【晶体管2SA1961PNP硅外延平面型对于一般的放大补充2SC54196.9±0.10.15单位：m】,IC型号2SC5419,2SC5419 PDF资料,2SC5419经销商,ic,电子元器件-51电子网

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晶体管

2SA1961

PNP硅外延平面型

对于一般的放大

补充2SC5419

6.9±0.1

0.15

单位：mm

1.05 2.5±0.1

±0.05

(1.45)

0.8

0.5

4.5±0.1

0.45

–0.05

2.5±0.1

0.7

4.0

s

特点

q

0.65最大。

1.0 1.0

0.2

高集电极到发射极电压V

首席执行官

.

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

*

(Ta=25C)

评级

–200

–200

–5

– 0.1

–70

单位

V

V

V

A

mA

W

C

C

注意：除了

所示引线型

上图所示，

在如图所示键入

下图是

也可提供。

0.45

–0.05

+0.1

+0.1

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

*

2.5±0.5

1

2

2.5±0.5

3

1

150

–55 ~ +150

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

MT2类型封装

印刷电路板：为1cm铜箔区

2

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

1.2±0.1

0.65

马克斯。

0.45

+0.1

– 0.05

（ HW型）

s

电气特性

参数

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25C)

符号

V

首席执行官

V

EBO

h

FE*1

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

I

C

= -100μA ，我

B

= 0

I

E

= -1μA ，我

C

= 0

V

CE

= -10V ，我

C

= -5mA

I

C

= -50mA ，我

B

= -5mA

V

CB

= -5V ，我

E

= 10毫安中，f = 200MHz的

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

30

7

民

–200

–5

30

150

–2.5

典型值

最大

单位

V

V

–

V

兆赫

pF

*1

h

FE

等级分类

P

30 ~ 100

Q

60 ~ 150

秩

h

FE

14.5±0.5

1

晶体管

P

C

- TA

2.0

–120

印刷circut板：铜

为1cm箔领域

2

或更多，并且

的1.7毫米板厚度

对于集电部。

Ta=25C

–100

–100

= 0.9毫安

- 0.8毫安

- 0.7毫安

- 0.6毫安

–60

- 0.5毫安

= 0.4毫安

–40

= 0.3毫安

= 0.2毫安

= 0.1毫安

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

–2

–4

–6

–8

–10

–12

0

0

2SA1961

I

C

— V

CE

–120

V

CE

=–10V

25C

Ta=75C

–80

–25C

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

（MA ）

–80

1.2

集电极电流I

C

（MA ）

1.6

I

B

=–1.0mA

–60

0.8

–40

0.4

–20

–20

– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 –1.0

–1.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–10

–3

–1

Ta=75C

25C

–25C

I

C

/I

B

=10

240

h

FE

— I

C

24

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=–10V

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

正向电流传输比H

FE

210

180

150

Ta=75C

120

25C

90

60

30

0

–1

–25C

20

16

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

12

8

4

– 0.003

– 0.001

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

0

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

2

晶体管

2SC5419

硅NPN三重扩散龙门

对于低频输出放大

单位：mm

6.9±0.1

0.15

1.05 2.5±0.1

±0.05

(1.45)

0.8

0.5

4.5±0.1

0.7

4.0

s

特点

q

q

q

0.65最大。

1.0 1.0

高集电极到发射极电压V

首席执行官

.

高转换频率f

T

.

让供应与径向录音。

0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

*1

(Ta=25C)

评级

300

300

7

100

70

1.0

150

–55 ~ +150

单位

0.45

–0.05

0.45

–0.05

+0.1

+0.1

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C*1

T

j

T

英镑

2.5±0.5

1

2

2.5±0.5

3

V

V

mA

mA

W

C

C

1.2±0.1

0.65

马克斯。

0.45

+0.1

– 0.05

注意：除了

所示引线型

上图所示，

在如图所示键入

下图是

也可提供。

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

MT2类型封装

印刷电路板：为1cm铜箔区

2

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

2.5±0.1

V

（ HW型）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25C)

符号

I

首席执行官

V

首席执行官

V

EBO

h

FE*1

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

V

CE

= 120V ，我

B

= 0

I

C

= 100μA ，我

B

= 0

I

E

= 1μA ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 5毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

50

10

300

7

30

220

1.2

V

兆赫

pF

民

典型值

最大

1

单位

A

V

V

*1

h

FE

等级分类

P

30 ~ 100

Q

60 ~ 150

R

100 ~ 220

秩

h

FE

14.5±0.5

1

晶体管

P

C

- TA

2.0

120

印刷circut板：铜

为1cm箔领域

2

或更多，并且

的1.7毫米板厚度

对于集电部。

Ta=25C

100

1.8mA

1.6mA

1.4mA

1.2mA

1.0mA

0.8mA

0.6mA

100

2SC5419

I

C

— V

CE

120

V

CE

=10V

25C

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

1.6

80

I

B

=2.0mA

Ta=75C

80

–25C

1.2

60

60

0.8

0.4mA

40

0.2mA

40

0.4

20

20

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

10

12

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

I

C

— I

B

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

120

V

CE

=10V

Ta=25C

100

10

3

1

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=10

1200

I

B

— V

BE

V

CE

=10V

Ta=25C

1000

集电极电流I

C

（MA ）

80

Ta=75C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

0.001

1

3

10

30

100

300

1000

25C

–25C

基极电流I

B

(

A

)

800

60

600

40

400

20

200

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极电流I

B

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

基极至发射极电压V

BE

(V)

h

FE

— I

C

300

12

Ta=75C

250

25C

200

–25C

150

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=10V

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

正向电流传输比H

FE

10

8

6

100

4

50

2

0

1

3

10

30

100

300

1000

0

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

2

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