2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
0.125 X 45
O
（ 3.2 ）典型值
0.600 (15.2)
0.560 (14.3)
特点
浪涌过载评价： 60安培
高峰期。
可靠的低造价，利用
模压塑料技术。
0.460 (11.7)
0.420 (10.7)
0.500 (12.7)
0.460 (11.7)
KBPM
0.600敏
(15.2)
0.500 MIN
(12.7)
2.0安培桥式整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
T
英镑
T
J
平均整流电流
峰值正向浪涌电流
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境， **每腿
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.060典型值
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.034 (8.6)
0.028 (7.6)
外型尺寸是：英寸（毫米）
参数
价值
2.0
60
4.7
33
30
-55 + 165
-55 + 165
单位
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在PCB与0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
005M
253
01M
254
100
70
100
02M
255
200
140
200
04M
256
400
280
400
5.0
500
1.1
15
25
06M
257
600
420
600
08M
258
800
560
800
10M
259
1000
700
1000
单位
反向重复峰值电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
最大反向漏电流
共有桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压降，
每个桥
@ 3.14 A
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
典型结电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
50
35
50
V
V
V
A
A
V
2
几秒钟之内
pF
2000
仙童半导体国际
2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ，版本B
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
桥式整流器器
（续）
典型特征
输出电流 -
环境温度
2
正向特性
5
正向电流（ A）
典型
分配
输出电流（A ）
1.5
1
1
MEDIAN
0.1
0.5
0
20
40
60
80
100 120 140
环境温度（
C)
160
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压（ V）
1.2
1.4
反向特性
100
正向浪涌电流（ A）
反向电流（
A)
60
非重复浪涌电流
48
10
36
1
T
A
= 25
C
24
12
0.1
0
20
40
60
80
100
120
归一反向电压（％）
140
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ，版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
英文内容
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259桥式整流器
2006年3月
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价：60安培峰值。
可靠的低造价，利用模压塑料技术。
UL认证， UL ＃ E111753 。
_ _ _
+
KBPM
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
价值
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压（额定V
R
)
平均Recitified正向电流，
@ T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
结温
005M 01M
253
50
35
50
02M
255
200
140
200
04M
256
400
280
400
2.0
60
-55到+150
-55到+150
06M
257
600
420
600
08M
258
800
560
800
10M
259
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
254
100
70
100
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境， *每腿
参数
价值
4.7
18
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.47
×
0.47” (12
×
12mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每个元素@ 3.14A
反向电流，每个元素@额定V
R
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
价值
1.1
50
500
15
25
单位
V
A
A
A
2
s
pF
C
T
总电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259英文内容
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259桥式整流器
典型性能特性
平均正向电流整流，我
F（ AV ）
[A]
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
o
环境温度（ ℃）
150
2
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259英文内容
www.fairchildsemi.com
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259桥式整流器
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259桥式整流器
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I18
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
3
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259英文内容
www.fairchildsemi.com
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
特点
浪涌过载评价： 60安培
高峰期。
可靠的低造价，利用
模压塑料技术。
UL认证， UL ＃ E111753 。
+
~ ~
-
KBPM
桥式整流器器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
平均正向电流整流，
@ T
A
= 50°C
非重复峰值正向浪涌电流
存储温度范围
工作结温
005M
253
50
35
50
01M
254
100
70
100
02M
255
200
140
200
04M
256
400
280
400
2.0
60
-55 + 165
-55 + 165
06M
257
600
420
600
08M
258
800
560
800
10M
259
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
°C
单位
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境， *每腿
参数
价值
4.7
30
单位
W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每桥@ 3.14
反向电流，总桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
总电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
设备
1.1
5.0
500
15
25
单位
V
A
A
A
2
s
pF
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ， Rev. D的
2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259
桥式整流器器
（续）
典型特征
5
平均正向电流整流，我
F
[A]
2
典型
分配
正向电流I
F
[A]
1.5
1
1
MEDIAN
0.1
0.5
0
20
40
60
80
100 120 140
环境温度[摄氏度]
160
0.01
0
0.2
图1.正向电流降额曲线
0.4
0.6
0.8
1
正向电压，V
F
[V]
1.2
1.4
图2.正向电压特性
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
100
60
48
反向电流，I
R
[马]
10
36
1
T
A
= 25
C
24
12
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
图3.反向电流与反向电压
图4.不重复浪涌电流
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ， Rev. D的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
QQ：2880707522 复制
