新
水平偏转晶体管系列电视
s
概观
根据累积的制造技术，这些水平偏转晶体管用于电视提供高性能
和紧凑的设计。他们还可以承受高电压并保持较低的损耗。他们还用安全面广
操作中，尽管绝对最小的芯片面积，允许非常紧凑的封装配置。这些先进
功能有助于更高性能，更可靠，成本更低家用电视。
s
特点
q
可承受超高电压： 1500V / 1600V / 1700V / 1800V / 2000V
q
低损耗： V
CE （ SAT ）
<3V
q
安全操作的广阔区域。
s
Spacifications
包
NOW
紧凑
包装
参数
产品型号
2SC5657
2SC5622/2SC5572
2SC5518/2SC5523
2SC5514/2SC5521
2SC5517/2SC5522
2SC5519/2SC5524
2SC5516/2SC5584
2SC5546
2SC5553/2SC5597
2SC5591/2SC5591A
2SC5686
电气特性
推荐条件
Ic
(A)
4
6
7
13
6
8
20
18
22
20
20
V
CBO
(V)
阻尼二极管
fH
（千赫）
15.75
屏幕尺寸
（英寸）
TOP-3E
TOP-3E/3D
TOP-3E/3D
TOP-3E/3D
TOP-3E/3D
TOP-3E/3D
TOP-3E/3L
TOP-3E
TOP-3E/3L
TOP-3E
TOP-3E
可能
可能
可能
可能
可能
可能
14
内建的
25
至29日
1500
没有内置
32
15.75
32个
至29日
36
1600/1700
1500
内建的
32
1700
1700/1800
2000
没有内置
36
64
36
s
应用
qTVs qWide屏
TVS
qDigital
TVS
的产品和规格如有变更，恕不另行通知。请索要最新的产品标准，以保证您的产品的需求的满足。
半导体公司，松下电子公司
1 Kotari Yakemachi ，长冈京，京都， 617-8520日本
E00065BE
电话： （ 075 ） 951-8151
http://www.mec.panasonic.co.jp
新的出版物，从2000年9月12日生效。
水平偏转输出晶体管
2SC5514
s
绝对最大额定值
单位：mm
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
1500
1500
600
7
23
*3
13
6
50
3.0
*2
*1
单位
4.5
15.5±0.5
φ3.2±0.1
3.0±0.3
10.0
V
V
V
V
A
A
5°
5°
26.5±0.5
2.0 1.2
5°
5°
5°
18.6±0.5
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
5°
W
°C
°C
1
2
3
-55到+150
*1)T
C
= 25 ° C * 2 ） TA = 25° C（不带散热片）
* 3 ）非重复性峰值集电极电流。
s
电气特性（T
C
=25°C)
参数
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和电压
符号
I
CBO
条件
V
CB
=1000V,I
E
=0
V
CB
=1500V,I
E
=0
V
EB
=7V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=6.5A
I
C
=6.5A,I
B
=1.63A
I
C
=6.5A,I
B
=1.63A
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=0.5MHz
I
C
=6.5A,I
B1
=1.63A,I
B2
=-3.25A
I
C
=6.5A,I
B1
=1.63A,I
B2
=-3.25A
民
-
-
-
5
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
3
-
-
2.0
150
TOP-3E
5.5±0.3
A
最大
50
1
50
9
3
1.5
-
0.2
2.7
单位
A
mA
A
I
EBO
f
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
T
f
T
英镑
跃迁频率
下降时间
贮存时间
兆赫
s
s
23.4
22.0±0.5
V
V
水平偏转输出晶体管
2SC5516
s
绝对最大额定值
单位：mm
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
1500
1500
600
7
30
*3
20
8
70
*1
3.5
*2
单位
4.5
15.5±0.5
φ3.2±0.1
3.0±0.3
10.0
V
V
V
V
A
A
5°
5°
26.5±0.5
2.0 1.2
5°
5°
5°
18.6±0.5
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
5°
W
°C
°C
1
2
3
-55到+150
*1)T
C
= 25 ° C * 2 ） TA = 25° C（不带散热片）
* 3 ）非重复性峰值集电极电流。
s
电气特性（T
C
=25°C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和电压
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
f
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
T
f
T
英镑
条件
V
CB
=1000V,I
E
=0
V
CB
=1500V,I
E
=0
V
EB
=7V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=10A
I
C
=10A,I
B
=2.5A
I
C
=10A,I
B
=2.5A
V
CE
=10V,I
C
=0A,f=0.5MHz
I
C
=10A,I
B1
=2.5A,I
B2
=-5.0A
I
C
=10A,I
B1
=2.5A,I
B2
=-5.0A
民
-
-
-
7
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
3
-
-
2.0
150
TOP-3E
5.5±0.3
A
最大
50
1
50
14
3
1.5
-
0.2
2.7
单位
A
mA
A
跃迁频率
下降时间
贮存时间
兆赫
s
s
23.4
22.0±0.5
V
V
水平偏转输出晶体管
2SC5517
s
绝对最大额定值
单位：mm
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
TSTG
等级
1600
1600
7
20
6
3
40
3
*2
*1
单位
4.5
15.5±0.5
φ3.2±0.1
3.0±0.3
10.0
V
V
V
A
A
A
5°
5°
26.5±0.5
2.0 1.2
5°
5°
5°
18.6±0.5
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
130
-55到+150
°C
°C
5°
1
2
3
* 1 ） TC = 25 ° C， * 2 ） TA = 25 °° C（不带散热片）
* 3 ）非重复性峰值集电极电流。
s
电气特性（T
C
=25°C )
参数
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射器基极电压
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和电压
符号
I
CBO
条件
V
CB
=1000V,I
E
=0
V
CB
=1600V,I
E
=0
I
E
=500mA,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=1A
V
CE
=5V,I
C
=4A
I
C
=4A,I
B
=0.8A
I
C
=4A,I
B
=0.8A
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=0.5MHz
I
C
=4.5A,I
B1
=0.9A,I
B2
=-1.8A
I
C
=4.5A,I
B1
=0.9A,I
B2
=-1.8A
民
-
-
7
7
4.5
-
-
-
0.3
3.8
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
2.0
TOP-3E
5.5±0.3
W
最大
50
1
-
20
8
3
1.5
-
0.5
5
-2
单位
A
mA
V
V
EBO
f
FE
f
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
T
英镑
T
f
V
F
跃迁频率
贮存时间
下降时间
二极管的特性
兆赫
s
s
V
I
F
=4A
23.4
22.0±0.5
V
V
水平偏转输出晶体管
2SC5518
s
绝对最大额定值
单位：mm
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
等级
1500
1500
5
14
*3
单位
4.5
15.5±0.5
φ3.2±0.1
3.0±0.3
10.0
V
V
V
A
A
A
5°
5°
26.5±0.5
2.0 1.2
5°
5°
5°
7
3.5
40
3
*2
*1
18.6±0.5
4.0
2.0±0.2
1.1±0.1
2.0
0.7±0.1
5.45±0.3
5.45±0.3
3.3±0.3
0.7±0.1
150
-55到+150
°C
°C
5°
1
2
3
* 1 ） TC = 25 ° C， * 2 ） TA = 25° C（不带散热片）
* 3 ）非重复性峰值集电极电流。
s
电气特性（T
C
=25°C )
参数
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和电压
符号
I
CBO
条件
V
CB
=1000V,I
E
=0
V
CB
=1500V,I
E
=0
I
E
=500mA,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=5A
I
C
=5A,I
B
=1A
I
C
=5A,I
B
=1A
V
CE
=10V,I
C
=0.1A,f=0.5MHz
I
C
=5A,I
B1
=1A,I
B2
=2A
I
C
=5A,I
B1
=1A,I
B2
=2A
民
-
-
5
5
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
2.0
TOP-3E
5.5±0.3
W
最大
50
1
-
9
3
1.5
-
0.5
5
-2
单位
A
mA
V
V
EBO
f
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
T
英镑
T
f
V
F
跃迁频率
贮存时间
下降时间
二极管的特性
兆赫
s
s
V
I
F
=5A
23.4
22.0±0.5
V
V
QQ：2881677436 复制
