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2SC5376F
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5376F
音频通用放大器应用
对于静音和开关应用
单位:mm
·
·
低集电极饱和电压: V
CE (饱和)(1)
= 15毫伏(典型值)。
@I
C
= 10毫安/我
B
- 0.5毫安
高集电极电流:I
C
= 400 MA(最大)
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
15
12
5
400
50
100
125
-55
到125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-2HA1A
记号
等效电路
( TOP VIEW )
型号名称
h
FE
分类
FA
1
2002-01-16
2SC5376F
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(注)
V
CE (饱和)(1)
V
CE (饱和)(2)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
R
on
t
on
0V
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入300
W
10
ms
600
9
50
9
测试条件
V
CB
=
15 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
10毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.5毫安
I
C
=
200毫安,我
B
=
10毫安
I
C
=
200毫安,我
B
=
10毫安
V
CE
=
2 V,I
C
=
10毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
I
B
=
1毫安,V
in
=
1 V
RMS
, f
=
1千赫
产量
60
9
300
80
典型值。
15
110
0.87
130
4.2
0.9
85
最大
0.1
0.1
1000
30
250
1.2
mV
mV
V
兆赫
pF
W
ns
单位
mA
mA
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
导通电阻集电极 - 发射极
开启时间
V
CC
=
6 V
170
ns
V
BB
= -3
V
Falll时间
t
f
占空比
& LT ;
2%
=
IB1
= = -IB2
5毫安
40
ns
注:H
FE
分类
答: 300 600 , B: 500 1000
2
2002-01-16
2SC5376F
I
C
– V
CE
1.0
共发射极
Ta
=
25°C
0.8
10000
5000
3000
h
FE
– I
C
共发射极
VCE
=
2 V
(A)
5
4
3
2
h
FE
6
0.6
I
C
1000
500
300
Ta
=
100°C
25
-25
集电极电流
0.4
1
0.2
IB
=
0.5毫安
0
0
直流电流增益
5
100
50
30
1
2
3
4
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
1000
共发射极
500 IC / IB
=
20
300
50
30
共发射极
IC / IB
=
20
Ta
=
25°C
10
5
3
V
BE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(毫伏)
100
50
30
Ta
=
100°C
-25
25
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
1000
10
5
3
1
0.5
0.3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300 500
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流
I
C
(MA )
I
C
– V
BE
1000
500
300
100
C
ob
– V
CB
IE
=
0 A
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
VCE
=
2V
(PF )
C
ob
集电极输出电容
共发射极
50
30
(MA )
I
C
集电极电流
100
50
30
Ta
=
100°C
25
-25
10
5
3
10
5
3
1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
3
2002-01-16
2SC5376F
P
C
- TA
200
( mW)的
集电极耗散功率
P
C
160
120
80
40
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta (C )
4
2002-01-16
2SC5376F
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-01-16
2SC5376F
东芝三极管
硅NPN外延型
2SC5376F
音频通用放大器应用
对于静音和开关应用
单位:mm
低集电极饱和电压: V
CE (饱和)(1)
= 15毫伏(典型值)。
@I
C
= 10毫安/我
B
- 0.5毫安
高集电极电流:I
C
= 400 MA(最大)
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
15
12
5
400
50
100
125
55
到125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
2-2HA1A
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
记号
型号名称
h
FE
分类
等效电路
( TOP VIEW )
FA
1
2007-11-01
2SC5376F
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(注)
V
CE (饱和)(1)
V
CE (饱和)(2)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
R
on
t
on
0V
开关时间
贮存时间
t
英镑
输入300
Ω
10
μs
600
Ω
50
Ω
测试条件
V
CB
=
15 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
10毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.5毫安
I
C
=
200毫安,我
B
=
10毫安
I
C
=
200毫安,我
B
=
10毫安
V
CE
=
2 V,I
C
=
10毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
I
B
=
1毫安,V
in
=
1 V
RMS
, f
=
1千赫
产量
60
Ω
300
80
典型值。
15
110
0.87
130
4.2
0.9
85
最大
0.1
0.1
1000
30
250
1.2
mV
mV
V
兆赫
pF
Ω
ns
单位
μA
μA
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
导通电阻集电极 - 发射极
开启时间
V
CC
=
6 V
170
ns
V
BB
= 3
V
Falll时间
t
f
占空比
& LT ;
2%
=
IB1
= = -IB2
5毫安
40
ns
注:H
FE
分类
答: 300 600 , B: 500 1000
2
2007-11-01
2SC5376F
I
C
– V
CE
1.0
共发射极
Ta
=
25°C
0.8
10000
5000
3000
h
FE
– I
C
共发射极
VCE
=
2 V
(A)
5
4
3
2
直流电流增益
FE
6
0.6
集电极电流I
C
1000
500
300
Ta
=
100°C
25
25
0.4
1
0.2
IB
=
0.5毫安
0
0
100
50
30
1
2
3
4
5
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
1000
共发射极
500 I /I
=
20
C B
300
50
30
共发射极
IC / IB
=
20
Ta
=
25°C
10
5
3
V
BE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(毫伏)
100
50
30
Ta
=
100°C
25
25
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
100
300
1000
10
5
3
1
0.5
0.3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300 500
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
I
C
– V
BE
1000
500
300
100
C
ob
– V
CB
IE
=
0 A
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
VCE
=
2V
集电极输出电容C
ob
(PF )
1.6
共发射极
50
30
(MA )
集电极电流I
C
100
50
30
Ta
=
100°C
25
25
10
5
3
10
5
3
1
0.0
0.4
0.8
1.2
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基射极电压
V
BE
(V)
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
3
2007-11-01
2SC5376F
P
C
- TA
200
( mW)的
集电极耗散功率
P
C
160
120
80
40
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度Ta (C )
4
2007-11-01
2SC5376F
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2SC5376F
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    终端采购配单精选

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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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2011+
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