添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第102页 > 2N6667_05
2N6667, 2N6668
硅达林顿
功率晶体管
设计用于通用放大器和低速切换
应用程序。
高直流电流增益 -
h
FE
= 3500 （典型值） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 200 MADC
V
CEO （ SUS ）
= 60 VDC （最小值） - 2N6667
= 80伏直流（最小值） - 2N6668
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 2.0伏（最大） @我
C
= 5.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
TO- 220AB封装紧凑
补充2N6387 ， 2N6388
无铅包可用*
http://onsemi.com
PNP硅
达林顿
功率晶体管
10 A， 6080 V， 65瓦
记号
图
4
集热器
1
2
3
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
2N666x
AYWWG
BASE
CASE 221A -09
TO220AB
x
A
Y
WW
G
= 7或8的
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
≈
8k
≈
120
辐射源
图1.达林顿示意图
订购信息
设备
2N6667
2N6667G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
2N6668
2N6668G
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版5
出版订单号：
2N6667/D
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.表示JEDEC注册的数据。
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
电气特性
（注1 ） （T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
最大额定值
（注1 ）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结温范围
器件总功耗@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
基极电流
连续集电极电流 -
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
小信号电流增益（I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 带宽积（我
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.01 ADC）
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
直流电流增益（I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
EB （关
） = 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB （关
） = 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
等级
特征
特征
2N6667, 2N6668
http://onsemi.com
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
2N6667
2N6668
符号
T
J
, T
英镑
V
首席执行官
V
CB
V
EB
P
D
P
D
I
C
I
B
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
符号
|h
fe
|
C
ob
h
FE
h
fe
R
QJC
R
qJA
2N6667
60
60
- 65至+ 150
1000
1000
100
2.0
0.016
民
65
0.52
20
60
80
250
5.0
10
15
2N6668
62.5
1.92
最大
80
80
20000
最大
200
300
300
3.0
3.0
2.8
4.5
2.0
3.0
5.0
1.0
1.0
MADC
MADC
MADC
MADC
° C / W
° C / W
W
W / ℃，
W
W / ℃，
MADC
单位
单位
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
VDC
VDC
VDC
_C
pF
2
2N6667, 2N6668
V
CC
30 V
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复类型例如，
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
对于T
d
和T
r
, D
1
断开和V
2
= 0
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
R
C
TUT
V
2
约
范围
R
B
51
D
1
+ 4.0 V
25
μs
[
8k
[
120
+8V
0
V
1
约
12 V
图2.开关时间测试电路
T
A
4
PD ，功耗（瓦）
T
C
80
10
7
5
3
T
C
T， TIME （
μ
s)
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
t
f
t
r
t
s
3
60
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2
40
T
A
1
20
.t
d
0
0
20
40
60
80
100
T，温度（ ° C）
120
140
160
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.功率降额
图4.典型的开关时间
1
R（T ）归一化有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
0.05
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.1
0.2
0.5
1
2
5
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
100
200
500
1000
0.2
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图5.热响应
http://onsemi.com
3
2N6667, 2N6668
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
5
3
2
1
T
J
= 150°C
2N6667
焊线LIMIT 2N6668
热极限@ T
C
= 25°C
第二击穿极限
曲线适用于低于额定V
首席执行官
1
5
20 30
50 70 100
2
3
7 10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
dc
1毫秒
5毫秒
100
μs
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图5中被计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
图6.最大安全工作区
10,000
的hFE ，小信号增益CURENT
5000
2000
C，电容（pF ）
1000
500
200
100
50
T
C
= 25°C
V
CE
= 4伏
I
C
= 3安培
300
T
J
= 25°C
200
C
ib
100
70
50
C
ob
20
10
1
2
3
5 7 10
20 30 50 70 100
200 300 500 1000
30
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10 20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
男，频率（KHz ）
图7.典型的小信号电流增益
图8.典型的电容
20,000
V
CE
= 3 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
T
J
= 55°C
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
T
J
= 150°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.6
T
J
= 25°C
2.2
I
C
= 2 A
1.8
4A
6A
T
J
= 25°C
1.4
1
0.6
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
B
，基极电流（毫安）
图9.典型的直流电流增益
图10.典型集电极饱和区
http://onsemi.com
4
2N6667, 2N6668
3
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.5
T
J
= 25°C
+5
+4
+3
+2
+1
0
1
2
3
4
5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
θ
VC
对于V
CE （ SAT ）
θ
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
3
5
7
10
*I
C
/I
B
≤
的hFE @ VCE
+
3.0 V
3
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
V，电压（V ）
2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5
7
10
1.5
1
0.5
0.1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图11.典型的“开”电压
图12.典型温度系数
10
5
10
4
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
3
10
2
T
J
= 150°C
100°C
25°C
+0.6
+0.4
+0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8
1
V
BE
，基极发射极电压（伏）
1.2 1.4
10
1
10
0
反向
前锋
V
CE
= 30 V
10
1
图13.典型集电极截止区
http://onsemi.com
5
查看更多2N6667_05PDF信息
推荐型号
22-28-8203
28LV64A-F-20/VS
2SC5730K
2SA959
25LC640X-I/P
2RD412-1X16145
28C64A-20VS
2035-09-SM-RPLF
2035-09-SM-RP-LF
2SC5073P
2SC4278F
2-1445090-7
27C256-15/J
2N6325
2SD1647
24AA32A-E/STG
2741E2
2SC3020
26-48-1103
27ESA104MMF43NF
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N6667_05
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多2N6667_05供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！