GS
= 20
V
V
DS
= 0
V, V
GS
= -20
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
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版本A / NX 2007-12-22
第1页7
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
2N7002
电气特性
(T
环境
=25C)
（注3）
符号
描述
栅极阈值电压
漏源导通电阻
分钟。
1.1
-
-
-
-
500
200
-
典型值。
1.8
1.2
1.5
0.6
0.075
-
580
0.78
马克斯。
2.3
1.8
2.1
0.9
0.105
-
-
1.15
V
mA
mS
V
单位
V
条件
V
DS
=
V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
5V ，我
D
=50mA
V
GS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
5V ，我
D
=50mA
V
GS
=
10V, V
DS
≥2V
DS （ ON）
V
DS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
0V ，我
S
=200mA
V
th
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
漏源电压
在国家漏极电流
正向跨导
漏源二极管的正向电压（注1 ）
g
FS
V
SD
动态特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间接通时间
切换时间关断时间
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
47.1
3.5
8.8
8.8
14.8
马克斯。
-
-
-
-
-
nS
V
DD
=
30V
,
R
L
=
155
I
D
= 190毫安，V
GS
=10V
pF
V
DS
=
25
V,
V
GS
=
0V,
f=1MHz
单位
条件
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
注意：
（ 1 ）脉冲Width≤10us ，职务Cycle≤1 ％
（2 ）封装安装在玻璃环氧印刷电路板3.94 ' '× 3.94 ' '× 0.04 ''
（ 3 ）脉冲测试：脉冲Width≤80μs ，职务Cycle≤1 ％
开关时间测试电路
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第2 7
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
2N7002
典型特性曲线
Fig.1-输出特性
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
Fig.2-导通电阻与漏电流
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
漏源导通电阻
R
DS
(Ω)
Fig.3-导通电阻与结温
Fig.4-传输特性
结温
T
J
(℃)
漏电流
I
D
(A)
栅源电压
V
GS
(V)
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第3页7
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
2N7002
Fig.5-阈值特性
门源阈值电压（ A）
Fig.6-源极 - 漏极二极管正向电压
源出电流
I
S
(A)
结温
T
J
(℃)
源 - 漏电压
V
SD
(V)
Fig.7-电容
Fig.8-栅极电荷
漏源电压
V
DS
(V)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容
（PF ）
栅极电荷Qg （ NC ）
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SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
2N7002
Fig.9-安全工作区
漏极功耗
P
D
（ mW）的
Fig.10-功耗与环境温度
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
周围温度Ta （
° C
)
等效电路
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
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2N7002
60V N沟道增强型MOSFET
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@500mA=5
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@75mA=7.5
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为电池供电系统，固态继电器
司机：继电器，显示器，灯，电磁阀，存储器等
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MECHANICALDATA
案例： SOT- 23封装
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： S72
漏
门
来源
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
S
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
S T摹
R
θ
J A
李密吨
60
+20
250
1300
350
210
-5 5 + 1 5 0
357
ü妮吨s
V
V
mA
mA
mW
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
Juncti上对香必耳鼻喉科热RESI立场（ PC B装）
2
C
O
C / W
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 10秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JUL.26.2007
PAGE 。 1
2N7002
ELECTRICALCHARACTERISTICS
P一RA我忒
的TA TI
RAI N- S 0乌尔CE B reakdown武ltage
G A T E苏电子旗下豪升武L T A G é
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
泽R 0 G A T E武L T A G E D R A I N C-UR 鄂西北
门体漏
正向跨导
动态
以T A L G的T式C h的R G é
G A T E - S 0乌尔权证碳公顷R G ê
G A T E - D R A I N碳公顷R G ê
涂R N - O 4 N D E L的钛M E
涂R N - F F D E L的钛M E
在P ü T C的p一个C I T A N权证
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
EVERSE Tr的ansfer apacitance
S 0乌尔权证 - ，D R A I N D I O D E
M A X 。 I O D E F R W A R维C乌尔鄂西北
I O D E F RWA RD武LTA克é
I
s
V
SD
-
I
S
= 2 5 0米A，V
的s
= 0 V
-
-
-
0 .9 3
250
1 .2
mA
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
FF
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
S
= 2 5 V , V
GS
= 0 V
F = 1.0 MH
Z
V
DD
= 10V ，R
L
=20
I
D
= 500毫安，V
根
=10V
R
G
=10
V
S
1 = 5 V，I
D
= 5 0 0为m的
V
DD
=4.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
0 .6
0 .1
0 .0 8
9
21
-
-
-
0 .7
-
-
15
ns
26
50
25
5
pF
nC
B V
DSS
V
的s （T八）
R
S（O N）
R
S（O N）
I
S S小
I
摹S S小
g
fS
V
的s
= 0 V，I
D
= 1 0 U一
V
S
= V
的s
, I
D
= 2 5 0 U一
V
GS
= 4.5V ，我
D
=75mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
的s
=+ 2 0 V , V
S
= 0 V
V
S
1 = 5 V，I
D
= 2 5 0为m的
60
1
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
2 .5
7 .5
5
1
+100
-
uA
nA
mS
V
V
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M | N 。
TY页。
M A X 。
ü妮吨s
开关
测试电路
V
IN
V
DD
R
L
V
OUT
栅极电荷
测试电路
V
GS
V
DD
R
L
R
G
1mA
R
G
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包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
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