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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1050
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
For
在音频和一般用途
用途的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
6
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC1050
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
300
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
0.1
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 300V ;我
B
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
30
200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1050
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1050
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·对于音频和一般用途
用途的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
? )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25?
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
6
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC1050
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
300
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
0.1
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 300V ;我
B
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
30
200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1050
图2外形尺寸
3
2SC1050
概述
硅外延平面晶体管
硅NPN高频，高功率晶体管
一个塑料外壳，主要用于在音频使用和
通用
TO-3
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
条件
V
BE
= 0V
典型值
T
mb
25
I
C
= 0.5A ;我
B
= 0.1A
I
F
= 0.5A
-
-
-
-
-
-
1.5
最大
300
250
1
40
1.2
2.0
-
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基oltage （开colloctor ）
集电极电流（ DC ）
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
民
-
-
-
-
-
-55
-
TMB 25
最大
300
250
5
1
0.2
40
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
f
T
C
c
t
on
t
s
t
f
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率在f = 5MHz时，
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
V
CB
=300V
V
EB
=5V
I
C
=1mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 12V
V
CB
= 10V
典型值
-
-
250
-
30
5
50
最大
0.2
0.2
1.2
200
-
-
单位
mA
mA
V
兆赫
pF
us
us
us
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
2SC1050
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
For
在音频和一般用途
用途的应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
6
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC1050
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
300
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.2
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 300V ;我
E
=0
0.1
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 300V ;我
B
=0
0.5
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.3A ; V
CE
=5V
30
200
2
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1050
图2外形尺寸
3
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2150R-16K
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22-28-4043
272.001
2SC4218D
2520EN103M6
24IXR1-12N
2N2883
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