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UTC 2SD879
NPN外延硅晶体管
1.5V , 3V频闪应用
描述
在UTC 2SD879是一个NPN硅外延晶体管,
专为1.5V和3V闪光灯应用。
特点
*在实际应用中,其中两个镍镉电池是用来
提供2.4V , 2 2SD879s被使用。
*充电时间是1秒左右的速度比
锗晶体管。
*由于LWO的较小的功耗
集电极 - 发射极电压V
CE ( SAT )
,允许更多
光的闪光被发射。
*大电流容量和高耐击穿。
* hFE参数在该地区从低电流优良的线性度
大电流。
1
SOT-89
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
P
D
Ic
ICP
T
j
T
英镑
价值
30
20
10
6
1
3
5
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
V
W
A
A
°C
°C
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
结温
储存温度
注:脉象-> 100 ms的单脉冲
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
脉冲: 1毫秒
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
f
T
COB
测试条件
I
C
=为10uA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时, V
BE
=3V
I
C
= 1毫安,R
BE
=∞
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-2A
V
CB
=20V,I
E
=0
V
EB
=4V,Ic=0
V
CE
= 2V , IC = 3A (脉冲)
Ic=3A,I
B
= 60毫安(脉冲)
V
CE
= 10V , IC = 50毫安
V
CB
=10V,f=1MHz
30
20
10
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
0.83
140
210
0.3
200
30
1.5
1
1
400
0.4
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-010,A
UTC 2SD879
NPN外延硅晶体管
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-010,A
UTC 2SD879
NPN外延硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R208-010,A
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SD879
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为1.5V和3V电子闪光灯的使用。
TO-92
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
30
20
10
6
3
5
750
+150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
mW
o
o
符号
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
30
20
10
6
-
-
-
140
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.3
210
200
30
最大
-
-
-
-
100
100
0.4
400
-
-
单位
V
V
V
V
nA
nA
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=10A
I
C
=1mA,V
BE
=3V
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=20V
V
BE
=4V
I
C
= 3A ,我
B
=60mA
I
C
= 3A ,V
CE
=2V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
2%
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SD879
1.5V , 3V频闪
应用
描述
在UTC
2SD879
是NPN硅外延晶体管,为设计
1.5V和3V闪光灯应用。
NPN外延硅晶体管
特点
*在应用中, 2 ,镍镉电池是用来提供2.4V ,
2SD879s
被使用。
*充电时间为约1秒比快
锗晶体管。
*由于升较小的功耗
WO
集电极 - 发射极电压
V
CE ( SAT )
,光允许更多的闪光被发射。
*大电流容量和高耐击穿。
* h的优秀的线性度
FE
从高低电流区
电流。
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2SD879L-AB3-R
2SD879G-AB3-R
2SD879L-T92-B
2SD879G-T92-B
2SD879L-T92-K
2SD879G-T92-K
2SD879L-T92-R
2SD879G-T92-R
注:引脚分配: E:发射器C:集电极B:基本
SOT-89
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
C
B
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
磁带盒
体积
带盘
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R208-010.Ba
2SD879
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
( T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
30
V
集电极 - 发射极电压
V
CEX
20
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
10
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极耗散
P
D
1
W
集电极电流( DC )
I
C
3
A
集电极电流(脉冲)
I
CP
5
A
结温
T
J
150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意事项1.脉象-> 100毫秒单脉冲
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
脉冲: 1毫秒
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
OB
测试条件
I
C
=为10uA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时, V
BE
=3V
I
C
= 1毫安,R
BE
=∞
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-2A
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 3A (脉冲)
I
C
= 3A ,我
B
= 60毫安(脉冲)
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
30
20
10
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
0.83
140
210
0.3
200
30
1.5
1
1
400
0.4
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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2 2
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:夏先生 朱小姐
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