【数据表MOS场效应晶体管2SK2941开关N沟道功率MOS FET工业用描述本产品是正香奈儿MOS场】,IC型号2SK2941,2SK2941 PDF资料,2SK2941经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应晶体管

2SK2941

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

本产品是正香奈儿MOS场效应晶体管设计的高

电流开关应用。

包装尺寸

inmillimeters

3.0±0.3

特征

低导通电阻

DS(on)1

= 14 mΩ的典型值。（V

= 10 V，I

=18 A)

DS(on)2

= 22 mΩ的典型值。（V

= 4 V，I

= 18 A)

低C

国际空间站

= 1250 pF的典型。

10.6 MAX 。

3.6±0.2

10.0

5.9 MIN 。

12.7 MIN 。 15.5 MAX 。

4.8最大。

1.3±0.2

1 2 3

1.3±0.2

6.0 MAX 。

内置G -S保护二极管

0.5±0.2

2.8±0.2

绝对最大额定值（T

= 25 C)

最大电压和电流

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲） *

最大功率耗散

总功率耗散（T

= 25 C)

总功率耗散（T

= 25 C)

最高温度

通道温度

储存温度

* PW

≤

S，占空比

≤

英镑

150

-55 + 125

1.5

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲

)

±20

±35

±140

0.75±0.1

2.54

1.门

2.漏

3.源

4.散热片（漏）

JEDEC ： TO- 220AB

MP -25（ TO-220 ）

漏

门

Dody

二极管

栅极保护

二极管

来源

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当该装置

实际上可以使用的，在外部需要一个addtional保护电路，如果电压超过规定的电压可以施加到

此设备。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

一号文件D11007EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1997 N可

1997

2SK2941

电气特性（T

= 25

特征

漏极至源极导通状态

阻力

门源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

SYMBLO

DS(on)1

DS(on)2

GS （ OFF ）

I Y

DDS

GSS

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

1250

900

460

430

160

220

4.5

1.0

8.0

分钟。

典型值。

1.5

±10

马克斯。

2.0

单位

测试条件

= 10 V，I

= 18 A

= 4 V，I

= 18 A

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 18 A

= 30 V, V

= 0

±20

V, V

= 0

= 10 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

= 18 A，V

GS （ ON）

= 10 V

= 15 V ，R

= 10

= 35 A，V

= 24 V,

= 10 V

= 35 A，V

= 0

= 35 A，V

= 0,

的di / dt = 100 A /

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

= 10

电波表

10 %

GS （ ON）

D.U.T.

= 2毫安

90 %

电波表

t = 1

占空比

≤

1 %

90 %

10 %

关闭

10 %

D（上）

D（关闭）

2SK2941

电气特性（T

= 25

总功耗对比

外壳温度

- 总功耗 - W

- 百分比额定功率 - ％

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

60 80 100 120 140 160

- 外壳温度 - C

漏极电流与漏极TO

源极电压

60 80 100 120 140 160

- 外壳温度 - C

正向偏置安全工作区

1000

TC = 25℃

单脉冲

D（脉冲）

100

D（ DC）的

200

脉冲

160

- 漏电流 - 一个

= 10 V

- 漏电流 - 一个

120

= 4 V

0.5

1.0

1.5

- 漏极至源极电压 - V

0.1

- 漏极至源极电压 - V

100

瞬态热阻与脉冲宽度

1 000

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

第（章-a）的

= 83.3 （ ° C / W）

100

TH（ CH-C ）

= 2.08 （ ° C / W）

单脉冲

= 25 °C

0.1

10m

100m

100

1 000

10 000

PW - 脉冲宽度 - S

2SK2941

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

2.0

= 10 V

= 1毫安

1.5

DS （ ON）

- 漏极至源极导通 - 通态电阻 - mΩ的

门源截止电压主场迎战

通道温度

漏极到源极ON - 通电阻

与漏电流

= 4 V

1.0

= 10 V

0.5

–50

100

- 通道温度 - C

正向转移导纳

与漏电流

150

100

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通 - 通态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻

与门源电压

脉冲

100 I

= 7 A

18 A

35 A

100

| - 正向转移导纳 - S

= –25 °C

25 °C

75 °C

125 °C

= 10 V

脉冲

100

1000

- 漏电流 - 一个

正向传递特性

1000

= 10 V

脉冲

= –25 °C

25 °C

75 °C

125 °C

10 000

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

- 栅极至源极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

= 0

F = 1 MHz的

- 漏电流 - 一个

100

1000

国际空间站

OSS

RSS

100

- 栅极至源极电压 - V

0.1

- 漏极至源极电压 - V

2SK2941

开关特性

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

1000

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

- 二极管多沃德电流 - 一个

D（关闭）

100

D（上）

100

= 4V

= 0V

= 15 V

=10 V

=10

1.0

0.1

- 漏电流 - 一个

100

0.1

0.8

1.2

1.6

2.0

0.4

- 源极到漏极电压 - V

2.4

DS （ ON）

- 漏极至源极导通 - 通态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

动态输入/输出特性

= 35 A

= 24 V

15 V

- 漏极至源极电压 - V

100

= 4 V

- 栅极电荷 - 数控

= 10 V

–50

100

150

- 通道温度 - C

反向恢复时间对比

漏电流

1000

的di / dt = 100 A /

= 0

- 反向恢复二极管 - NS

100

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

= 18 A

脉冲

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NEC

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假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装

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9600

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7724

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进口原装!优势现货!

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NEC

2443+

23000

220

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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NEC

24+

12300

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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联系人：李小姐

地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

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NEC

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联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

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NEC

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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

2SK2941

NEC

2024

26000

TO-220

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

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QQ：2355507163 复制

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电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）

联系人：张小姐

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NEC

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